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公开(公告)号：CN119922814A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510106588.7
申请日：2025-01-23
Applicant: 深圳未名少年芯科技有限公司 , 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院)
Abstract: 本发明公开了一种FPGA开发板电路及烧录方法，FPGA开发板电路包括有微处理器电路、存储器芯片和CPLD芯片，所述微处理器电路包括有具有主控芯片的主控芯片电源电路、工作指示电路、时钟电路、晶振电路、复位电路、Type‑c接口电路和JTAG接口电路。本发明可以通过用一根USB‑Type‑C数据线将开发板与电脑相连接，电脑可以将开发板识别成U盘格式，从而可以将打包好的代码文件通过拖拽的方式直接完成烧录，降低FPGA对于青少年的入门门槛，能够满足普遍开发者的一般需求，而且新型烧录方式可以说是极大程度上的简化了烧录程序，在基本开发流程不变的情况下，极大地减少了开发者的工作量，降低了入门门槛。
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公开(公告)号：CN113721444B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202111042505.0
申请日：2021-09-06
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院)
IPC: G04F5/14
Abstract: 本发明公开了一种积分球量子自旋压缩态冷原子微波钟装置和方法，涉及冷原子频标技术领域，本发明装置由内向外包括中心部分，中心部分为冷原子物理部分，外部为所需的光电部分和微波部分，其中冷原子物理由内到外包括冷原子团、光晶格、微波腔、真空系统和平凸光学谐振腔；所需的光电部分包括冷却光、再抽运光和抽运光、囚禁光、腔频探测光、滤光片、腔频探测器；本发明方法首次原创性地提出积分球量子自旋压缩态冷原子微波钟的实现方案，交叉融合了自旋压缩态技术、积分球冷原子钟技术和光晶格囚禁技术，突破传统方案中标准量子噪声极限对频率稳定度限制的技术瓶颈和解决传统方案相干时间短的问题，显著提高积分球冷原子钟的频率稳定度。
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公开(公告)号：CN111653618A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN202010378923.6
申请日：2020-05-07
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院)
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及内置PN结硅基高压增强型氮化镓晶体管及其制造工艺。通过内置PN结结构调节电场分布的方式，可以提高EJ-高电子迁移率晶体管晶体管器件的击穿电压。内置PN结用于改善栅极和漏极之间的器件内部电场分布，从而实现更高的击穿电压。结构参数优化的EJ-高电子迁移率晶体管晶体管，当栅漏距离为15μm时可达到2050V的击穿电压性能，这归因于栅极和漏极之间器件内部电场分布的改善。优化的该类EJ-高电子迁移率晶体管结构晶体管，导通电阻为15.37Ωmm，功率半导体器件基础品质因数为2.734GWcm-2。与没有内置PN结的晶体管相比，新器件EJ-高电子迁移率晶体管将击穿电压提高了32.54％，功率半导体器件基础品质因数提高了71.3％,而两者的导通电阻相差不大。
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公开(公告)号：CN110190508A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910446995.7
申请日：2019-05-27
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院)
IPC: H01S5/068
Abstract: 本发明涉及为了解决法拉第原子滤光器小型化问题，特公开本发明：一种小型化窄线宽半导体激光器，包括半导体激光发射头、准直透镜、小型化法拉第原子滤光器、外腔镜和电路控制单元；其中，半导体激光发射头、小型化法拉第原子滤光器和外腔镜均与电路控制单元电连接；控制电路单元包括控制半导体激光发射头的电流，控制小型化法拉第原子滤光器的温度，控制外腔镜的位移量；半导体激光发射头用于发射激光。本发明以原子跃迁谱线为基准频率，并且同时使用电反馈和光反馈，激光输出频率稳定性高，在此基础上提出了小型化方案，此发明可以大为缩减激光器的体积，节约产生和使用成本，不仅易于使用，还能拓展更多的应用场合。
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公开(公告)号：CN110190508B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN201910446995.7
申请日：2019-05-27
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院)
IPC: H01S5/068
Abstract: 本发明涉及为了解决法拉第原子滤光器小型化问题，特公开本发明：一种小型化窄线宽半导体激光器，包括半导体激光发射头、准直透镜、小型化法拉第原子滤光器、外腔镜和电路控制单元；其中，半导体激光发射头、小型化法拉第原子滤光器和外腔镜均与电路控制单元电连接；控制电路单元包括控制半导体激光发射头的电流，控制小型化法拉第原子滤光器的温度，控制外腔镜的位移量；半导体激光发射头用于发射激光。本发明以原子跃迁谱线为基准频率，并且同时使用电反馈和光反馈，激光输出频率稳定性高，在此基础上提出了小型化方案，此发明可以大为缩减激光器的体积，节约产生和使用成本，不仅易于使用，还能拓展更多的应用场合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113745123A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202010461418.8
申请日：2020-05-27
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院)
IPC: H01L21/66 , G06F30/337
Abstract: 本发明涉及一种硅基GaN HEMT晶体管栅电流参数提取方法，包括以下步骤：测试出GaN HEMT场效应晶体管的栅电流特性曲线；将硅基GaN HEMT器件测试得出的栅电流特性曲线与两个对数差分函数分别相减，得到截距以及两个不同斜率因子；将硅基GaN HEMT器件测试得出的栅电流特性曲线与任意一个对数差分函数相减，得到具有极值的差分函数谱曲线；在任意差分函数谱曲线上，获取二个极值点的栅电流极值；将获得的二个栅电流极值代入提取公式，可以提取得到一次栅电流的关键参数值；将两个对数差分函数谱提取的栅电流的关键参数值求平均值，得到栅电流关键参数值，这种方法简单、适用性强、误差小，能抑制小尺寸引起的器件短沟效应和非本征效应。
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公开(公告)号：CN113720485A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202111039609.6
申请日：2021-09-06
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院)
IPC: G01J11/00
Abstract: 本发明公开了一种漫反射激光冷却冷原子弥散探测的装置和方法，涉及激光冷却技术领域。本发明包括冷原子团、注入光纤和圆柱形腔体，圆柱形腔体为空腔结构，冷原子团设置在圆柱形腔体内部，注入光纤放置在圆柱形腔体一侧，圆柱形腔体一侧设置有第一开口，注入光纤的位置与第一开口的位置相适应，注入光纤一端发散出若干弥散探测光。本发明利用弥散吸收探测技术，有效地增大了冷原子与探测光的相互作用区域，提高了可以被探测到的冷原子数目，实现了提高冷原子利用率的目标，不仅可增大冷原子与探测光的相互作用区域，并解决现有技术中所存在的冷原子利用率低等问题，而且装置结构简单、易实现，且材料和加工成本低。
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公开(公告)号：CN110221446A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910306991.9
申请日：2019-04-17
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院)
Abstract: 本发明涉及一种混合菲涅尔透镜干涉滤光片光学元件。光学元件集成菲涅尔透镜与超窄带干涉滤光片，菲涅尔透镜的前表面为齿纹面，后表面为平整面，以菲涅尔透镜的平整面作为基底，在基底上交替镀制具有滤光作用的薄膜组；薄膜组由高折射率材料和低折射率材料相间镀制而成；菲涅尔透镜起到光束准直作用，准直光束经所述多层高折射率材料-低折射率材料干涉滤光片薄膜组选频得到单波长光束；高折射率材料-低折射率材料选自ZnS-MgF2、TiO2-SiO2或Si-SiO2，TiO2-Nb2O5中的一种或其组合。
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公开(公告)号：CN114383739B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202210058065.6
申请日：2022-01-19
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院) , 北京大学深圳研究院
IPC: G01J9/00
Abstract: 本发明公开了一种高精度激光波长测量装置及方法，包括工作台，所述工作台顶部中心安装有原子气室，且工作台中心两侧安装有磁场系统，工作台顶部一侧固定连接有温控系统，且工作台顶部中心两侧对称安装有第一固定杆和第二固定杆，本发明引入原子气室作为法拉第原子滤光器来进行激光测量，通过调节的磁场的大小，改变原子在磁场的能级分裂值，从而改变原子跃迁频率，继而改变滤光器的滤过频率，即通过滤光器的频率可调，在知道特定条件下的滤光器的滤过频率的情况下，通过该滤光器的激光频率同样对比得出，有利于测量不同频率的激光，同时该种设备方法的测量精度高，波长精度可达0.001nm，并且本发明的设备简单，制造成本低。
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公开(公告)号：CN113745123B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202010461418.8
申请日：2020-05-27
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院)
IPC: H01L21/66 , G06F30/337
Abstract: 本发明涉及一种硅基GaN HEMT晶体管栅电流参数提取方法，包括以下步骤：测试出GaN HEMT场效应晶体管的栅电流特性曲线；将硅基GaN HEMT器件测试得出的栅电流特性曲线与两个对数差分函数分别相减，得到截距以及两个不同斜率因子；将硅基GaN HEMT器件测试得出的栅电流特性曲线与任意一个对数差分函数相减，得到具有极值的差分函数谱曲线；在任意差分函数谱曲线上，获取二个极值点的栅电流极值；将获得的二个栅电流极值代入提取公式，可以提取得到一次栅电流的关键参数值；将两个对数差分函数谱提取的栅电流的关键参数值求平均值，得到栅电流关键参数值，这种方法简单、适用性强、误差小，能抑制小尺寸引起的器件短沟效应和非本征效应。
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