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公开(公告)号：CN119652261A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411617192.0
申请日：2024-11-13
Applicant: 清华大学 , 北京电子控股有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种基于声表面波振荡器的传感系统，包括：两个谐振器、两个振荡电路、温度控制器、流体管道、混频器、放大功能比较器及分频器；所述温度控制器、谐振器及振荡电路设置在所述流体管道上，两个所述谐振器分别位于所述温度控制器的上下两侧，两个所述振荡电路分别位于两个所述谐振器的上下两侧；所述温度控制器通过所述流体管道将热量分别传递至上下两侧的谐振器，所述谐振器分别根据温度变化调整谐振频率并分别输出不同频率至相邻的振荡电路，两个所述振荡电路分别连接所述混频器，所述混频器输出差频信号至放大功能比较器，所述的放大功能比较器将方波信号输出至所述分频器。
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公开(公告)号：CN104716913B
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201510160857.4
申请日：2015-04-07
Applicant: 清华大学
IPC: H03F3/20
Abstract: 本发明公开种负载调制功率放大器,主要针对现有技术中功率放大器实现最佳性能的条件较苛刻的问题。该负载调制功率放大器包括依次串联连接的功率分配电路、功放电路、负载预匹配电路和负载电阻R;其中所述负载预匹配电路用于将R转换成调制阻抗,在低功率输入时负载调制效应将调制阻抗转换为Z,在高功率输入时负载调制效应将调制阻抗转换为2Z,其中ZR+jX。本发明通过负载预匹配电路在负载调制阻抗中引入了虚部X,使得在计算使功率放大器达到最佳性能的条件时加入了含有R以及X的自由变量,从而弱化了负载调制功率放大器实现最佳性能的条件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119290095A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411617175.7
申请日：2024-11-13
Applicant: 清华大学 , 北京电子控股有限责任公司
Abstract: 本申请提供一种热式气体流量传感器、流量测量方法及系统，涉及声表面波应用领域，包括：气体通路直管、加热元件、绝热元件及声表面波谐振器；其中，气体通路直管用于传输被测气体；气体通路直管直径的设置须满足气体流动状态为层流的约束条件；绝热元件敷贴于气体通路直管的外下壁，包括绝热外壳及两块绝热材料；绝热材料被绝热外壳包裹在内；加热元件敷贴于气体通路直管的外下壁，并被两块绝热材料夹持；声表面波谐振器敷贴于气体通路直管的外壁，用于感测被测气体在气体通路直管中传输时上下游的频率变化，以检测气体通路直管中气体流量的变化。本申请能够以高性能声表面波谐振器为测量元件，在低气体流量下对气体的流量进行快速、准确测量。
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公开(公告)号：CN105891628B
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201610193008.3
申请日：2016-03-30
Applicant: 清华大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明提出了一种通用四端口在片高频去嵌入方法。所述方法包括针对每个去嵌入陪测结构建立考虑了各去嵌入陪测结构高频特性分布本质的模型；并利用所述模型通过计算或者仿真得到所述N个去嵌入陪测结构的本征Y参数导纳矩阵；将去嵌入所需要剥离的寄生参量四端口网络的相关导纳矩阵元素以及所述计算或者仿真所基于的模型的模型参数作为未知数求解所述去嵌入陪测结构的相关测试以及计算或者仿真数据所满足的方程组。本发明充分考虑了实际所需去嵌入陪测结构的非理想本质，对于必需的去嵌入陪测结构不再像现有技术那样做集总化理想假设，可以说继承并进一步发扬了通用四端口高频去嵌入现有技术的普适通用性优点。
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公开(公告)号：CN119290090A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411617191.6
申请日：2024-11-13
Applicant: 清华大学 , 北京电子控股有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种基于SAW振荡器的流体流量检测的无线传感系统，包括：一谐振器、一振荡电路、加热与温度传感模块、稳温器、流体管道、混频器、放大器、信号发生器及比较器；振荡电路、谐振器、稳温器及加热与温度传感模块依次顺序设置在流体管道上；稳温器通过流体管道将热量传递至谐振器，谐振器根据温度变化调整谐振频率并将调整后的谐振频率输出至振荡电路，振荡电路连接放大器，放大器将振荡电路输出的振荡频率放大后传输至混频器，信号发生器输出正弦波信号至混频器，混频器将差频信号输出至比较器。利用本申请，提高了中频信号随流体流量变化的线性区间，增加了系统测试的使用寿命及零漂稳定性。
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公开(公告)号：CN105891628A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610193008.3
申请日：2016-03-30
Applicant: 清华大学
IPC: G01R31/00
CPC classification number: G01R31/00
Abstract: 本发明提出了一种通用四端口在片高频去嵌入方法。所述方法包括针对每个去嵌入陪测结构建立考虑了各去嵌入陪测结构高频特性分布本质的模型；并利用所述模型通过计算或者仿真得到所述N个去嵌入陪测结构的本征Y参数导纳矩阵；将去嵌入所需要剥离的寄生参量四端口网络的相关导纳矩阵元素以及所述计算或者仿真所基于的模型的模型参数作为未知数求解所述去嵌入陪测结构的相关测试以及计算或者仿真数据所满足的方程组。本发明充分考虑了实际所需去嵌入陪测结构的非理想本质，对于必需的去嵌入陪测结构不再像现有技术那样做集总化理想假设，可以说继承并进一步发扬了通用四端口高频去嵌入现有技术的普适通用性优点。
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公开(公告)号：CN104716913A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201510160857.4
申请日：2015-04-07
Applicant: 清华大学
IPC: H03F3/20
Abstract: 本发明公开一种负载调制功率放大器，主要针对现有技术中功率放大器实现最佳性能的条件较苛刻的问题。该负载调制功率放大器包括依次串联连接的功率分配电路、功放电路、负载预匹配电路和负载电阻RL0；其中所述负载预匹配电路用于将RL0转换成调制阻抗，在低功率输入时负载调制效应将调制阻抗转换为Z1T，在高功率输入时负载调制效应将调制阻抗转换为2Z1T，其中Z1T＝RL+jXL。本发明通过负载预匹配电路在负载调制阻抗中引入了虚部XL，使得在计算使功率放大器达到最佳性能的条件时加入了含有RL以及XL的自由变量，从而弱化了负载调制功率放大器实现最佳性能的条件。
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