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公开(公告)号：CN103477543B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201280010771.8
申请日：2012-02-27
Applicant: 特兰斯夫公司
IPC: H02M1/12
CPC classification number: H03K17/687 , H02M1/126 , H02M7/5395 , H02P7/29 , H03K17/162 , H03K17/567 , H03K17/6871 , Y10T29/49105
Abstract: 一种包括半桥的电子组件，所述半桥适合与具有工作频率的电负荷一起运行。所述半桥包括第一开关和第二开关，第一开关和第二开关的每个都具有切换频率，第一开关和所述第二开关的每个都包括第一端子、第二端子和控制端子，其中第一开关的第一端子和第二开关的第二端子都电连接至节点。该电子组件还包括具有3dB衰减频率的滤波器，所述3dB衰减频率小于所述开关的切换频率但大于所述电负荷的工作频率。所述滤波器的第一端子电耦合至所述节点，并且所述滤波器的3dB衰减频率大于5kHz。
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公开(公告)号：CN102165694A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200980137436.2
申请日：2009-09-18
Applicant: 特兰斯夫公司
Inventor： 詹姆斯·霍尼亚
CPC classification number: G05F1/70 , H03K17/08142 , Y10T29/41 , Y10T29/49117
Abstract: 本发明描述了包括电感负载和开关器件的功率开关电路。开关器件可以是低侧开关或高侧开关。一些开关是晶体管，使得能够当在晶体管两端施加电压时阻断电压，或防止实质电流流过晶体管。
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公开(公告)号：CN101978589A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200980110230.0
申请日：2009-02-10
Applicant: 特兰斯夫公司
CPC classification number: H03K17/08142 , H03K17/162 , H03K17/223 , H03K17/567 , H03K17/6871
Abstract: 本发明描述了一种半桥，所述半桥具有至少一个晶体管，所述晶体管具有能够处于第一工作模式、第二工作模式和第三工作模式的沟道，所述第一工作模式在至少一个方向上阻挡基本电压，所述第二工作模式在一个方向上通过该沟道传导基本电流，所述第三工作模式在相反方向上通过该沟道传导基本电流。所述半桥可具有带有这样的晶体管的两个电路。
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公开(公告)号：CN104300947B
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201410214282.5
申请日：2009-09-18
Applicant: 特兰斯夫公司
IPC: H03K17/0814
CPC classification number: G05F1/70 , H03K17/08142 , Y10T29/41 , Y10T29/49117
Abstract: 本发明描述了包括电感负载和开关器件的功率开关电路。开关器件可以是低侧开关或高侧开关。一些开关是晶体管，使得能够当在晶体管两端施加电压时阻断电压，或防止实质电流流过晶体管。
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公开(公告)号：CN102165694B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN200980137436.2
申请日：2009-09-18
Applicant: 特兰斯夫公司
CPC classification number: G05F1/70 , H03K17/08142 , Y10T29/41 , Y10T29/49117
Abstract: 本发明描述了包括电感负载和开关器件的功率开关电路。开关器件可以是低侧开关或高侧开关。一些开关是晶体管，使得能够当在晶体管两端施加电压时阻断电压，或防止实质电流流过晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102754206B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201180009225.8
申请日：2011-02-02
Applicant: 特兰斯夫公司
CPC classification number: H01L27/0883 , H01L21/8258 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/642 , H01L23/647 , H01L25/165 , H01L25/18 , H01L27/0605 , H01L2224/48137 , H01L2224/48195 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/30107 , H03K17/567 , H01L2924/00
Abstract: 一种电子部件，其包括都包封在单个封装体中的高压耗尽型晶体管和低压增强型晶体管。所述高压耗尽型晶体管的源电极电连接到所述低压增强型晶体管的漏电极，所述高压耗尽型晶体管的漏电极电连接到所述单个封装体的漏引线，所述低压增强型晶体管的栅电极电连接到所述单个封装体的栅引线，所述高压耗尽型晶体管的栅电极电连接到所述单个封装体的附加引线，且所述低压增强型晶体管的源电极电连接到所述单个封装体的导电的结构部分。
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公开(公告)号：CN104300947A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410214282.5
申请日：2009-09-18
Applicant: 特兰斯夫公司
IPC: H03K17/0814
CPC classification number: G05F1/70 , H03K17/08142 , Y10T29/41 , Y10T29/49117
Abstract: 本发明描述了包括电感负载和开关器件的功率开关电路。开关器件可以是低侧开关或高侧开关。一些开关是晶体管，使得能够当在晶体管两端施加电压时阻断电压，或防止实质电流流过晶体管。
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公开(公告)号：CN103477543A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201280010771.8
申请日：2012-02-27
Applicant: 特兰斯夫公司
IPC: H02M1/12
CPC classification number: H03K17/687 , H02M1/126 , H02M7/5395 , H02P7/29 , H03K17/162 , H03K17/567 , H03K17/6871 , Y10T29/49105
Abstract: 一种包括半桥的电子组件，所述半桥适合与具有工作频率的电负荷一起运行。所述半桥包括第一开关和第二开关，第一开关和第二开关的每个都具有切换频率，第一开关和所述第二开关的每个都包括第一端子、第二端子和控制端子，其中第一开关的第一端子和第二开关的第二端子都电连接至节点。该电子组件还包括具有3dB衰减频率的滤波器，所述3dB衰减频率小于所述开关的切换频率但大于所述电负荷的工作频率。所述滤波器的第一端子电耦合至所述节点，并且所述滤波器的3dB衰减频率大于5kHz。
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公开(公告)号：CN104811170B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201510140463.2
申请日：2009-02-10
Applicant: 特兰斯夫公司
IPC: H03K17/0814 , H03K17/16 , H03K17/567 , H03K17/687
Abstract: 桥式电路及其元件。本发明描述了一种半桥，所述半桥具有至少一个晶体管，所述晶体管具有能够处于第一工作模式、第二工作模式和第三工作模式的沟道，所述第一工作模式在至少一个方向上阻挡基本电压，所述第二工作模式在一个方向上通过该沟道传导基本电流，所述第三工作模式在相反方向上通过该沟道传导基本电流。所述半桥可具有带有这样的晶体管的两个电路。
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公开(公告)号：CN104811170A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510140463.2
申请日：2009-02-10
Applicant: 特兰斯夫公司
IPC: H03K17/0814 , H03K17/16 , H03K17/567 , H03K17/687
CPC classification number: H03K17/08142 , H03K17/162 , H03K17/223 , H03K17/567 , H03K17/6871
Abstract: 桥式电路及其元件。本发明描述了一种半桥，所述半桥具有至少一个晶体管，所述晶体管具有能够处于第一工作模式、第二工作模式和第三工作模式的沟道，所述第一工作模式在至少一个方向上阻挡基本电压，所述第二工作模式在一个方向上通过该沟道传导基本电流，所述第三工作模式在相反方向上通过该沟道传导基本电流。所述半桥可具有带有这样的晶体管的两个电路。
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