含硫芴类二苯胺、巯基芴芳胺及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN114181127A

    公开(公告)日:2022-03-15

    申请号:CN202111340919.1

    申请日:2021-11-12

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开了一种含硫芴类二苯胺、巯基芴芳胺及其制备方法,含硫芴类二苯胺的制备方法,包括:a、将卤代芴与R1‑S‑S‑R1在惰性氛围下进行巯基化反应,得到巯基取代芴;b、将制得的巯基取代芴与R3‑NH2在惰性氛围下进行Buchwald‑Hartwig偶联反应,得到含硫芴类二苯胺。本发明还公开了巯基芴芳胺的制备方法,将支链基团供体含硫芴类二苯胺与核心基团供体进行Buchwald‑Hartwig偶联反应,制得巯基芴芳胺,其中,核心基团选自芴类基团、联苯类基团或含杂原子的芳香环类基团中的至少一种。本发明制得的巯基芴芳胺能够用作空穴传输材料,有效提升了电压和填充因子,从而提高了钙钛矿电池的转化效率。

    一种钙钛矿光电器件的封装的方法

    公开(公告)号:CN114242897A

    公开(公告)日:2022-03-25

    申请号:CN202111350060.2

    申请日:2021-11-15

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿光电器件的封装方法,包括:采用磁控溅射方法将封装材料溅射在所述钙钛矿光电器件的导电电极层上,形成封装层。其中,所述封装材料为包括但不限于氧化铝、氧化硅或聚四氟乙烯;所述封装层的厚度为1‑1000nm。本发明的封装方法,能够应用于以钙钛矿太阳能电池为代表的金属卤化物钙钛矿光电器件中,在实现钙钛矿光电器件较高光电转换效率的基础上,对钙钛矿器件进行封装,隔绝了钙钛矿器件与氧气和水的接触,保持了封装结构的气密性和稳定性,大幅提高了钙钛矿光电器件的使用寿命和稳定性。

    一种钙钛矿薄膜、制备方法及应用

    公开(公告)号:CN114242901A

    公开(公告)日:2022-03-25

    申请号:CN202111358123.9

    申请日:2021-11-16

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿薄膜、制备方法及应用,包括以下步骤:将M粉末和碘化铅粉末分别放入加热舟中,将衬底和加热舟放到真空镀膜机中并抽真空,加热舟放置在衬底下方,电加热加热舟使M粉末和碘化铅粉末挥发以得到铅源薄膜;将衬底转移至另一腔体,在铅源薄膜上沉积一层胺盐;退火得到钙钛矿薄膜。本发明采用真空蒸镀不同的铅源获得高平整度、高均匀性的的铅源薄膜;采用两步法制备钙钛矿薄膜,有效解决了传统的两步溶液旋涂法难以制备大面积钙钛矿薄膜的难题,在制备过程中不使用有机溶剂,避免了有机溶剂对钙钛矿薄膜下面的功能层产生破坏作用以及对环境的不利影响,得到的钙钛矿薄膜可以应用到光电器件的制备。

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