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公开(公告)号：CN119421630A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411437360.8
申请日：2024-10-15
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明属于光电材料与器件技术领域，具体涉及一种钙钛矿光吸收层薄膜、钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用。本发明的钙钛矿太阳能电池，其包括依次设置的透明导电氧化物基底、电子传输层、钙钛矿光吸收层、空穴传输层和金属背电极；其中，所述钙钛矿光吸收层薄膜，包含硼氮杂稠环化合物和有机‑无机杂化钙钛矿材料。本发明所述的硼氮杂稠环化合物材料结构简单，具有多样性、易拓展性和普适性；并且掺杂了硼氮杂稠环化合物的钙钛矿光电器件，不仅减少了钙钛矿薄膜的缺陷数量，使得薄膜表面均匀，还提高了钙钛矿太阳能电池的光电转化效率和稳定性。
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公开(公告)号：CN115537736A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211212850.9
申请日：2022-09-30
Applicant: 清华大学
IPC: C23C14/24 , C23C14/06 , C23C14/18 , C23C14/12 , C23C14/58 , C23C14/26 , H01L51/42 , H01L51/46 , H01L51/48
Abstract: 本发明属于钙钛矿技术领域，具体涉及一种无甲胺组分钙钛矿薄膜的制备方法及其应用。本发明提供的一种无甲胺组分钙钛矿薄膜的制备方法，采用蒸镀多元混合熔融盐制备前驱体薄膜，有效解决了传统多源共蒸铅盐薄膜工艺难以监控蒸镀速率，实验重复性差，实验复杂度高等诸多问题，更适用于工业化生产。将该无甲胺钙钛矿薄膜用在光电器件中，可以获得更高的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN115260027B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202210737117.2
申请日：2022-06-27
Applicant: 清华大学
IPC: C07C55/10 , C07C55/08 , C07C55/12 , C07C55/14 , C07C63/28 , C07C51/41 , C07C211/04 , C07C211/03 , C07C211/27 , C07C209/00 , H10K30/00 , H10K71/12 , H10K71/40
Abstract: 本发明属于钙钛矿光电器件技术领域，具体涉及一种应力缓释剂及其制备方法和应用。一种应力缓释剂，其分子结构为：本发明的应力缓释剂可以应用于柔性钙钛矿光电器件中，应力缓释剂的加入能使钙钛矿薄膜晶界处的结合力增强，使钙钛矿薄膜的微观应力得到缓释，从而提升柔性钙钛矿光电器件的光电性能和耐弯曲性能，延长柔性钙钛矿光电器件的使用寿命，并扩宽其实际应用的范围。
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公开(公告)号：CN114181127A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111340919.1
申请日：2021-11-12
Applicant: 清华大学
IPC: C07C323/38 , C07C319/20 , C07C319/14 , C07C323/09 , C07D311/96 , H01L51/42 , H01L51/46
Abstract: 本发明公开了一种含硫芴类二苯胺、巯基芴芳胺及其制备方法，含硫芴类二苯胺的制备方法，包括：a、将卤代芴与R1‑S‑S‑R1在惰性氛围下进行巯基化反应，得到巯基取代芴；b、将制得的巯基取代芴与R3‑NH2在惰性氛围下进行Buchwald‑Hartwig偶联反应，得到含硫芴类二苯胺。本发明还公开了巯基芴芳胺的制备方法，将支链基团供体含硫芴类二苯胺与核心基团供体进行Buchwald‑Hartwig偶联反应，制得巯基芴芳胺，其中，核心基团选自芴类基团、联苯类基团或含杂原子的芳香环类基团中的至少一种。本发明制得的巯基芴芳胺能够用作空穴传输材料，有效提升了电压和填充因子，从而提高了钙钛矿电池的转化效率。
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公开(公告)号：CN115385842A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211013717.0
申请日：2022-08-23
Applicant: 清华大学
IPC: C07D207/335 , C07D207/34 , C07D401/04 , C07D409/04 , C07D417/04 , H01L51/46 , H01L51/42
Abstract: 本发明公开了一种含三芳香胺取代基的吡咯衍生物及其制备方法和应用，其中含三芳香胺取代基的吡咯衍生物，结构通式如式(Ⅰ)所示：其中，X1、X2、X3、X4各自独立地为苯基、噻吩基、呋喃基或萘基；R1、R2、R3、R4各自独立地为氢、甲基、甲氧基、乙氧基、三氟甲基、叔丁基、硫甲基、氟中的一种或多种；E为C1‑C8烷基、苯基、取代苯基、吡啶基、吡咯基、噻吩基、噻唑基或萘基。本发明所述含三芳香胺取代基的吡咯衍生物，可作为空穴传输材料用于钙钛矿太阳能电池等钙钛矿光电器件，使钙钛矿光电器件更为稳定，且具有良好的光电转化效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113991026A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111161357.4
申请日：2021-09-30
Applicant: 清华大学
Abstract: 本申请提出一种基于卤代苯烷基胺分子的钙钛矿光电器件界面修饰方法，通过在钙钛矿太阳能电池中的钙钛矿吸光层与空穴传输层之间引入基于卤代苯乙胺分子的界面修饰层之后，由于界面缺陷被有效的钝化，缺陷态诱导的非辐射复合被削弱，辐射复合增强，因此钙钛矿太阳能电池器件的开路电压和光电转换效率显著提升，同时器件稳定性也有显著的提升。
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公开(公告)号：CN113488594A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110768194.X
申请日：2021-07-05
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种复合薄膜电极及其在钙钛矿光电器件中的应用。所述复合薄膜电极包括依次复合的透明导电氧化物层和低成本金属层，透明导电氧化物层的材质为氧化铟锡、掺杂氟的氧化锡、掺钨氧化铟、氧化铟锌、掺杂铝的氧化锌和氧化锌锡中任一种及其组合，低成本金属层的材质为铜、铝、镍、锌、锡、铁和银中任一种及其合金和组合。本发明提供了基于低成本金属和透明导电氧化物的复合薄膜电极，并将其成功应用于以钙钛矿太阳能电池为代表的钙钛矿光电器件中，在实现钙钛矿光电器件较高光电转换效率基础上，大幅提高了钙钛矿光电器件的综合稳定性。
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公开(公告)号：CN114242897A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111350060.2
申请日：2021-11-15
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿光电器件的封装方法，包括：采用磁控溅射方法将封装材料溅射在所述钙钛矿光电器件的导电电极层上，形成封装层。其中，所述封装材料为包括但不限于氧化铝、氧化硅或聚四氟乙烯；所述封装层的厚度为1‑1000nm。本发明的封装方法，能够应用于以钙钛矿太阳能电池为代表的金属卤化物钙钛矿光电器件中，在实现钙钛矿光电器件较高光电转换效率的基础上，对钙钛矿器件进行封装，隔绝了钙钛矿器件与氧气和水的接触，保持了封装结构的气密性和稳定性，大幅提高了钙钛矿光电器件的使用寿命和稳定性。
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公开(公告)号：CN115385842B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202211013717.0
申请日：2022-08-23
Applicant: 清华大学
IPC: C07D207/335 , C07D207/34 , C07D401/04 , C07D409/04 , C07D417/04 , H10K30/10 , H10K30/86 , H10K85/60 , H10K30/50
Abstract: 本发明公开了一种含三芳香胺取代基的吡咯衍生物及其制备方法和应用，其中含三芳香胺取代基的吡咯衍生物，结构通式如式(Ⅰ)所示：#imgabs0#其中，X1、X2、X3、X4各自独立地为苯基、噻吩基、呋喃基或萘基；R1、R2、R3、R4各自独立地为氢、甲基、甲氧基、乙氧基、三氟甲基、叔丁基、硫甲基、氟中的一种或多种；E为C1‑C8烷基、苯基、取代苯基、吡啶基、吡咯基、噻吩基、噻唑基或萘基。本发明所述含三芳香胺取代基的吡咯衍生物，可作为空穴传输材料用于钙钛矿太阳能电池等钙钛矿光电器件，使钙钛矿光电器件更为稳定，且具有良好的光电转化效率。
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公开(公告)号：CN115260027A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210737117.2
申请日：2022-06-27
Applicant: 清华大学
IPC: C07C55/10 , C07C55/08 , C07C55/12 , C07C55/14 , C07C63/28 , C07C51/41 , C07C211/04 , C07C211/03 , C07C211/27 , C07C209/00 , H01L51/42 , H01L51/48
Abstract: 本发明属于钙钛矿光电器件技术领域，具体涉及一种应力缓释剂及其制备方法和应用。一种应力缓释剂，其分子结构为：本发明的应力缓释剂可以应用于柔性钙钛矿光电器件中，应力缓释剂的加入能使钙钛矿薄膜晶界处的结合力增强，使钙钛矿薄膜的微观应力得到缓释，从而提升柔性钙钛矿光电器件的光电性能和耐弯曲性能，延长柔性钙钛矿光电器件的使用寿命，并扩宽其实际应用的范围。
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