-
公开(公告)号：CN101230250A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200710307391.1
申请日：2003-09-05
Applicant: 旭硝子株式会社 , 清美化学股份有限公司
IPC: C09K3/14 , H01L21/3105
Abstract: 本发明涉及一种绝缘膜研磨剂组合物及半导体集成电路的制造方法。为了对应用于半导体集成电路的、由具有C－Si键及Si－O键的有机硅材料形成的绝缘膜的表面进行研磨，采用包含水、以及选自La(OH)3、Nd(OH)3、Pr(OH)3、CeLa2O3F3和氧化铈以外的稀土类氧化物的1种以上的特定稀土类化合物的粒子的研磨剂组合物或其中还含有氧化铈粒子的研磨剂组合物。这样可形成无或较少产生裂缝、擦痕及膜剥离等缺陷的高品质的研磨表面。
-
公开(公告)号：CN1679145A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN03821131.9
申请日：2003-09-05
Applicant: 旭硝子株式会社 , 清美化学股份有限公司
IPC: H01L21/304
CPC classification number: C09K3/1409 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/31053
Abstract: 为了对应用于半导体集成电路的、由具有C－Si键及Si－O键的有机硅材料形成的绝缘膜的表面进行研磨，采用包含水以及选自稀土类氢氧化物、稀土类氟化物、稀土类氟氧化物、氧化铈以外的稀土类氧化物及它们的复合化合物的1种或1种以上的特定稀土类化合物的粒子的研磨剂组合物或其中还含有氧化铈粒子的研磨剂组合物。这样可形成无或较少产生裂缝、擦痕及膜剥离等缺陷的高品质的研磨表面。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100468647C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200580006988.1
申请日：2005-03-07
Applicant: 旭硝子株式会社 , 清美化学股份有限公司
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明提供在半导体集成电路装置的制造中研磨被研磨面中，具有高研磨速度、可抑制凹陷或磨蚀的产生的研磨剂。它是使在用于研磨半导体集成电路装置的被研磨面的化学、机械研磨用研磨剂中含有(A)氧化物微粒、(B)普鲁兰多糖以及(C)水。还可以含有(D)氧化剂以及(E)式(1)所示的化合物，其中，R为氢原子、碳原子数为1～4的烷基、碳原子数为1～4的烷氧基或者羧基。
-
公开(公告)号：CN100370587C
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN03821131.9
申请日：2003-09-05
Applicant: 旭硝子株式会社 , 清美化学股份有限公司
IPC: H01L21/304
CPC classification number: C09K3/1409 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/31053
Abstract: 为了对应用于半导体集成电路的、由具有C-Si键及Si-O键的有机硅材料形成的绝缘膜的表面进行研磨，采用包含水以及选自稀土类氢氧化物、稀土类氟化物、稀土类氟氧化物、氧化铈以外的稀土类氧化物及它们的复合化合物的1种或1种以上的特定稀土类化合物的粒子的研磨剂组合物或其中还含有氧化铈粒子的研磨剂组合物。这样可形成无或较少产生裂缝、擦痕及膜剥离等缺陷的高品质的研磨表面。
-
公开(公告)号：CN1930664A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200580006988.1
申请日：2005-03-07
Applicant: 旭硝子株式会社 , 清美化学股份有限公司
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明提供在半导体集成电路装置的制造中研磨被研磨面中，具有高研磨速度、可抑制凹陷或磨蚀的产生的研磨剂。它是使在用于研磨半导体集成电路装置的被研磨面的化学、机械研磨用研磨剂中含有(A)氧化物微粒、(B)普鲁兰多糖以及(C)水。还可以含有(D)氧化剂以及(E)式(1)所示的化合物，其中，R为氢原子、碳原子数为1～4的烷基、碳原子数为1～4的烷氧基或者羧基。
-
公开(公告)号：CN1415114A
公开(公告)日：2003-04-30
申请号：CN00818052.0
申请日：2000-11-02
Applicant: 清美化学股份有限公司
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 本发明提供了在半导体器件制造的CMP工艺中，能抑制金属层过度氧化、对金属层和/或阻挡层等进行研磨、且能根据不同用途调节研磨速度的研磨剂及研磨方法。使含有抛光磨料和肽的研磨剂与氧化剂一起悬浮于水系介质中，将pH调整到7以上，制成研磨剂浆液。使该研磨剂浆液负载于CMP装置的研磨布上，然后对半导体基板上形成的Cu等金属层和/或阻挡层等进行研磨。
-
公开(公告)号：CN1193408C
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN00818052.0
申请日：2000-11-02
Applicant: 清美化学股份有限公司
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 本发明提供了在半导体器件制造的CMP工艺中，能抑制金属层过度氧化、对金属层和/或阻挡层等进行研磨、且能根据不同用途调节研磨速度的研磨剂及研磨方法。使含有抛光磨料和肽的研磨剂与氧化剂一起悬浮于水系介质中，将pH调整到7以上，制成研磨剂浆液。使该研磨剂浆液负载于CMP装置的研磨布上，然后对半导体基板上形成的Cu等金属层和/或阻挡层等进行研磨。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.029 seconds)
