公开(公告)号：CN1172351A

公开(公告)日：1998-02-04

申请号：CN97112472.8

申请日：1997-06-13

Applicant: 清华大学

Inventor： 张清纯 ,  张斌 ,  陈永麒 ,  王晓彬

IPC: H01L29/868

Abstract: 本发明属于半导体二极管设计领域。本发明(SIOD)包括阳极区、基区、阴极区以及金属薄膜构成的二个电极。阳极区由P区及多个均匀分布在该P区中的呈圆形的P+区,基区为N区,阴极区由多个条状的N+区,两相邻N+区之间形成窄条状的肖特基区组成。本发明具有更佳反向快速软恢复特性,这种结构的二极管具有更佳的特性参数配合,不但具有较小的反向恢复时间,而且大大改善二极管软度因子。

公开(公告)号：CN1044650C

公开(公告)日：1999-08-11

申请号：CN97112472.8

申请日：1997-06-13

Applicant: 清华大学

Inventor： 张清纯 ,  张斌 ,  陈永麒 ,  王晓彬

IPC: H01L29/868 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明属于半导体二极管设计领域。本发明(SIOD)包括阳极区、基区、阴极区以及金属薄膜构成的二个电极。阳极区由P区及多个均匀分布在该P区中的呈圆形的P+区，基区为N区，阴极区由多个条状的N+区，两相邻N+区之间形成窄条状的肖特基区组成。本发明具有更佳反向快速软恢复特性，这种结构的二极管具有更佳的特性参数配合，不但具有较小的反向恢复时间，而且大大改善二极管软度因子。

公开(公告)号：CN1044651C

公开(公告)日：1999-08-11

申请号：CN97112473.6

申请日：1997-06-13

Applicant: 清华大学

Inventor： 张清纯 ,  张斌 ,  陈永麒 ,  王均平

IPC: H01L29/88

Abstract: 本发明属于半导体二极管设计领域。本发明(SPBD)包括阳极区、基区、阴极区以及金属层形成两电极。阳极区由P区和均匀分布在P区中的呈圆形的P+区。基区为N区。阴极区由N+区为镶嵌于N基区与N+区欧姆接触层处的N区内的多个凸包形悬浮电位的P+区构成。这种结构的二极管具有优良的反向恢复特性，特别在软度的改善上更加显著。

公开(公告)号：CN1173046A

公开(公告)日：1998-02-11

申请号：CN97112473.6

申请日：1997-06-13

Applicant: 清华大学

Inventor： 张清纯 ,  张斌 ,  陈永麒 ,  王均平

IPC: H01L29/88

Abstract: 本发明属于半导体二极管设计领域。本发明(SPBD)包括阳极区、基区、阴极区以及金属层形成两电极。阳极区由P区和均匀分布在P区中的呈圆形的P+区。基区为N区。阴极区由N+区及镶嵌于N基区与N+区欧姆接触层处的N区内的多个凸包形悬浮电位的P+区构成。这种结构的二极管具有优良的反向恢复特性,特别在软度的改善上更加显著。