一种电子级二甲基二甲氧基硅烷的提纯工艺

    公开(公告)号:CN119371452A

    公开(公告)日:2025-01-28

    申请号:CN202411424732.3

    申请日:2024-10-12

    Abstract: 本发明公开了一种二甲基二甲氧基硅烷提纯装置设备和工艺系统,该提纯系统包含以下设备:工业级原料罐(1),一级脱水塔A(2),一级脱水塔B(3),缓冲罐(4),一级精馏塔(5),重组分闪蒸罐(6),二级精馏塔(7),轻组分闪蒸罐(8),暂储罐(9),气相色谱仪(10),缓冲罐(11),树脂塔A(12),树脂塔B(13),二级脱水塔A(14),二级脱水塔B(15),过滤器A(16),过滤器B(17),电子级产品罐(18)。该套工艺装置依次相连,并进行合理的物料回收,其包含了脱除水分、阴阳离子、颗粒杂质以及轻重组分杂质等过程,其中对脱除的轻重组分进行二次闪蒸然后打回缓冲罐进行重新利用,可以保证电子级产品的良好收率,另外对两次精馏后的物料进行在线有机成分分析,可以充分保证物料有机纯度维持在99.99%以上,最终获得电子级合格产品。

    电子级六甲基二硅氮烷修饰硅片的制备方法

    公开(公告)号:CN118996415A

    公开(公告)日:2024-11-22

    申请号:CN202410860541.5

    申请日:2024-06-28

    Abstract: 本发明属于半导体技术领域,具体公开了一种电子级六甲基二硅氮烷修饰硅片的制备方法,包括以下步骤:S1、将硅片置于真空烘箱内,升温至硅片温度达到90~130℃并维持;S2、对真空烘箱内进行多次抽真空、充氮气循环操作置换其中的空气;然后抽真空至1000pa,充入HMDS药液并维持反应一段时间;再次进行抽真空、充入氮气的循环操作去除残余的HMDS,即得电子级六甲基二硅氮烷修饰硅片。该制备方法通过真空烘箱将HMDS沉积到硅片上,调整加热处理、改变充液时间、保持时间参数等,并通过测量接触角的大小系统的研究了HMDS沉积工序对硅片表面改性的效果,其接触角大,且稳定性好。

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