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公开(公告)号：CN1301225C
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200410037806.4
申请日：2004-05-10
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司
IPC: C03B37/012 , C03B37/014 , C03B37/018 , C03B37/02 , G02B6/00
CPC classification number: C03B37/01807 , C03B2201/22 , C03B2201/28 , C03B2201/31 , C03B2203/24 , C03B2207/86 , Y02P40/57
Abstract: 本发明涉及一种低水峰光纤的制造方法，特别涉及一种采用改进的化学气相沉积(MCVD)工艺制造低水峰光纤的方法，采用本发明方法所制造出的单模光纤在1310nm波长处的衰减系数小于0.320dB/km，氢老化试验后测量1383nm波长处的羟基峰衰减系数小于1310nm波长处的衰减系数，其衰减系数小于0.310dB/km。
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公开(公告)号：CN1220893C
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN03118715.3
申请日：2003-02-28
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司
IPC: G02B6/00 , G02B6/22 , C03B37/012 , C03B37/018
CPC classification number: C03B37/01807 , C03B37/0183 , C03B2201/31 , C03B2203/23 , C03B2203/26 , C03B2207/86
Abstract: 本发明涉及光纤制造领域中的一种光纤预制棒及制造方法。本发明光纤预制棒的波导结构为：凹陷深度d范围为：-1.00%≤d≤-0.001%；凹陷宽度w与预制棒芯子直径2a比例范围为：0.10%≤w/2a≤5.00%；芯子起点高度h范围为：-1.00%≤h≤1.00%；它通过增大多模光纤凹陷深度、凹陷宽度以及减少预制棒中GeCl4的掺杂量方法，设计出一种内包层下凹型多模光纤预制棒，它减少预制棒中GeCl4的掺杂量，降低了成本；减小体系的瑞利散射，降低了多模光纤的衰减；使光纤的带宽性能得到了优化，提高了多模光纤的整体性能。
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公开(公告)号：CN1569704A
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN200410037806.4
申请日：2004-05-10
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司
IPC: C03B37/012 , C03B37/014 , C03B37/018 , C03B37/02 , G02B6/00
CPC classification number: C03B37/01807 , C03B2201/22 , C03B2201/28 , C03B2201/31 , C03B2203/24 , C03B2207/86 , Y02P40/57
Abstract: 本发明涉及一种低水峰光纤的制造方法，特别涉及一种采用改进的化学气相沉积(MCVD)工艺制造低水峰光纤的方法，采用本发明方法所制造出的单模光纤在1310nm波长处的衰减系数小于0.320 dB/km，氢老化试验后测量1383nm波长处的羟基峰衰减系数小于1310nm波长处的衰减系数，其衰减系数小于0.310dB/km。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1300607C
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200410061392.9
申请日：2004-12-20
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司
IPC: G02B6/02 , C03B37/012
CPC classification number: C03B37/01807 , C03B37/0183 , C03B2201/31 , C03B2203/23 , C03B2207/86
Abstract: 本发明涉及一种对弯曲不敏感的单模光纤及其制备方法，其波导结构具有芯层和包层，其中包层又分为五个包层，芯层和各包层的折射率都不同，该光纤制备方法采用PCVD工艺，原材料按照不同的配比及在没有氧气和氟利昂的环境下进行烧实，得到一种弯曲不敏感光纤。该光纤相对于常规G.652光纤而言，这种光纤的弯曲损耗在1310nm波长和1550nm波长小于0.005dB，光纤的截止波长≤1290nm，光缆截止波长≤1260nm；光纤模场直径为7±0.8μm；零色散波长在1310nm附近，色散斜率不大于0.065ps/nm2·km；在1550nm处的色散≤12ps/nm·km。光纤在1310nm的衰减≤0.36dB/km，在1550nm的衰减≤0.24dB/km。该光纤主要应用于集成小型化光器件，卷绕或编织成小弯曲半径光纤通信的应用。
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公开(公告)号：CN1251985C
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN200410008654.5
申请日：2004-03-18
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种降低光纤氢损的光纤氘处理方法以及该方法所使用的设备，本发明方法和设备的主要特点在于：在一般温度下对拉制成型的光纤进行氘处理，降低和消除光纤内的缺陷，从而降低光纤氢损。使用本发明方法和设备所处理的光纤在1383nm氢损的附加损耗小于等于0.01dB/km。
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公开(公告)号：CN1632628A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN200410061392.9
申请日：2004-12-20
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司
IPC: G02B6/16 , C03B37/012
CPC classification number: C03B37/01807 , C03B37/0183 , C03B2201/31 , C03B2203/23 , C03B2207/86
Abstract: 本发明涉及一种对弯曲不敏感的单模光纤及其制备方法，其波导结构具有芯层和包层，其中包层又分为五个包层，芯层和各包层的折射率都不同，该光纤制备方法采用PCVD工艺，原材料按照不同的配比及在没有氧气和氟利昂的环境下进行烧实，得到一种弯曲不敏感光纤。该光纤相对于常规G.65 2光纤而言，这种光纤的弯曲损耗在1310nm波长和1550nm波长小于0.005dB，光纤的截止波长≤1290nm，光缆截止波长≤1260nm；光纤模场直径为7±0.8μm；零色散波长在1310nm附近，色散斜率不大于0.065ps/nm2＊km；在1550nm处的色散≤12ps/nm＊km。光纤在1310nm的衰减≤0.36dB/km，在1550nm的衰减≤0.24dB/km。该光纤主要应用于集成小型化光器件，卷绕或编织成小弯曲半径光纤通信的应用。
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公开(公告)号：CN1562844A
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN200410008654.5
申请日：2004-03-18
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种降低光纤氢损的光纤氘处理方法以及该方法所使用的设备，本发明方法和设备的主要特点在于：在一般温度下对拉制成型的光纤进行氘处理，降低和消除光纤内的缺陷，从而降低光纤氢损。使用本发明方法和设备所处理的光纤在1383nm氢损的附加损耗小于等于0.01dB/km。
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公开(公告)号：CN1433982A
公开(公告)日：2003-08-06
申请号：CN03118715.3
申请日：2003-02-28
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司
IPC: C03B37/012 , C03B37/018 , G02B6/00
CPC classification number: C03B37/01807 , C03B37/0183 , C03B2201/31 , C03B2203/23 , C03B2203/26 , C03B2207/86
Abstract: 本发明涉及光纤制造领域中的一种光纤预制棒及制造方法。本发明光纤预制棒的波导结构为：凹陷深度d范围为：－1.00％≤d≤－0.001％；凹陷宽度w与预制棒芯子直径2a比例范围为：0.10％≤w/2a≤5.00％；芯子起点高度h范围为：－1.00％≤h≤1.00％；它通过增大多模光纤凹陷深度、凹陷宽度以及减少预制棒中GeCl4的掺杂量方法，设计出一种内包层下凹型多模光纤预制棒，它减少预制棒中GeCl4的掺杂量，降低了成本；减小体系的瑞利散射，降低了多模光纤的衰减；使光纤的带宽性能得到了优化，提高了多模光纤的整体性能。
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