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公开(公告)号：CN102017160B
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN200980114639.X
申请日：2009-04-21
Applicant: 特兰斯夫公司
IPC: H01L29/778
CPC classification number: H01L29/7784 , H01L21/0217 , H01L21/0254 , H01L29/0847 , H01L29/1033 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/207 , H01L29/365 , H01L29/4236 , H01L29/518 , H01L29/66431 , H01L29/66462 , H01L29/7783 , H01L29/7787 , H01L29/7788
Abstract: 本发明提供了一种III-N半导体器件，其包括衬底和氮化物沟道层，该氮化物沟道层包括在栅极区域下方的部分区域和在栅极下方的一部分的相对侧上的两个沟道接入区。该沟道接入区可以是与栅极下方的区域不同的层。该器件包括与沟道层相邻的AlXN层，其中X是镓、铟或其组合物，并且优选地，在与沟道接入区相邻的区域中包括与AlXN层相邻的n掺杂GaN层。所述AlXN层中的Al的浓度、AlXN层厚度和n掺杂GaN层中的n掺杂浓度被选择为以在沟道接入区中感生2DEG电荷而在栅下方没有不任何实质的2DEG电荷，使得在没有切换电压施加到栅的情况下沟道是不导电的。
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公开(公告)号：CN103918069B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201280049496.0
申请日：2012-10-05
Applicant: 特兰斯夫公司
IPC: H01L21/8238
CPC classification number: H01L27/0288 , H01L21/8236 , H01L25/00 , H01L27/0629 , H01L28/20 , H01L29/2003 , H01L29/42376 , H01L29/4238 , H01L29/7786 , H01L29/872 , H01L2924/0002 , H03K17/102 , H03K2017/6875 , Y10T29/49117 , H01L2924/00
Abstract: 一种电子部件，其包括耗尽型晶体管、增强型晶体管和电阻器。耗尽型晶体管具有比增强型晶体管更高的击穿电压。电阻器的第一端子电连接到增强型晶体管，并且电阻器的第二端子和耗尽型晶体管的源极分别电连接到增强型晶体管的漏极。耗尽型晶体管的栅极可以电连接到增强型晶体管的源极。
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公开(公告)号：CN102754206A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201180009225.8
申请日：2011-02-02
Applicant: 特兰斯夫公司
CPC classification number: H01L27/0883 , H01L21/8258 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/642 , H01L23/647 , H01L25/165 , H01L25/18 , H01L27/0605 , H01L2224/48137 , H01L2224/48195 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/30107 , H03K17/567 , H01L2924/00
Abstract: 一种电子部件，其包括都包封在单个封装体中的高压耗尽型晶体管和低压增强型晶体管。所述高压耗尽型晶体管的源电极电连接到所述低压增强型晶体管的漏电极，所述高压耗尽型晶体管的漏电极电连接到所述单个封装体的漏引线，所述低压增强型晶体管的栅电极电连接到所述单个封装体的栅引线，所述高压耗尽型晶体管的栅电极电连接到所述单个封装体的附加引线，且所述低压增强型晶体管的源电极电连接到所述单个封装体的导电的结构部分。
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公开(公告)号：CN104201210B
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201410333643.8
申请日：2009-12-03
Applicant: 特兰斯夫公司
IPC: H01L29/861
CPC classification number: H01L29/0615 , H01L27/0629 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/4236 , H01L29/778 , H01L29/7786 , H01L29/7787 , H01L29/872
Abstract: 本发明涉及二极管以及包括该二极管的组件，平面肖特基二极管，其半导体材料包括异质结，其至少在一个半导体层中产生2DEG。金属阳极接触位于上半导体层的顶部上，并且与该半导体层形成肖特基接触。金属阴极接触连接到2DEG，与包含2DEG的层形成欧姆接触。
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公开(公告)号：CN102308390A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200980156127.X
申请日：2009-12-03
Applicant: 特兰斯夫公司
IPC: H01L29/868
CPC classification number: H01L29/0615 , H01L27/0629 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/4236 , H01L29/778 , H01L29/7786 , H01L29/7787 , H01L29/872
Abstract: 平面肖特基二极管，其半导体材料包括异质结构，其至少在一个半导体层中产生2DEG。金属阳极接触位于上半导体层的顶部上，并且与该半导体层形成肖特基接触。金属阴极接触连接到2DEG，与包含2DEG的层形成欧姆接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103493206B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201280014875.6
申请日：2012-01-30
Applicant: 特兰斯夫公司
Inventor： 普里米特·帕里克 , 尤瓦扎·多拉 , 吴毅锋 , 乌梅什·米什拉 , 尼古拉斯·费希滕鲍姆
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
CPC classification number: H01L23/34 , H01L21/02118 , H01L21/0254 , H01L21/486 , H01L21/76254 , H01L23/3732 , H01L23/3738 , H01L29/0657 , H01L29/1075 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/30 , H01L29/66431 , H01L29/778 , H01L29/7787 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明描述了一种III-N器件，其具有III-N层、在所述III-N层上的电极、与所述III-N层和电极相邻的钝化层、与所述钝化层和电极相邻的厚绝缘层、能够将显著热量从所述III-N器件转移出去的高导热性载体以及在所述厚绝缘层与所述载体之间的粘合层。所述粘合层将所述厚绝缘层连接于所述载体。所述厚绝缘层可以具有精确控制的厚度并且是导热的。
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公开(公告)号：CN102754206B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201180009225.8
申请日：2011-02-02
Applicant: 特兰斯夫公司
CPC classification number: H01L27/0883 , H01L21/8258 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/642 , H01L23/647 , H01L25/165 , H01L25/18 , H01L27/0605 , H01L2224/48137 , H01L2224/48195 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/30107 , H03K17/567 , H01L2924/00
Abstract: 一种电子部件，其包括都包封在单个封装体中的高压耗尽型晶体管和低压增强型晶体管。所述高压耗尽型晶体管的源电极电连接到所述低压增强型晶体管的漏电极，所述高压耗尽型晶体管的漏电极电连接到所述单个封装体的漏引线，所述低压增强型晶体管的栅电极电连接到所述单个封装体的栅引线，所述高压耗尽型晶体管的栅电极电连接到所述单个封装体的附加引线，且所述低压增强型晶体管的源电极电连接到所述单个封装体的导电的结构部分。
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公开(公告)号：CN104201210A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410333643.8
申请日：2009-12-03
Applicant: 特兰斯夫公司
IPC: H01L29/861
CPC classification number: H01L29/0615 , H01L27/0629 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/4236 , H01L29/778 , H01L29/7786 , H01L29/7787 , H01L29/872
Abstract: 本发明涉及二极管以及包括该二极管的组件，平面肖特基二极管，其半导体材料包括异质结，其至少在一个半导体层中产生2DEG。金属阳极接触位于上半导体层的顶部上，并且与该半导体层形成肖特基接触。金属阴极接触连接到2DEG，与包含2DEG的层形成欧姆接触。
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公开(公告)号：CN102017160A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200980114639.X
申请日：2009-04-21
Applicant: 特兰斯夫公司
IPC: H01L29/778
CPC classification number: H01L29/7784 , H01L21/0217 , H01L21/0254 , H01L29/0847 , H01L29/1033 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/207 , H01L29/365 , H01L29/4236 , H01L29/518 , H01L29/66431 , H01L29/66462 , H01L29/7783 , H01L29/7787 , H01L29/7788
Abstract: 本发明提供了一种Ⅲ-N半导体器件，其包括衬底和氮化物沟道层，该氮化物沟道层包括在栅极区域下方的部分区域和在栅极下方的一部分的相对侧上的两个沟道接入区。该沟道接入区可以是与栅极下方的区域不同的层。该器件包括与沟道层相邻的AlXN层，其中X是镓、铟或其组合物，并且优选地，在与沟道接入区相邻的区域中包括与AlXN层相邻的n掺杂GaN层。所述AlXN层中的Al的浓度、AlXN层厚度和n掺杂GaN层中的n掺杂浓度被选择为以在沟道接入区中感生2DEG电荷而在栅下方没有不任何实质的2DEG电荷，使得在没有切换电压施加到栅的情况下沟道是不导电的。
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公开(公告)号：CN102308390B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN200980156127.X
申请日：2009-12-03
Applicant: 特兰斯夫公司
IPC: H01L29/868
CPC classification number: H01L29/0615 , H01L27/0629 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/4236 , H01L29/778 , H01L29/7786 , H01L29/7787 , H01L29/872
Abstract: 平面肖特基二极管，其半导体材料包括异质结，其至少在一个半导体层中产生2DEG。金属阳极接触位于上半导体层的顶部上，并且与该半导体层形成肖特基接触。金属阴极接触连接到2DEG，与包含2DEG的层形成欧姆接触。
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