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公开(公告)号:CN116856029A
公开(公告)日:2023-10-10
申请号:CN202310900925.0
申请日:2023-07-21
Applicant: 燕山大学
IPC: C25D9/08
Abstract: 一种黑磷薄膜及其制备方法和应用,属于半导体生长制备技术领域。本发明黑磷薄膜的制备方法,包括:(1)制备黑磷/丙酮混合液,在冰浴条件下超声粉碎,获得黑磷纳米片/丙酮分散液;(2)进行离心,获得黑磷纳米片/丙酮分散液;(3)将导电基底作为正极,导电金属板作为负极,插入上述步骤(2)获得的黑磷纳米片/丙酮分散液中,施加直流沉积电压,在导电基底上沉积获得黑磷薄膜。本发明黑磷薄膜的简易制备技术,为其在场效应晶体管、光电探测技术、生物医学等领域的应用提供了技术支撑。