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公开(公告)号：CN115385842A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211013717.0
申请日：2022-08-23
Applicant: 清华大学
IPC: C07D207/335 , C07D207/34 , C07D401/04 , C07D409/04 , C07D417/04 , H01L51/46 , H01L51/42
Abstract: 本发明公开了一种含三芳香胺取代基的吡咯衍生物及其制备方法和应用，其中含三芳香胺取代基的吡咯衍生物，结构通式如式(Ⅰ)所示：其中，X1、X2、X3、X4各自独立地为苯基、噻吩基、呋喃基或萘基；R1、R2、R3、R4各自独立地为氢、甲基、甲氧基、乙氧基、三氟甲基、叔丁基、硫甲基、氟中的一种或多种；E为C1‑C8烷基、苯基、取代苯基、吡啶基、吡咯基、噻吩基、噻唑基或萘基。本发明所述含三芳香胺取代基的吡咯衍生物，可作为空穴传输材料用于钙钛矿太阳能电池等钙钛矿光电器件，使钙钛矿光电器件更为稳定，且具有良好的光电转化效率。
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公开(公告)号：CN115537736A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211212850.9
申请日：2022-09-30
Applicant: 清华大学
IPC: C23C14/24 , C23C14/06 , C23C14/18 , C23C14/12 , C23C14/58 , C23C14/26 , H01L51/42 , H01L51/46 , H01L51/48
Abstract: 本发明属于钙钛矿技术领域，具体涉及一种无甲胺组分钙钛矿薄膜的制备方法及其应用。本发明提供的一种无甲胺组分钙钛矿薄膜的制备方法，采用蒸镀多元混合熔融盐制备前驱体薄膜，有效解决了传统多源共蒸铅盐薄膜工艺难以监控蒸镀速率，实验重复性差，实验复杂度高等诸多问题，更适用于工业化生产。将该无甲胺钙钛矿薄膜用在光电器件中，可以获得更高的光电转换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115260027B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202210737117.2
申请日：2022-06-27
Applicant: 清华大学
IPC: C07C55/10 , C07C55/08 , C07C55/12 , C07C55/14 , C07C63/28 , C07C51/41 , C07C211/04 , C07C211/03 , C07C211/27 , C07C209/00 , H10K30/00 , H10K71/12 , H10K71/40
Abstract: 本发明属于钙钛矿光电器件技术领域，具体涉及一种应力缓释剂及其制备方法和应用。一种应力缓释剂，其分子结构为：本发明的应力缓释剂可以应用于柔性钙钛矿光电器件中，应力缓释剂的加入能使钙钛矿薄膜晶界处的结合力增强，使钙钛矿薄膜的微观应力得到缓释，从而提升柔性钙钛矿光电器件的光电性能和耐弯曲性能，延长柔性钙钛矿光电器件的使用寿命，并扩宽其实际应用的范围。
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公开(公告)号：CN116096112A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211667574.5
申请日：2022-12-23
Applicant: 国能生物发电集团有限公司 , 清华大学
Abstract: 本发明涉及钙钛矿光电技术，具体涉及使用含氟磺酸盐界面修饰剂的钙钛矿光电器件及制备方法。钙钛矿光电器件包括钙钛矿吸光层和层叠在所述钙钛矿吸光层上的界面修饰层；所述界面修饰层由氟代苯磺酸盐制成。通过氟代苯磺酸盐对钙钛矿光电器件的界面进行处理，可对钙钛矿光电器件中界面处的缺陷态进行有效钝化，从而提升器件的光电性能，实现高效率、高稳定性的钙钛矿光电器件。
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公开(公告)号：CN115385842B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202211013717.0
申请日：2022-08-23
Applicant: 清华大学
IPC: C07D207/335 , C07D207/34 , C07D401/04 , C07D409/04 , C07D417/04 , H10K30/10 , H10K30/86 , H10K85/60 , H10K30/50
Abstract: 本发明公开了一种含三芳香胺取代基的吡咯衍生物及其制备方法和应用，其中含三芳香胺取代基的吡咯衍生物，结构通式如式(Ⅰ)所示：#imgabs0#其中，X1、X2、X3、X4各自独立地为苯基、噻吩基、呋喃基或萘基；R1、R2、R3、R4各自独立地为氢、甲基、甲氧基、乙氧基、三氟甲基、叔丁基、硫甲基、氟中的一种或多种；E为C1‑C8烷基、苯基、取代苯基、吡啶基、吡咯基、噻吩基、噻唑基或萘基。本发明所述含三芳香胺取代基的吡咯衍生物，可作为空穴传输材料用于钙钛矿太阳能电池等钙钛矿光电器件，使钙钛矿光电器件更为稳定，且具有良好的光电转化效率。
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公开(公告)号：CN115260027A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210737117.2
申请日：2022-06-27
Applicant: 清华大学
IPC: C07C55/10 , C07C55/08 , C07C55/12 , C07C55/14 , C07C63/28 , C07C51/41 , C07C211/04 , C07C211/03 , C07C211/27 , C07C209/00 , H01L51/42 , H01L51/48
Abstract: 本发明属于钙钛矿光电器件技术领域，具体涉及一种应力缓释剂及其制备方法和应用。一种应力缓释剂，其分子结构为：本发明的应力缓释剂可以应用于柔性钙钛矿光电器件中，应力缓释剂的加入能使钙钛矿薄膜晶界处的结合力增强，使钙钛矿薄膜的微观应力得到缓释，从而提升柔性钙钛矿光电器件的光电性能和耐弯曲性能，延长柔性钙钛矿光电器件的使用寿命，并扩宽其实际应用的范围。
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公开(公告)号：CN114242901A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111358123.9
申请日：2021-11-16
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿薄膜、制备方法及应用，包括以下步骤：将M粉末和碘化铅粉末分别放入加热舟中，将衬底和加热舟放到真空镀膜机中并抽真空，加热舟放置在衬底下方，电加热加热舟使M粉末和碘化铅粉末挥发以得到铅源薄膜；将衬底转移至另一腔体，在铅源薄膜上沉积一层胺盐；退火得到钙钛矿薄膜。本发明采用真空蒸镀不同的铅源获得高平整度、高均匀性的的铅源薄膜；采用两步法制备钙钛矿薄膜，有效解决了传统的两步溶液旋涂法难以制备大面积钙钛矿薄膜的难题，在制备过程中不使用有机溶剂，避免了有机溶剂对钙钛矿薄膜下面的功能层产生破坏作用以及对环境的不利影响，得到的钙钛矿薄膜可以应用到光电器件的制备。
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