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公开(公告)号：CN1193408C
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN00818052.0
申请日：2000-11-02
Applicant: 清美化学股份有限公司
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 本发明提供了在半导体器件制造的CMP工艺中，能抑制金属层过度氧化、对金属层和/或阻挡层等进行研磨、且能根据不同用途调节研磨速度的研磨剂及研磨方法。使含有抛光磨料和肽的研磨剂与氧化剂一起悬浮于水系介质中，将pH调整到7以上，制成研磨剂浆液。使该研磨剂浆液负载于CMP装置的研磨布上，然后对半导体基板上形成的Cu等金属层和/或阻挡层等进行研磨。
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公开(公告)号：CN1209291C
公开(公告)日：2005-07-06
申请号：CN01810352.9
申请日：2001-05-30
Applicant: 清美化学股份有限公司
CPC classification number: H01M4/485 , C01G23/005 , C01G33/006 , C01G45/1228 , C01G51/50 , C01G53/50 , C01P2002/54 , C01P2004/51 , C01P2004/61 , C01P2006/14 , C01P2006/16 , C01P2006/40 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M2004/021
Abstract: 本发明提供了具有较大的体积容量密度、可靠的安全性、优良的均匀涂敷性、良好的充放电循环耐久性、优良的低温特性的适合作为锂二次电池用正极活性物质的锂过渡金属复合氧化物。该氧化物以通式LixM1-yNyO2表示，式中，M为过渡金属，N为M以外的过渡金属元素或碱土金属元素，0.2≤x≤1.2，0≤y≤0.7，累计体积粒度分布曲线中，累计体积分率为20%和80%时曲线的斜度分别在9%/μm以下、3%/μm以上，且平均粒径在3～20μm的范围内。
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公开(公告)号：CN1415114A
公开(公告)日：2003-04-30
申请号：CN00818052.0
申请日：2000-11-02
Applicant: 清美化学股份有限公司
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 本发明提供了在半导体器件制造的CMP工艺中，能抑制金属层过度氧化、对金属层和/或阻挡层等进行研磨、且能根据不同用途调节研磨速度的研磨剂及研磨方法。使含有抛光磨料和肽的研磨剂与氧化剂一起悬浮于水系介质中，将pH调整到7以上，制成研磨剂浆液。使该研磨剂浆液负载于CMP装置的研磨布上，然后对半导体基板上形成的Cu等金属层和/或阻挡层等进行研磨。
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公开(公告)号：CN1431972A
公开(公告)日：2003-07-23
申请号：CN01810352.9
申请日：2001-05-30
Applicant: 清美化学股份有限公司
CPC classification number: H01M4/485 , C01G23/005 , C01G33/006 , C01G45/1228 , C01G51/50 , C01G53/50 , C01P2002/54 , C01P2004/51 , C01P2004/61 , C01P2006/14 , C01P2006/16 , C01P2006/40 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M2004/021
Abstract: 本发明提供了具有较大的体积容量密度、可靠的安全性、优良的均匀涂敷性、良好的充放电循环耐久性、优良的低温特性的适合作为锂二次电池用正极活性物质的锂过渡金属复合氧化物。该氧化物以通式LixM1－yNyO2表示，式中，M为过渡金属，N为M以外的过渡金属元素或碱土金属元素，0.2≤x≤1.2，0≤y≤0.7，累计体积粒度分布曲线中，累计体积分率为20％和80％时曲线的斜度分别在9％/μm以下、3％/μm以上，且平均粒径在3～20μm的范围内。
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