具有扩散缓冲层的高压快速软恢复二极管的制造方法

    公开(公告)号:CN102820225A

    公开(公告)日:2012-12-12

    申请号:CN201210285197.9

    申请日:2012-08-10

    Abstract: 本发明公开了属于半导体器件范围的一种具有扩散型缓冲层的高压快速软恢复二极管的制造方法。扩散缓冲层快恢复二极管采用两次扩散方法制作缓冲层,在PN结和电极制备之前,首先采用一次磷扩散,在硅片两面生成低浓度和深结深的磷扩散区,其后在二次磷扩散和硼铝扩散过程中,一次磷扩散的结深继续推进,最终一次磷扩散比二次磷扩散的结深深出20μm左右,一次磷扩散前沿浓度小于1×1015/cm-3区域的深度不少于15μm;采用无缺陷区熔硅单晶和扩散型缓冲层,可以大幅提高快速软恢复二极管的电压和电流水平。

    编码集成系统和方法与解码集成系统和方法

    公开(公告)号:CN101141644B

    公开(公告)日:2010-12-08

    申请号:CN200710175993.6

    申请日:2007-10-17

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开了一种编码集成系统和方法与解码集成系统和方法,属于多媒体信号处理和信源编码领域。编码集成系统包括接收模块、提取模块、分类模块、子编码器、控制模块、合并模块和封装及传输模块;解码集成系统包括接收及解封装模块、解析模块、分配模块、子解码器、控制模块和缓存输出模块。编码集成方法包括:从多媒体信号中提取相关性信息并得到一路主信号;对主信号或多媒体信号进行分类;子编码器对主信号进行编码后与各种参数合并、封装后传输。解码集成方法包括:接收码流数据,解封装和解析后解码得到主信号,输出主信号或处理后的主信号。本发明能充分发挥各种个性化多媒体编码器的优势,满足主观感觉特性及不同信道需求。

    酸性无显影气相光刻胶及其刻蚀氮化硅的工艺

    公开(公告)号:CN1214468A

    公开(公告)日:1999-04-21

    申请号:CN98117966.5

    申请日:1998-09-11

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明涉及一种酸性无显影气相光刻胶刻蚀氮化硅的工艺,无显影气相光刻胶由成膜物质、增感剂、光敏产酸物、溶剂组成。各组分的配比为∶成膜物质∶增感剂∶光敏产酸物∶溶剂为(8-9)∶(0.5-1.0)∶(0.8-1.0)∶90。用上述光刻胶刻蚀氮化硅的工艺流程为硅片上涂光刻胶,烘干,掩膜曝光,再用稀释氢氟酸气体腐蚀,洗去硅片表面的光刻胶,即得正性光刻图形。

    大功率快速软恢复二极管SIOD管芯结构

    公开(公告)号:CN1172351A

    公开(公告)日:1998-02-04

    申请号:CN97112472.8

    申请日:1997-06-13

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明属于半导体二极管设计领域。本发明(SIOD)包括阳极区、基区、阴极区以及金属薄膜构成的二个电极。阳极区由P区及多个均匀分布在该P区中的呈圆形的P+区,基区为N区,阴极区由多个条状的N+区,两相邻N+区之间形成窄条状的肖特基区组成。本发明具有更佳反向快速软恢复特性,这种结构的二极管具有更佳的特性参数配合,不但具有较小的反向恢复时间,而且大大改善二极管软度因子。

    事件发现方法和装置
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110399478A

    公开(公告)日:2019-11-01

    申请号:CN201810354364.8

    申请日:2018-04-19

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明实施例提供事件发现方法和装置。其中,方法包括:根据全部词类,获取当前时间段的每一新闻文档的表示向量;根据聚类算法,对当前时间段的新闻文档的表示向量进行聚类,将属于同一聚类的表示向量所对应的新闻文档构成报道同一事件的新闻文档集合;对于每一事件,若根据该事件与全部已确定的事件之间的第一相似度,获知该事件与任一已确定的事件相同,则将报道该事件的新闻文档集合,与报道该已确定的事件的新闻文档集合进行合并。装置包括:文档表示模块、事件获取模块和事件合并模块。本发明实施例提供的事件发现方法和装置,有效降低了文档表示的维度,并缓解了语义稀疏问题,能提高事件发现的效率和准确性。

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