公开(公告)号：CN113745123B

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202010461418.8

申请日：2020-05-27

Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院)

Inventor： 何进 ,  何箫梦 ,  魏益群 ,  李春来 ,  胡国庆

IPC: H01L21/66 ,  G06F30/337

Abstract: 本发明涉及一种硅基GaN HEMT晶体管栅电流参数提取方法，包括以下步骤：测试出GaN HEMT场效应晶体管的栅电流特性曲线；将硅基GaN HEMT器件测试得出的栅电流特性曲线与两个对数差分函数分别相减，得到截距以及两个不同斜率因子；将硅基GaN HEMT器件测试得出的栅电流特性曲线与任意一个对数差分函数相减，得到具有极值的差分函数谱曲线；在任意差分函数谱曲线上，获取二个极值点的栅电流极值；将获得的二个栅电流极值代入提取公式，可以提取得到一次栅电流的关键参数值；将两个对数差分函数谱提取的栅电流的关键参数值求平均值，得到栅电流关键参数值，这种方法简单、适用性强、误差小，能抑制小尺寸引起的器件短沟效应和非本征效应。

公开(公告)号：CN111653618B

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202010378923.6

申请日：2020-05-07

Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院)

Inventor： 何进 ,  何箫梦 ,  李春来 ,  胡国庆 ,  魏益群

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明涉及内置PN结硅基高压增强型氮化镓晶体管及其制造工艺。通过内置PN结结构调节电场分布的方式，可以提高EJ‑高电子迁移率晶体管晶体管器件的击穿电压。内置PN结用于改善栅极和漏极之间的器件内部电场分布，从而实现更高的击穿电压。结构参数优化的EJ‑高电子迁移率晶体管晶体管，当栅漏距离为15μm时可达到2050V的击穿电压性能，这归因于栅极和漏极之间器件内部电场分布的改善。优化的该类EJ‑高电子迁移率晶体管结构晶体管，导通电阻为15.37Ωmm，功率半导体器件基础品质因数为2.734GWcm‑2。与没有内置PN结的晶体管相比，新器件EJ‑高电子迁移率晶体管将击穿电压提高了32.54％，功率半导体器件基础品质因数提高了71.3％,而两者的导通电阻相差不大。

公开(公告)号：CN111707870A

公开(公告)日：2020-09-25

申请号：CN202010585876.2

申请日：2020-06-24

Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院) ,  北京大学深圳研究院

Inventor： 何进 ,  何燕冬 ,  魏益群 ,  李春来 ,  胡国庆 ,  何箫梦

IPC: G01R27/02 ,  G01R31/26

Abstract: 本发明涉及一种提取GaN HEMT晶体管动态串联电阻的方法，在直流和脉冲测试条件下，通过提出的方法，可以在不同的偏置和电压-电流条件下直接提取GaN HEMT晶体管动态串联栅源电阻RS和栅漏串联电阻RD及其变化，从而理解和分析GaN HEMT器件大电流情形导致的电流崩塌效应，热效应和沟道表面损伤产生的栅源-栅漏表面态特征，这些参数和信息有助优化GaN HEMT的器件及电路设计和改善工作条件。

公开(公告)号：CN113745123A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202010461418.8

申请日：2020-05-27

Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院)

Inventor： 何进 ,  何箫梦 ,  魏益群 ,  李春来 ,  胡国庆

IPC: H01L21/66 ,  G06F30/337

Abstract: 本发明涉及一种硅基GaN HEMT晶体管栅电流参数提取方法，包括以下步骤：测试出GaN HEMT场效应晶体管的栅电流特性曲线；将硅基GaN HEMT器件测试得出的栅电流特性曲线与两个对数差分函数分别相减，得到截距以及两个不同斜率因子；将硅基GaN HEMT器件测试得出的栅电流特性曲线与任意一个对数差分函数相减，得到具有极值的差分函数谱曲线；在任意差分函数谱曲线上，获取二个极值点的栅电流极值；将获得的二个栅电流极值代入提取公式，可以提取得到一次栅电流的关键参数值；将两个对数差分函数谱提取的栅电流的关键参数值求平均值，得到栅电流关键参数值，这种方法简单、适用性强、误差小，能抑制小尺寸引起的器件短沟效应和非本征效应。

公开(公告)号：CN111653618A

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：CN202010378923.6

申请日：2020-05-07

Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院)

Inventor： 何进 ,  何箫梦 ,  李春来 ,  胡国庆 ,  魏益群

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明涉及内置PN结硅基高压增强型氮化镓晶体管及其制造工艺。通过内置PN结结构调节电场分布的方式，可以提高EJ-高电子迁移率晶体管晶体管器件的击穿电压。内置PN结用于改善栅极和漏极之间的器件内部电场分布，从而实现更高的击穿电压。结构参数优化的EJ-高电子迁移率晶体管晶体管，当栅漏距离为15μm时可达到2050V的击穿电压性能，这归因于栅极和漏极之间器件内部电场分布的改善。优化的该类EJ-高电子迁移率晶体管结构晶体管，导通电阻为15.37Ωmm，功率半导体器件基础品质因数为2.734GWcm-2。与没有内置PN结的晶体管相比，新器件EJ-高电子迁移率晶体管将击穿电压提高了32.54％，功率半导体器件基础品质因数提高了71.3％,而两者的导通电阻相差不大。