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公开(公告)号:CN118767885A
公开(公告)日:2024-10-15
申请号:CN202410754850.4
申请日:2024-06-12
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司 , 中国科学院过程工程研究所
Abstract: 本发明提供一种用于四甲基硅烷电子级分离提纯的改性吸附剂的制备方法及改性吸附剂,将改性剂负载于限域吸附材料性的ZIFs上,形成改性ZIFs吸附剂。本发明的技术方案将具有不同孔道尺寸的类沸石咪唑骨架材料(ZIFs)进行改性,形成限域吸附材料。同时利用该吸附及通过静置吸附法,分离有机硅低沸物,将其中的2‑甲基丁烷脱除,获得电子级四甲基硅烷。利用本发明制备的吸附剂,可大幅提高分离提纯效果,获得超高纯度的电子级四甲基硅烷,技术优势明显。
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公开(公告)号:CN119757503A
公开(公告)日:2025-04-04
申请号:CN202411752975.X
申请日:2024-12-02
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC: G01N27/42
Abstract: 本发明提供了一种2,3,4‑三羟基二苯甲酮1,2‑二叠氮基萘醌‑5‑磺酸酯中水分含量的检测方法,该检测方法使用外部溶解法预处理样品,采用卡尔·费休库伦法测量2,3,4‑三羟基二苯甲酮1,2‑二叠氮基萘醌‑5‑磺酸酯的水分,卡尔·费休试剂由质量分数组成分别为70%的甲醇、10%的二乙醇胺、10%的咪唑、5%的二氧化硫、5%的氢碘酸,在检测水分前需要进行外部溶解法预处理样品,分别记录测量样品的含水量m1、空白溶剂的含水量m2、溶剂的重量x1、样品的重量x2,使用修正公式进行修正,最终实现2,3,4‑三羟基二苯甲酮1,2‑二叠氮基萘醌‑5‑磺酸酯的水分测定。
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公开(公告)号:CN119462339A
公开(公告)日:2025-02-18
申请号:CN202411424723.4
申请日:2024-10-12
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC: C07C29/74 , B01D36/00 , B01D29/50 , B01J47/04 , B01D3/14 , B01D3/42 , C07C29/76 , C07C29/80 , C07C31/10
Abstract: 一种超高纯电子级异丙醇的生产方法:以工业级异丙醇为原料,通过混合吸附除水、两级精馏、脱除金属离子、脱除颗粒,连续提纯获得电子级异丙醇。首先工业异丙醇进入吸附除水工序,采用混装填料进行变温吸附,在常温下有效吸附异丙醇中绝大部分水分子及其它杂质,脱水后异丙醇中水分含量小于20ppm,除水后的异丙醇进入两级精馏塔进行连续化精馏提纯,通过脱轻和脱重去除轻组分和重组分,经在线成分检测后合格成分采出后进入混装树脂塔进行离子交换,进一步脱除阴阳离子,最后经微孔折叠滤芯过滤脱除颗粒并二次脱水后得到G5等级的电子级异丙醇。
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公开(公告)号:CN119064499A
公开(公告)日:2024-12-03
申请号:CN202411193382.4
申请日:2024-08-28
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种电子级六甲基二硅氮烷中痕量氯离子的捕集与测定方法,向电子级六甲基二硅氮烷中按照一定的速度滴入超纯水,使其发生水解反应释放氯离子,氯离子一部分溶解于超纯水中,另一部随着惰性气体的吹扫进入吸收液中进行捕集;然后再用离子色谱法对溶解或捕集氯离子的溶液进行检测,最后计算得到电子级六甲基二硅氮烷中痕量氯离子的含量。本发明具有检测准确高、安全系数高、检出限低等优点,同时检测过程中不会产生固体物质堵塞检测仪器,延长了检测仪器的使用寿命。
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公开(公告)号:CN119371452A
公开(公告)日:2025-01-28
申请号:CN202411424732.3
申请日:2024-10-12
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种二甲基二甲氧基硅烷提纯装置设备和工艺系统,该提纯系统包含以下设备:工业级原料罐(1),一级脱水塔A(2),一级脱水塔B(3),缓冲罐(4),一级精馏塔(5),重组分闪蒸罐(6),二级精馏塔(7),轻组分闪蒸罐(8),暂储罐(9),气相色谱仪(10),缓冲罐(11),树脂塔A(12),树脂塔B(13),二级脱水塔A(14),二级脱水塔B(15),过滤器A(16),过滤器B(17),电子级产品罐(18)。该套工艺装置依次相连,并进行合理的物料回收,其包含了脱除水分、阴阳离子、颗粒杂质以及轻重组分杂质等过程,其中对脱除的轻重组分进行二次闪蒸然后打回缓冲罐进行重新利用,可以保证电子级产品的良好收率,另外对两次精馏后的物料进行在线有机成分分析,可以充分保证物料有机纯度维持在99.99%以上,最终获得电子级合格产品。
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公开(公告)号:CN118996415A
公开(公告)日:2024-11-22
申请号:CN202410860541.5
申请日:2024-06-28
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC: C23C26/00
Abstract: 本发明属于半导体技术领域,具体公开了一种电子级六甲基二硅氮烷修饰硅片的制备方法,包括以下步骤:S1、将硅片置于真空烘箱内,升温至硅片温度达到90~130℃并维持;S2、对真空烘箱内进行多次抽真空、充氮气循环操作置换其中的空气;然后抽真空至1000pa,充入HMDS药液并维持反应一段时间;再次进行抽真空、充入氮气的循环操作去除残余的HMDS,即得电子级六甲基二硅氮烷修饰硅片。该制备方法通过真空烘箱将HMDS沉积到硅片上,调整加热处理、改变充液时间、保持时间参数等,并通过测量接触角的大小系统的研究了HMDS沉积工序对硅片表面改性的效果,其接触角大,且稳定性好。
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