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公开(公告)号：CN110793627A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911202243.2
申请日：2015-11-19
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 信号处理基板(10)具有多个信号处理电路(23)，该处理电路处理由红外线检测元件(1)的多个像素输出的信号。信号处理基板(10)具有：配置有红外线检测元件(1)的元件配置区域(17)、从与信号处理基板(10)正交方向看以围绕元件配置区域(17)的方式位于元件配置区域(17)的外侧的电路配置区域(19)。信号处理基板(10)具有层叠于与半导体基板(3)相对的面侧的多个绝缘层(13)。多个信号处理电路(23)以围绕元件配置区域(17)的方式配置于电路配置区域(19)。在信号处理基板(10)上，以位于至少有一层绝缘层(13)上并且位于元件配置区域(17)的方式，配置有热导电层(27)。热导电层(27)具有比绝缘层(13)的热传导率更高的热传导率。
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公开(公告)号：CN119325751A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202380044485.1
申请日：2023-02-15
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H10F30/20
Abstract: 一种半导体受光元件(1)，包括：基板(10)；半导体层叠部(20)，其在上述基板(10)上形成，具有上述基板(10)侧的背面(10b)、与上述基板(10)相反侧的表面(10a)和从上述背面(10b)向上述表面(10a)延伸的侧面(20s)，上述半导体层叠部(20)包含含有InxGa1‑xAs的第1导电类型的光吸收层(23)；设置在上述基板(10)与上述光吸收层(23)之间的上述第1导电类型的光波导层(21、22)和相对于上述光吸收层(23)位于与上述基板(10)相反侧并且与上述光吸收层(23)接合的与上述第1导电类型不同的第2导电类型的第1半导体层(24)，上述光吸收层(23)中的In组成x为0.55以上，上述光吸收层(23)的厚度为1.8μm以下，半导体受光元件(1)是从上述侧面(20s)接受上述光的入射的侧面入射型，从上述侧面(20s)入射的上述光经由上述光波导层(21、22)到达上述光吸收层(23)。
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公开(公告)号：CN119318223A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202380044410.3
申请日：2023-02-15
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H10F30/22
Abstract: 本发明的一种半导体受光元件(1)，其具备基板、和形成于上述基板上且包含上述基板侧的背面、上述基板的相反侧的表面、以及从上述背面朝向上述表面延伸的侧面(20s)的半导体层叠部(20)，上述半导体层叠部(20)包括包含InxGa1‑xAs的第一导电型的光吸收层(23)、设置于上述基板和上述光吸收层(23)之间的上述第一导电型的缓冲层、以及相对于上述光吸收层(23)位于上述基板的相反侧并且与上述光吸收层(23)接合的与上述第一导电型不同的第二导电型的第一半导体层(24、25)，上述光吸收层(23)中的In组成x为0.55以上，上述光吸收层(23)的厚度为1.8μm以下，上述半导体受光元件为从上述侧面(20s)接收上述光的入射的侧面入射型，沿着上述光相对于上述侧面(20s)的入射方向的上述光吸收层(23)的宽度为10μm以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116569344A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202180081005.X
申请日：2021-11-15
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/10
Abstract: 本发明的半导体受光元件(1)包括：基板(10)；半导体层叠部(20)，其形成在所述基板(10)的第1区域(RB)上；和第1电极(40)和第2电极(50)，它们与所述半导体层叠部(20)电连接，所述半导体层叠部(20)包含：第1导电型的光吸收层(24)，其包含InxGa1‑xAs；和与所述第1导电型不同的第2导电型的第2区域(27)，其相对于所述光吸收层(24)位于所述基板(10)的相反侧，并且与所述光吸收层(24)接合，所述第1电极(40)与所述半导体层叠部(20)中的、相对于所述光吸收层(24)位于所述基板(10)侧的所述第1导电型的第1部分(31)连接，所述第2电极(50)与所述半导体层叠部(20)中的、相对于所述光吸收层(24)位于所述基板(10)的相反侧的所述第2导电型的第2部分(27)连接，所述光吸收层(24)的In组成x为0.55以上，所述光吸收层(24)的厚度为1.8μm以下。
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公开(公告)号：CN107250738B
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201580076369.3
申请日：2015-11-19
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01J1/02 , H01L27/14 , H01L27/144 , H04N5/225
Abstract: 信号处理基板(10)具有多个信号处理电路(23)，该处理电路处理由红外线检测元件(1)的多个像素输出的信号。信号处理基板(10)具有：配置有红外线检测元件(1)的元件配置区域(17)、从与信号处理基板(10)正交方向看以围绕元件配置区域(17)的方式位于元件配置区域(17)的外侧的电路配置区域(19)。信号处理基板(10)具有层叠于与半导体基板(3)相对的面侧的多个绝缘层(13)。多个信号处理电路(23)以围绕元件配置区域(17)的方式配置于电路配置区域(19)。在信号处理基板(10)上，以位于至少有一层绝缘层(13)上并且位于元件配置区域(17)的方式，配置有热导电层(27)。热导电层(27)具有比绝缘层(13)的热传导率更高的热传导率。
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公开(公告)号：CN119318222A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202380044387.8
申请日：2023-02-15
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本发明的一种半导体受光元件(1)，其具备基板(10)、形成于上述基板(10)的第一区域(RB)上的半导体层叠部(20)、以及与上述半导体层叠部(20)电连接的第一电极(40)及第二电极(50)，上述半导体层叠部(20)包括包含InxGa1‑xAs的第一导电型的光吸收层(24)、设置于上述基板(10)和上述光吸收层(24)之间的上述第一导电型的缓冲层(30)、以及相对于上述光吸收层(24)位于上述基板(10)的相反侧并且与上述光吸收层(24)接合的与上述第一导电型不同的第二导电型的第二区域(27)，上述光吸收层(24)中的In组成x为0.55以上，上述光吸收层(24)的厚度为0.6μm以上且1.8μm以下，半导体受光元件(1)为从上述基板(10)侧朝向上述半导体层叠部(20)接受上述光的入射的背面入射型、或从上述基板的相反侧朝向上述半导体层叠部接受上述光的入射的表面入射型。
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公开(公告)号：CN119318221A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202380044320.4
申请日：2023-02-15
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H10F30/20
Abstract: 本发明的半导体受光元件(1)具备：基板(10)、形成于所述基板(10)上的半导体层叠部(20)、以及与所述半导体层叠部(20)电连接的第一电极(40)及第二电极(50)，所述半导体层叠部(20)具有：包含InGaAs且包含第一导电型的第一区域(24a)的光吸收层(24)、位于所述基板(10)和所述光吸收层(24)之间的第一半导体层(S1)、相对于所述光吸收层(24)位于所述基板(10)的相反侧的第二半导体层(S2)、以及由InP、InGaAsP、InAsP、及AlInGaAs中的任意构成并且位于所述第一半导体层(S1)及所述第二半导体层(S2)中的一个半导体层和所述光吸收层(24)之间的所述第一导电型的电容降低层(23)，所述电容降低层(23)的载流子浓度为5×1015cm‑3以下，且比所述光吸收层(24)的所述第一区域(24a)的载流子浓度高，所述电容降低层(23)的带隙大于所述光吸收层(24)的带隙。
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公开(公告)号：CN107250738A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201580076369.3
申请日：2015-11-19
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01J1/02 , H01L27/14 , H01L27/144 , H04N5/225
Abstract: 信号处理基板(10)具有多个信号处理电路(23)，该处理电路处理由红外线检测元件(1)的多个像素输出的信号。信号处理基板(10)具有：配置有红外线检测元件(1)的元件配置区域(17)、从与信号处理基板(10)正交方向看以围绕元件配置区域(17)的方式位于元件配置区域(17)的外侧的电路配置区域(19)。信号处理基板(10)具有层叠于与半导体基板(3)相对的面侧的多个绝缘层(13)。多个信号处理电路(23)以围绕元件配置区域(17)的方式配置于电路配置区域(19)。在信号处理基板(10)上，以位于至少有一层绝缘层(13)上并且位于元件配置区域(17)的方式，配置有热导电层(27)。热导电层(27)具有比绝缘层(13)的热传导率更高的热传导率。
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