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公开(公告)号：CN100370587C
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN03821131.9
申请日：2003-09-05
Applicant: 旭硝子株式会社 , 清美化学股份有限公司
IPC: H01L21/304
CPC classification number: C09K3/1409 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/31053
Abstract: 为了对应用于半导体集成电路的、由具有C-Si键及Si-O键的有机硅材料形成的绝缘膜的表面进行研磨，采用包含水以及选自稀土类氢氧化物、稀土类氟化物、稀土类氟氧化物、氧化铈以外的稀土类氧化物及它们的复合化合物的1种或1种以上的特定稀土类化合物的粒子的研磨剂组合物或其中还含有氧化铈粒子的研磨剂组合物。这样可形成无或较少产生裂缝、擦痕及膜剥离等缺陷的高品质的研磨表面。
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公开(公告)号：CN101454121A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200780019563.3
申请日：2007-05-24
Applicant: 旭硝子株式会社 , AGC清美化学股份有限公司
IPC: B24B37/00 , C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/3212 , H05K3/045 , H05K3/107 , H05K2201/0209 , H05K2203/025 , H05K2203/0796
Abstract: 本发明提供能够以较快的研磨速度对被研磨物进行研磨同时具备良好的阶差消除性的研磨剂组合物。另外，还提供可在抑制配线电阻上升的同时快速地对配线金属进行研磨且阶差消除性良好的研磨方法。研磨剂组合物包含磨粒，氧化剂，铵离子，多元羧酸根离子，选自五亚乙基六胺、三亚乙基四胺及四亚乙基五胺的至少1种螯合剂，水系介质。此外，研磨方法是使用该研磨剂组合物，在树脂基材(1)设置配线槽(2)，将配线金属(3)埋入配线槽(2)后对配线金属(3)进行研磨。
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公开(公告)号：CN101171670A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200580049705.1
申请日：2005-05-06
Applicant: 旭硝子株式会社 , AGC清美化学股份有限公司
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02
Abstract: 本发明提供将铜用作配线用金属时实现高精度的表面平坦化的技术。本发明使用含有水，过氧化物类氧化剂，铜的表面保护剂，选自酒石酸、丙二酸、苹果酸、柠檬酸、马来酸、乙二酸和富马酸的至少一种第一螯合剂，以及选自三亚乙基四胺、乙二胺二乙酸、乙二胺四乙酸、四亚乙基五胺、乙二醇醚二胺四乙酸、反式－1，2－环己二胺四乙酸、邻菲咯啉及它们的衍生物和盐的至少一种第二螯合剂的铜配线研磨用组合物。
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公开(公告)号：CN1682354A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN03822423.2
申请日：2003-09-25
Applicant: 清美化学股份有限公司 , 旭硝子株式会社
IPC: H01L21/304 , C09K3/14
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/3212
Abstract: 研磨剂组合物，它是用于基板的研磨的化学机械研磨用研磨材料，含有(A)磨粒、(B)水系介质、(C)酒石酸、(D)三羟基甲基氨基甲烷及(E)选自丙二酸和马来酸的1种或1种以上，更好的是为了防止配线金属部的凹陷，还含有具有在配线金属表面形成保护膜的功能的苯并三唑等化合物。
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公开(公告)号：CN1679145A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN03821131.9
申请日：2003-09-05
Applicant: 旭硝子株式会社 , 清美化学股份有限公司
IPC: H01L21/304
CPC classification number: C09K3/1409 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/31053
Abstract: 为了对应用于半导体集成电路的、由具有C－Si键及Si－O键的有机硅材料形成的绝缘膜的表面进行研磨，采用包含水以及选自稀土类氢氧化物、稀土类氟化物、稀土类氟氧化物、氧化铈以外的稀土类氧化物及它们的复合化合物的1种或1种以上的特定稀土类化合物的粒子的研磨剂组合物或其中还含有氧化铈粒子的研磨剂组合物。这样可形成无或较少产生裂缝、擦痕及膜剥离等缺陷的高品质的研磨表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1682354B
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN03822423.2
申请日：2003-09-25
Applicant: 清美化学股份有限公司 , 旭硝子株式会社
IPC: H01L21/304 , C09K3/14
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/3212
Abstract: 研磨剂组合物，它是用于基板的研磨的化学机械研磨用研磨材料，含有(A)磨粒、(B)水系介质、(C)酒石酸、(D)三羟基甲基氨基甲烷及(E)选自丙二酸和马来酸的1种或1种以上，更好的是为了防止配线金属部的凹陷，还含有具有在配线金属表面形成保护膜的功能的苯并三唑等化合物。
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公开(公告)号：CN100472729C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200580049705.1
申请日：2005-05-06
Applicant: 旭硝子株式会社 , AGC清美化学股份有限公司
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02
Abstract: 本发明提供将铜用作配线用金属时实现高精度的表面平坦化的技术。本发明使用含有水，过氧化物类氧化剂，铜的表面保护剂，选自酒石酸、丙二酸、苹果酸、柠檬酸、马来酸、乙二酸和富马酸的至少一种第一螯合剂，以及选自三亚乙基四胺、乙二胺二乙酸、乙二胺四乙酸、四亚乙基五胺、乙二醇醚二胺四乙酸、反式-1，2-环己二胺四乙酸、邻菲咯啉及它们的衍生物和盐的至少一种第二螯合剂的铜配线研磨用组合物。
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公开(公告)号：CN101238192A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200680028977.8
申请日：2006-08-03
Applicant: 旭硝子株式会社 , AGC清美化学股份有限公司
CPC classification number: H05K3/045 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/3212 , H05K3/107 , H05K3/26 , H05K2201/0209 , H05K2203/025 , H05K2203/0786
Abstract: 本发明涉及研磨剂组合物，它是包含磨粒、氧化剂、电解质和水性介质的研磨剂组合物，其特征在于，由前述电解质生成的离子包括铵离子、作为选自多元羧酸根离子和羟酸根离子的至少1种的有机羧酸根离子以及选自碳酸根离子、碳酸氢根离子、硫酸根离子和乙酸根离子的至少1种离子。在树脂基材1上设置配线沟2，在配线沟2中埋入配线金属3后，使用本发明的研磨剂组合物对配线金属3进行研磨。由此，使对树脂基材1和金属配线3的损伤的发生达到最低限度，研磨速度快，可以使生产效率提高。
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公开(公告)号：CN101230250A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200710307391.1
申请日：2003-09-05
Applicant: 旭硝子株式会社 , 清美化学股份有限公司
IPC: C09K3/14 , H01L21/3105
Abstract: 本发明涉及一种绝缘膜研磨剂组合物及半导体集成电路的制造方法。为了对应用于半导体集成电路的、由具有C－Si键及Si－O键的有机硅材料形成的绝缘膜的表面进行研磨，采用包含水、以及选自La(OH)3、Nd(OH)3、Pr(OH)3、CeLa2O3F3和氧化铈以外的稀土类氧化物的1种以上的特定稀土类化合物的粒子的研磨剂组合物或其中还含有氧化铈粒子的研磨剂组合物。这样可形成无或较少产生裂缝、擦痕及膜剥离等缺陷的高品质的研磨表面。
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公开(公告)号：CN1415114A
公开(公告)日：2003-04-30
申请号：CN00818052.0
申请日：2000-11-02
Applicant: 清美化学股份有限公司
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 本发明提供了在半导体器件制造的CMP工艺中，能抑制金属层过度氧化、对金属层和/或阻挡层等进行研磨、且能根据不同用途调节研磨速度的研磨剂及研磨方法。使含有抛光磨料和肽的研磨剂与氧化剂一起悬浮于水系介质中，将pH调整到7以上，制成研磨剂浆液。使该研磨剂浆液负载于CMP装置的研磨布上，然后对半导体基板上形成的Cu等金属层和/或阻挡层等进行研磨。
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