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公开(公告)号：CN114910836B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202110183921.6
申请日：2021-02-10
IPC: G01R33/28 , G01R33/36 , G01R33/38 , G01R33/422
Abstract: 本申请涉及一种磁场增强组件及磁场增强器件。所述磁场增强组件包括第一电介质层、第一电极层、第二电极层、第三电极层、第四电极层和第七控制电路。第一电极层和第二电极层设置于第一电介质层的第一表面。第三电极层和第四电极层设置于第一电介质层的第二表面。第一电极层与第三电极层构成第二结构电容。第二电极层与第四电极层构成第三结构电容。第七控制电路连接于第一电极层和第二电极层之间，且包括第三电容、第一电感和第一开关电路。第一电感和第一开关电路串联后的电路与所述第三电容并联。第一开关电路在射频发射阶段断开，使磁场增强组件所在回路与检测部位谐振，增加磁场。第一开关电路在射频发射阶段导通，不能增强磁场。
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公开(公告)号：CN114910845B
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202110183925.4
申请日：2021-02-10
Abstract: 本申请涉及一种磁场增强组件以及磁场增强器件。所述磁场增强组件包括第一电介质层、第一电极层、第二电极层以及第四控制电路。所述第一电介质层具有第一表面。所述第一电介质层具有相对设置的第一端与第二端。所述第一电极层设置于所述第一表面，且靠近所述第二端设置。所述第二电极层设置于所述第一表面，并与所述第一电极层间隔设置，且靠近所述第一端设置。所述第四控制电路的一端与所述第二电极层远离所述第一端的一端连接。所述第四控制电路的另一端与所述第一电极层远离所述第二端的一端连接。所述第四控制电路用于控制所述第一电极层与所述第二电极层在射频发射阶段断开，且在射频接收阶段连接。
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公开(公告)号：CN114910839B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202110183916.5
申请日：2021-02-10
Abstract: 本发明涉及一种双核磁场增强装置及磁共振系统。第一筒形支架具有第一外表面与第一内表面。第一外表面环绕第一内表面，并且与第一内表面间隔相对设置，第一内表面包围形成第一容纳空间。第一磁场增强组件的延伸方向与第一筒形支架的第一中心轴线的延伸方向相同，并环绕第一中心轴线间隔设置于第一外表面。第一环形导电片和第二环形导电片分别设置于第一筒形支架相对的两端，并环绕第一中心轴线设置，第一环形导电片的两端的连接处具有第一相位调控缺口，第二环形导电片的两端的连接处具有第二相位调控缺口。每个第一磁场增强组件的两端分别与第一环形导电片和第二环形导电片连接。第二筒形磁场增强器设置于第一容纳空间内。
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公开(公告)号：CN114910850B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202110183943.2
申请日：2021-02-10
Abstract: 本申请涉及一种双核MRI的图像增强超构表面器件，具体为双核磁场增强装置及磁共振系统，所述双核磁场增强装置包括第一筒形磁场增强器与第二筒形磁场增强器。所述第一筒形磁场增强器包围形成第一容纳空间。所述第一筒形磁场增强器用于增强检测部位的氢质子核的核磁信号。所述第二筒形磁场增强器设置于所述第一容纳空间内，用于增强所述检测部位的非氢质子核的核磁信号。所述第二筒形磁场增强器包围形成第二容纳空间，用于容纳检测部位。所述双核磁场增强装置实现了对氢质子核和非氢质子核的双核MRI两个信号场的同时增强。相对传统技术，所述双核磁场增强装置可以具有更高的磁场增强效果。在应用于MRI设备成像时，所述双核磁场增强装置可以辅助MRI设备获得更高质量的图像。
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公开(公告)号：CN117444229A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311288737.3
申请日：2023-10-08
Applicant: 清华大学
IPC: B22F10/10 , B24B1/00 , B22F10/38 , B22F1/10 , B22F10/85 , B22F12/00 , B33Y10/00 , B33Y50/02 , B33Y30/00 , B82Y40/00 , B33Y70/10
Abstract: 本公开提供的一种摩擦增材制造方法和装置，所述方法包括：使打印端头与待加工试样之间产生摩擦接触，在向打印端头与待加工试样之间的摩擦接触区注入润滑液的过程中，通过控制润滑液中基础液的挥发，提高打印端头与待加工试样之间接触区的润滑液中微纳米颗粒的浓度。所述装置包括：固定有打印端头的加载单元、润滑液注入单元、驱动单元和基础液挥发控制单元。本公开利用摩擦/负磨损的方法，在试样上制备了微纳米线。通过控制基础液挥发的方式，提高接触区的微纳米颗粒的局部浓度，促进由于摩擦导致的摩擦物质转移膜或者摩擦化学反应膜的形成，从而提高微纳米线的制备效率，且制备的结构精度可达亚微米甚至纳米量级。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114910846A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202110183929.2
申请日：2021-02-10
Abstract: 本申请涉及一种相位可控MRI图像增强超构表面器件，具体为一种磁场增强器件。筒形支撑结构包围形成一个检测空间。筒形支撑结构具有两个间隔相对的第三端和第四端。多个磁场增强组件间隔设置于筒形支撑结构，并沿着第三端向第四端延伸。第一环形导电片设置于筒形支撑结构，并靠近第三端。第一环形导电片具有一个第五开口。第五开口至少部分位于两个相邻的磁场增强组件之间。第一环形导电片与多个磁场增强组件位于第三端的部分电连接。第二环形导电片设置于筒形支撑结构，并靠近第四端。第二环形导电片具有一个第六开口。第六开口至少部分位于两个相邻的磁场增强组件之间。通过调整所述第五开口和所述第六开口的位置控制所述感应场的相位，达到对检测部位精确检测的目的。
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公开(公告)号：CN114910841A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202110183919.9
申请日：2021-02-10
Abstract: 本申请涉及一种磁场增强组件和磁场增强器件，所述第三开关控制电路用于在射频发射阶段导通，在射频接收阶段断开。在射频发射阶段，所述磁场增强组件所在回路的谐振频率偏离磁共振系统工作频率较远，因此通过设置合适的所述第五外接电容和所述第四外接电容，能够保证在磁共振系统的射频发射阶段，有无所述磁场增强组件时磁场强度相同。此时受测区域保持原来的磁场强度，能够有效降低磁场增强对人体的不良影响。
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公开(公告)号：CN114910839A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202110183916.5
申请日：2021-02-10
Abstract: 本发明涉及一种双核磁场增强装置及磁共振系统。第一筒形支架具有第一外表面与第一内表面。第一外表面环绕第一内表面，并且与第一内表面间隔相对设置，第一内表面包围形成第一容纳空间。第一磁场增强组件的延伸方向与第一筒形支架的第一中心轴线的延伸方向相同，并环绕第一中心轴线间隔设置于第一外表面。第一环形导电片和第二环形导电片分别设置于第一筒形支架相对的两端，并环绕第一中心轴线设置，第一环形导电片的两端的连接处具有第一相位调控缺口，第二环形导电片的两端的连接处具有第二相位调控缺口。每个第一磁场增强组件的两端分别与第一环形导电片和第二环形导电片连接。第二筒形磁场增强器设置于第一容纳空间内。
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公开(公告)号：CN114910838A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202110183910.8
申请日：2021-02-10
Abstract: 本申请涉及一种磁场增强组件以及磁场增强器件。第一电极层设置于第一表面，靠近第二端设置。第二电极层设置于第一表面，并与第一电极层间隔设置，且靠近第一端设置。第三电极层设置于第二表面，并靠近第二端设置，第三电极层在第一电介质层的正投影和第一电极层在第一电介质层的正投影部分重合，形成第二结构电容。第四电极层设置于第二表面，并与第三电极层间隔设置，且靠近第一端设置，第四电极层在第一电介质层的正投影和第二电极层在第一电介质层的正投影部分重合，形成第三结构电容。第三谐振电路的一端与第二电极层远离第一端的一端电连接，第三谐振电路的另一端与第一电极层远离第二端的一端电连接。
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公开(公告)号：CN112936670A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110116291.0
申请日：2021-01-28
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种喇叭状可控粘附结构及其的使用方法、制备方法，其中，喇叭状可控粘附结构具有弹性且整体结构尺寸为亚毫米到厘米尺度，包括柱体支撑部和喇叭状粘附部；喇叭状粘附部的外形呈圆台形，喇叭状粘附部具有相对的连接端和末端，喇叭状粘附部的连接端与柱体支撑部的一端端部固定，喇叭状粘附部的末端端面为内凹球面。本发明的喇叭状可控粘附结构能够方便快速地对亚毫米到厘米尺度的不同形状的三维物体进行抓取、转移或释放，结构简单、可重复使用、操作控制方便且适用范围大。
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