公开(公告)号：CN1157426A

公开(公告)日：1997-08-20

申请号：CN96114150.6

申请日：1996-12-27

Applicant: 清华大学

Inventor： 王培清 ,  卢建平 ,  洪啸吟 ,  陈永麒

IPC: G03F7/00

Abstract: 一种无显影气相光刻胶，属于光刻技术领域。本发明光刻胶由成膜物质，光敏剂、具有光敏性的刻蚀促进剂和溶剂组成，所说的成膜物质为可紫外光固化的光敏树脂如肉桂酸酯类树脂、丙烯酸类树脂。所说的光敏剂可用5-硝基苊，安息香二甲醚、二苯酮等；光敏性刻蚀促进剂为带有叔胺基的光敏化合物如N，N二甲胺基甲基丙烯酸乙酯，2-甲基-1-(对甲硫苯基)-2-吗啉丙酮，2-苄基-2-二甲氨基-1-(对吗啉苯基)丁酮-1；所说的溶剂为能溶解上述物质的有机溶剂如环己酮，N，N-二甲胺基甲酰胺，乙酸乙二醇乙醚，上述各组分的配比为∶成膜物质∶光敏剂∶光敏性刻蚀促进剂∶溶剂为(8-9)∶(0.7-1.0)∶(0.3-1.0)∶90。采用本发明光刻胶可达到刻蚀深度1600nm，曝光量可减少至400mJ/cm2。

公开(公告)号：CN1214468A

公开(公告)日：1999-04-21

申请号：CN98117966.5

申请日：1998-09-11

Applicant: 清华大学

Inventor： 段生权 ,  王培清 ,  张斌 ,  王小兵 ,  陈永麒 ,  洪啸吟

IPC: G03F7/00

Abstract: 本发明涉及一种酸性无显影气相光刻胶刻蚀氮化硅的工艺,无显影气相光刻胶由成膜物质、增感剂、光敏产酸物、溶剂组成。各组分的配比为∶成膜物质∶增感剂∶光敏产酸物∶溶剂为(8－9)∶(0.5－1.0)∶(0.8－1.0)∶90。用上述光刻胶刻蚀氮化硅的工艺流程为硅片上涂光刻胶,烘干,掩膜曝光,再用稀释氢氟酸气体腐蚀,洗去硅片表面的光刻胶,即得正性光刻图形。

公开(公告)号：CN1172351A

公开(公告)日：1998-02-04

申请号：CN97112472.8

申请日：1997-06-13

Applicant: 清华大学

Inventor： 张清纯 ,  张斌 ,  陈永麒 ,  王晓彬

IPC: H01L29/868

Abstract: 本发明属于半导体二极管设计领域。本发明(SIOD)包括阳极区、基区、阴极区以及金属薄膜构成的二个电极。阳极区由P区及多个均匀分布在该P区中的呈圆形的P+区,基区为N区,阴极区由多个条状的N+区,两相邻N+区之间形成窄条状的肖特基区组成。本发明具有更佳反向快速软恢复特性,这种结构的二极管具有更佳的特性参数配合,不但具有较小的反向恢复时间,而且大大改善二极管软度因子。

公开(公告)号：CN1044651C

公开(公告)日：1999-08-11

申请号：CN97112473.6

申请日：1997-06-13

Applicant: 清华大学

Inventor： 张清纯 ,  张斌 ,  陈永麒 ,  王均平

IPC: H01L29/88

Abstract: 本发明属于半导体二极管设计领域。本发明(SPBD)包括阳极区、基区、阴极区以及金属层形成两电极。阳极区由P区和均匀分布在P区中的呈圆形的P+区。基区为N区。阴极区由N+区为镶嵌于N基区与N+区欧姆接触层处的N区内的多个凸包形悬浮电位的P+区构成。这种结构的二极管具有优良的反向恢复特性，特别在软度的改善上更加显著。

公开(公告)号：CN1214469A

公开(公告)日：1999-04-21

申请号：CN98117969.X

申请日：1998-09-11

Applicant: 清华大学

Inventor： 段生权 ,  王培清 ,  张斌 ,  王小兵 ,  陈永麒 ,  洪啸吟

IPC: G03F7/00

Abstract: 本发明涉及一种适用碱性无显影气相光刻胶及其刻蚀氮化硅的工艺,无显影光刻胶由成膜物质、增感剂、有机碱、溶剂组成,各组分的配比为∶成膜物质∶增感剂∶有机碱∶溶剂为(8－9)∶(0.5－1.0)∶(0.8－1.0)∶90。采用上述光刻胶刻蚀氮化硅的工艺是首先在表面沉积有氮化硅的样品上涂上光刻胶,烘干,掩膜曝光,然后用稀释氢氟酸对其进行腐蚀,最后洗去样品表面的光刻胶,即得正性光刻图形。

公开(公告)号：CN1173046A

公开(公告)日：1998-02-11

申请号：CN97112473.6

申请日：1997-06-13

Applicant: 清华大学

Inventor： 张清纯 ,  张斌 ,  陈永麒 ,  王均平

IPC: H01L29/88

Abstract: 本发明属于半导体二极管设计领域。本发明(SPBD)包括阳极区、基区、阴极区以及金属层形成两电极。阳极区由P区和均匀分布在P区中的呈圆形的P+区。基区为N区。阴极区由N+区及镶嵌于N基区与N+区欧姆接触层处的N区内的多个凸包形悬浮电位的P+区构成。这种结构的二极管具有优良的反向恢复特性,特别在软度的改善上更加显著。

公开(公告)号：CN1074840C

公开(公告)日：2001-11-14

申请号：CN98117966.5

申请日：1998-09-11

Applicant: 清华大学

Inventor： 段生权 ,  王培清 ,  张斌 ,  王小兵 ,  陈永麒 ,  洪啸吟

IPC: G03F7/029 ,  H01L21/308

Abstract: 本发明涉及一种酸性无显影气相光刻胶刻蚀氮化硅的方法，无显影气相光刻胶由成膜物质、增感剂、光敏产酸物、溶剂组成。各组分的配比为：成膜物质：增感剂：光敏产酸物：溶剂为(8-9)∶(0.5-1.0)∶(0.8-1.0)∶90。用上述光刻胶刻蚀氮化硅的工艺流程为硅片上涂光刻胶，烘干，掩膜曝光，再用稀释氢氟酸气体腐蚀，洗去硅片表面的光刻胶，即得正性光刻图形。

公开(公告)号：CN1065971C

公开(公告)日：2001-05-16

申请号：CN96114150.6

申请日：1996-12-27

Applicant: 清华大学

Inventor： 王培清 ,  卢建平 ,  洪啸吟 ,  陈永麒

IPC: G03F7/038

Abstract: 一种无显影气相光刻胶，属于光刻技术领域。本发明光刻胶由成膜物质，光敏剂、具有光敏性的刻蚀促进剂和溶剂组成，所说的成膜物质为可紫外光固化的光敏树脂如肉桂酸酯类树脂。所说的光敏剂可用5-硝基苊；光敏性刻蚀促进剂为带有叔胺基的光敏化合物如N，N-二甲胺基甲基丙烯酸乙酯，2-甲基-1-(对甲硫苯基)-2-吗啉丙酮，2-苄基-2-二甲氨基-1-(对吗啉苯基)丁酮-1；所说的溶剂为能溶解上述物质的有机溶剂如环己酮，N，N-二甲胺基甲酰胺，乙酸乙二醇乙醚，上述各组分的配比为：成膜物质∶光敏剂∶光敏性刻蚀促进剂∶溶剂为(8-9)∶(0.7-1.0)∶(0.3-1.0)∶90。采用本发明光刻胶可达到刻蚀深度1600nm，曝光量可减少至400mJ/cm2。

公开(公告)号：CN1044650C

公开(公告)日：1999-08-11

申请号：CN97112472.8

申请日：1997-06-13

Applicant: 清华大学

Inventor： 张清纯 ,  张斌 ,  陈永麒 ,  王晓彬

IPC: H01L29/868 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明属于半导体二极管设计领域。本发明(SIOD)包括阳极区、基区、阴极区以及金属薄膜构成的二个电极。阳极区由P区及多个均匀分布在该P区中的呈圆形的P+区，基区为N区，阴极区由多个条状的N+区，两相邻N+区之间形成窄条状的肖特基区组成。本发明具有更佳反向快速软恢复特性，这种结构的二极管具有更佳的特性参数配合，不但具有较小的反向恢复时间，而且大大改善二极管软度因子。

公开(公告)号：CN1157475A

公开(公告)日：1997-08-20

申请号：CN96114151.4

申请日：1996-12-27

Applicant: 清华大学

Inventor： 洪啸吟 ,  卢建平 ,  王培清 ,  陈永麒

IPC: H01L21/00

Abstract: 一种无显影气相光刻胶，属于光刻技术领域。本发明光刻胶由成膜物质，增感剂、光敏产酸物、溶剂组成。所说的成膜物质为可紫外光固化的光敏树脂如肉桂酸酯类树脂、丙烯酸类树脂。所说的增感剂可用吩噻嗪、N-苯基吩塞嗪、二苯甲酮、蒽、安息香二甲醚、噻吨酮、1-羟基环己基苯基酮。所说的光敏产酸物为二芳基碘盐、三芳基硫盐。所说的溶剂为能溶解上述物质的有机溶剂如环己酮，N，N-二甲胺基甲酰胺，乙酸乙二醇乙醚，上述各组分的配比为：成膜物质∶增感剂∶光敏产酸物∶溶剂为(8-9)∶(0.7-1.0)∶(0.3-1.0)∶90。采用本发明光刻胶可达到刻蚀深度1600nm，曝光量可减少至500mJ/cm2。