公开(公告)号：CN1214468A

公开(公告)日：1999-04-21

申请号：CN98117966.5

申请日：1998-09-11

Applicant: 清华大学

Inventor： 段生权 ,  王培清 ,  张斌 ,  王小兵 ,  陈永麒 ,  洪啸吟

IPC: G03F7/00

Abstract: 本发明涉及一种酸性无显影气相光刻胶刻蚀氮化硅的工艺,无显影气相光刻胶由成膜物质、增感剂、光敏产酸物、溶剂组成。各组分的配比为∶成膜物质∶增感剂∶光敏产酸物∶溶剂为(8－9)∶(0.5－1.0)∶(0.8－1.0)∶90。用上述光刻胶刻蚀氮化硅的工艺流程为硅片上涂光刻胶,烘干,掩膜曝光,再用稀释氢氟酸气体腐蚀,洗去硅片表面的光刻胶,即得正性光刻图形。

公开(公告)号：CN1074840C

公开(公告)日：2001-11-14

申请号：CN98117966.5

申请日：1998-09-11

Applicant: 清华大学

Inventor： 段生权 ,  王培清 ,  张斌 ,  王小兵 ,  陈永麒 ,  洪啸吟

IPC: G03F7/029 ,  H01L21/308

Abstract: 本发明涉及一种酸性无显影气相光刻胶刻蚀氮化硅的方法，无显影气相光刻胶由成膜物质、增感剂、光敏产酸物、溶剂组成。各组分的配比为：成膜物质：增感剂：光敏产酸物：溶剂为(8-9)∶(0.5-1.0)∶(0.8-1.0)∶90。用上述光刻胶刻蚀氮化硅的工艺流程为硅片上涂光刻胶，烘干，掩膜曝光，再用稀释氢氟酸气体腐蚀，洗去硅片表面的光刻胶，即得正性光刻图形。

公开(公告)号：CN1214469A

公开(公告)日：1999-04-21

申请号：CN98117969.X

申请日：1998-09-11

Applicant: 清华大学

Inventor： 段生权 ,  王培清 ,  张斌 ,  王小兵 ,  陈永麒 ,  洪啸吟

IPC: G03F7/00

Abstract: 本发明涉及一种适用碱性无显影气相光刻胶及其刻蚀氮化硅的工艺,无显影光刻胶由成膜物质、增感剂、有机碱、溶剂组成,各组分的配比为∶成膜物质∶增感剂∶有机碱∶溶剂为(8－9)∶(0.5－1.0)∶(0.8－1.0)∶90。采用上述光刻胶刻蚀氮化硅的工艺是首先在表面沉积有氮化硅的样品上涂上光刻胶,烘干,掩膜曝光,然后用稀释氢氟酸对其进行腐蚀,最后洗去样品表面的光刻胶,即得正性光刻图形。