公开(公告)号：CN1111514C

公开(公告)日：2003-06-18

申请号：CN00128165.8

申请日：2000-12-28

Applicant: 烽火通信科技股份有限公司

Inventor： 唐仁杰 ,  尹红兵 ,  朱明华 ,  魏忠诚

IPC: C03B37/018

Abstract: 本发明涉及一种制作大型光纤预制棒的方法，该方法的包括：a、用管内化学汽相沉积法在石英玻璃管内沉积芯和包层材料，b、将沉积完芯和包层材料的石英玻璃置高温下熔缩成芯棒，c、用外部化学汽相沉积法采用四氯化硅在芯棒上沉积外包层材料，d、将沉积了足够外包层材料的芯棒烧结成透明玻璃棒即成。本发明的工艺方法灵活、简便，原料来源丰富，既可获得精度较高的芯/包层光波导结构，又可实现高生产速率，可适于制作高质量的大型光纤预制棒。

公开(公告)号：CN1569704A

公开(公告)日：2005-01-26

申请号：CN200410037806.4

申请日：2004-05-10

Applicant: 烽火通信科技股份有限公司

Inventor： 陈伟 ,  唐仁杰 ,  李诗愈 ,  李进延 ,  陆大方 ,  成煜 ,  李海清

IPC: C03B37/012 ,  C03B37/014 ,  C03B37/018 ,  C03B37/02 ,  G02B6/00

CPC classification number: C03B37/01807 ,  C03B2201/22 ,  C03B2201/28 ,  C03B2201/31 ,  C03B2203/24 ,  C03B2207/86 ,  Y02P40/57

Abstract: 本发明涉及一种低水峰光纤的制造方法，特别涉及一种采用改进的化学气相沉积(MCVD)工艺制造低水峰光纤的方法，采用本发明方法所制造出的单模光纤在1310nm波长处的衰减系数小于0.320 dB/km，氢老化试验后测量1383nm波长处的羟基峰衰减系数小于1310nm波长处的衰减系数，其衰减系数小于0.310dB/km。

公开(公告)号：CN1297856A

公开(公告)日：2001-06-06

申请号：CN00128165.8

申请日：2000-12-28

Applicant: 烽火通信科技股份有限公司

Inventor： 唐仁杰 ,  尹红兵 ,  朱明华 ,  魏忠诚

IPC: C03B37/018

Abstract: 本发明涉及一种制作大型光纤预制棒的方法,该方法的包括:a、用管内化学汽相沉积法在石英玻璃管内沉积芯和包层材料,b、将沉积完芯和包层材料的石英玻璃置高温下熔缩成芯棒,c、用外部化学汽相沉积法采用四氯化硅在芯棒上沉积外包层材料,d、将沉积了足够外包层材料的芯棒烧结成透明玻璃棒即成。本发明的工艺方法灵活、简便,原料来源丰富,既可获得精度较高的芯/包层光波导结构,又可实现高生产速率,可适于制作高质量的大型光纤预制棒。

公开(公告)号：CN1301225C

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200410037806.4

申请日：2004-05-10

Applicant: 烽火通信科技股份有限公司

Inventor： 陈伟 ,  唐仁杰 ,  李诗愈 ,  李进延 ,  陆大方 ,  成煜 ,  李海清

IPC: C03B37/012 ,  C03B37/014 ,  C03B37/018 ,  C03B37/02 ,  G02B6/00

CPC classification number: C03B37/01807 ,  C03B2201/22 ,  C03B2201/28 ,  C03B2201/31 ,  C03B2203/24 ,  C03B2207/86 ,  Y02P40/57

Abstract: 本发明涉及一种低水峰光纤的制造方法，特别涉及一种采用改进的化学气相沉积(MCVD)工艺制造低水峰光纤的方法，采用本发明方法所制造出的单模光纤在1310nm波长处的衰减系数小于0.320dB/km，氢老化试验后测量1383nm波长处的羟基峰衰减系数小于1310nm波长处的衰减系数，其衰减系数小于0.310dB/km。