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公开(公告)号：CN100427979C
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200710000031.7
申请日：2007-01-05
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种应用于光纤激光器和放大器的激光功率集成器及其实现方法，该激光功率集成器有两部分组成，一部分由若干一定直径的光纤束(1)组成，另一部分由特定结构的双包层光纤(2)组成，光纤束(1)一端通过加热方式均匀拉锥成一定直径的紧密结合的整体。上述光纤束(1)处理过的一端和上述双包层光纤的一端熔接在一起。光纤束(1)拉锥区需要控制合适的长度。拉锥过程中光纤束旋转，光纤需要承受一定的张力。本发明涉及的另外一种结构是，双包层光纤外围通过拉锥均匀附着多模光纤束，多束泵浦光可以通过多模光纤传到双包层光纤中。
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公开(公告)号：CN1291254C
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200410030660.0
申请日：2004-04-02
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及双折射微结构光纤及其制造方法，该双折射微结构光纤包括：以纤芯区为中心的内部区域、沿着光纤轴向掩埋着有微孔阵列并包围内部区域的包层区域、涂层区域，通过改变微孔的形状结构、尺寸大小、数量与其排列形状，从而在光纤中两相互垂直方向上形成较大的有效折射率差，制造出具有优良性能的双折射微结构光纤，该双折射微结构光纤制造方法包括：制造出纯或掺杂的石英微棒和具有一定壁厚的纯石英微孔管，将石英微棒和石英微孔管加工成特定形状，将石英微棒和石英微孔管组合成预定的阵列，将排布好阵列形状的石英微棒和石英微孔管组合在石英套管中组装成集束，拉丝形成光纤。
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公开(公告)号：CN1267369C
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200410042623.1
申请日：2004-05-28
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司
IPC: C03B37/02 , C03B37/025 , C03B37/028 , C03B37/03 , C03B37/075
CPC classification number: Y02P40/57
Abstract: 本发明涉及一种制备光子晶体光纤的方法及该方法所使用的装置，该方法在一个预先确定尺寸的玻璃套管内，将若干根细玻璃管根据一定的规则排列成特定的结构，形成光子晶体光纤预制棒，细玻璃管比玻璃套管和细玻璃棒或细玻璃丝长，在拉制时，光纤预制棒一端放入本发明的装置中，该装置对光纤预制棒进行压力控制，即对玻璃套管内抽真空，对细玻璃管通入10-1毫巴(mbar)数量级气压的气体。
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公开(公告)号：CN1583617A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN200410042623.1
申请日：2004-05-28
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司
IPC: C03B37/02 , C03B37/025 , C03B37/028 , C03B37/03 , C03B37/075
CPC classification number: Y02P40/57
Abstract: 本发明涉及一种制备光子晶体光纤的方法及该方法所使用的装置，该方法在一个预先确定尺寸的玻璃套管内，将若干根细玻璃管根据一定的规则排列成特定的结构，形成光子晶体光纤预制棒，细玻璃管比玻璃套管和细玻璃棒或细玻璃丝长，在拉制时，光纤预制棒一端放入本发明的装置中，该装置对光纤预制棒进行压力控制，即对玻璃套管内抽真空，对细玻璃管通入10－1毫巴(mbar)数量级气压的气体。
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公开(公告)号：CN1569704A
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN200410037806.4
申请日：2004-05-10
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司
IPC: C03B37/012 , C03B37/014 , C03B37/018 , C03B37/02 , G02B6/00
CPC classification number: C03B37/01807 , C03B2201/22 , C03B2201/28 , C03B2201/31 , C03B2203/24 , C03B2207/86 , Y02P40/57
Abstract: 本发明涉及一种低水峰光纤的制造方法，特别涉及一种采用改进的化学气相沉积(MCVD)工艺制造低水峰光纤的方法，采用本发明方法所制造出的单模光纤在1310nm波长处的衰减系数小于0.320 dB/km，氢老化试验后测量1383nm波长处的羟基峰衰减系数小于1310nm波长处的衰减系数，其衰减系数小于0.310dB/km。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1564034A
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN200410030660.0
申请日：2004-04-02
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及双折射微结构光纤及其制造方法，该双折射微结构光纤包括：以纤芯区为中心的内部区域、沿着光纤轴向掩埋着有微孔阵列并包围内部区域的包层区域、涂层区域，通过改变微孔的形状结构、尺寸大小、数量与其排列形状，从而在光纤中两相互垂直方向上形成较大的有效折射率差，制造出具有优良性能的双折射微结构光纤，该双折射微结构光纤制造方法包括：制造出纯或掺杂的石英微棒和具有一定壁厚的纯石英微孔管，将石英微棒和石英微孔管加工成特定形状，将石英微棒和石英微孔管组合成预定的阵列，将排布好阵列形状的石英微棒和石英微孔管组合在石英套管中组装成集束，拉丝形成光纤。
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公开(公告)号：CN1490267A
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN03128323.3
申请日：2003-07-14
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司
IPC: C03B37/012 , C03B37/014 , C03B37/018 , C03B20/00 , C03C13/04 , G02B6/00
CPC classification number: C03B37/01823 , C03B2201/28 , C03B2201/31 , C03B2201/34 , C03B2201/36 , C03B2207/20
Abstract: 本发明涉及一种掺稀土光纤的工艺制造方法。这种工艺采用等离子体化学气相沉积，在圆管形的石英衬管内壁上沉积掺杂的二氧化硅层。反应所需的稀土化合物及其它共掺杂剂蒸气采用气柜和高温流量计进行蒸发和控制。这种方法由于采用了蒸发器将各种掺杂剂(稀土化合物及共掺杂剂)如同在制造常规光纤时的四氯化硅、四氯化锗一样直接输送到反应管内，进行直接沉积，避免了溶液法引入的污染，而且保证了掺杂的均匀性。
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公开(公告)号：CN1987534A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200710000030.2
申请日：2007-01-05
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司
CPC classification number: C03B37/01222 , C03B37/01807 , C03B37/01823 , C03B2201/34 , C03B2203/34
Abstract: 本发明涉及一种能够进行激光自组织相干的光纤波导及其制造方法。采用等离子体化学气相沉积(PCVD)及改进的化学气相沉积(MCVD)工艺技术制造出掺稀土光纤芯棒，将七根或十九根掺稀土光纤芯棒排列成为六边形点阵，放入高纯石英套管中形成多芯掺稀土光纤预制棒，然后拉丝成一定尺寸的自组织相干光纤波导。将泵浦激光耦合进入该多芯有源光纤中，多芯中的稀土有源离子在泵浦光的作用下同时发生上转换激发出频率相同相位一致的激光，即自发进行相干，输出高相干性的光纤激光。该发明实现了激光产生与激光的相干同步进行，并且能够实现自组织相干，对激光系统器件要求低，实用性强，方便民用和国防工业的应用。
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公开(公告)号：CN1289421C
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN03128323.3
申请日：2003-07-14
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司
IPC: C03B37/012 , C03B37/014 , C03B37/018 , C03B20/00 , C03C13/04 , G02B6/00
CPC classification number: C03B37/01823 , C03B2201/28 , C03B2201/31 , C03B2201/34 , C03B2201/36 , C03B2207/20
Abstract: 本发明涉及一种掺稀土光纤的工艺制造方法。这种工艺采用等离子体化学气相沉积，在圆管形的石英衬管内壁上沉积掺杂的二氧化硅层。反应所需的稀土化合物及其它共掺杂剂蒸气采用气柜和高温流量计进行蒸发和控制。这种方法由于采用了蒸发器将各种掺杂剂(稀土化合物及共掺杂剂)如同在制造常规光纤时的四氯化硅、四氯化锗一样直接输送到反应管内，进行直接沉积，避免了溶液法引入的污染，而且保证了掺杂的均匀性。
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公开(公告)号：CN1251985C
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN200410008654.5
申请日：2004-03-18
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种降低光纤氢损的光纤氘处理方法以及该方法所使用的设备，本发明方法和设备的主要特点在于：在一般温度下对拉制成型的光纤进行氘处理，降低和消除光纤内的缺陷，从而降低光纤氢损。使用本发明方法和设备所处理的光纤在1383nm氢损的附加损耗小于等于0.01dB/km。
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