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公开(公告)号：CN119519626A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411520674.4
申请日：2024-10-29
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明提供一种功率放大器、雷达系统以及信号放大方法，其中功率放大器包括：N个砷化镓放大模块、氮化镓放大模块以及电源管理模块；各砷化镓放大模块将射频输入信号的功率逐级放大并作为级间放大信号输出；氮化镓放大模块将级间放大信号的功率放大并作为射频输出信号输出；电源管理模块用于提供工作电压、栅极偏置电压、漏极控制电压。本发明内置了电源管理模块，不仅为不同的功率放大器进行供电以及上电顺序控制，并为氮化镓功率放大器提供负电保护及漏极调制的功能，进而保证了低损耗、高增益、高电源附加效率、稳定性强的功率放大器实现。
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公开(公告)号：CN118152783A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410557836.5
申请日：2024-05-08
Applicant: 浙江大学
IPC: G06F18/213
Abstract: 本发明提供一种Switch HEMT小信号模型、参数提取方法及存储介质，其中模型包括本征单元和寄生单元，所述本征单元包括漏源本征电阻Rds、漏源本征电容Cds和第一连接结构，所述漏源本征电阻Rds、漏源本征电容Cds和第一连接结构三者并联；所述第一连接结构包括串联连接的栅源本征电容Cgs和栅漏Cgd本征电容。基于本发明的Switch HEMT小信号模型可以提高Switch HEMT器件的小信号模型提取精度和提取效率。
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公开(公告)号：CN116544276A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310769754.2
申请日：2023-06-28
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/335
Abstract: 本发明提供一种调节式GaN器件及其制备方法，在确定了所述外延结构及制备工艺方案后，结合所述掩膜版可图形化所述P‑GaN层获得多个间隔设置的所述P‑GaN岛及位于所述P‑GaN岛之间的所述间隔通道，以提供双阈值GaN器件，从而通过对所述掩膜版的版图设计即可实现具有不同阈值电压、导通特性的GaN器件的制备，以便捷的满足芯片设计需求，免除重新定义外延结构、工艺等的成本与时间。
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公开(公告)号：CN116093570A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211523105.6
申请日：2022-11-30
Applicant: 浙江大学
IPC: H01P5/08
Abstract: 本发明提供一种共面波导90度圆弧拐角结构，采用非对称共面波导缝隙尺寸，通过增加金属信号线拐角外侧的共面波导缝隙尺寸，抵消弯曲段不连续处的寄生电容，使金属信号线弯曲半径不受3倍线宽限制，仅需与共面波导90度削角拐角结构相同的面积占用即可实现超宽带阻抗匹配；在金属信号线的外侧第二顶金属地层突变处引入过渡连接区，可进一步减弱拐角结构在弯曲段的不连续性，提升超宽带匹配性能；且该结构无需减小金属信号线弯曲段不连续处的金属面积，不会造成拐角结构过功率能力的恶化。
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公开(公告)号：CN111584347B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202010477741.4
申请日：2020-05-29
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明的GaN‑Si异质外延结构及制备方法，在Si基底中形成凹槽，并在凹槽底部形成局部SOI衬底，从而通过局部SOI衬底可吸收GaN层外延过程中产生的应力，降低AlxGa1‑xN过渡层的厚度，减少生长工艺时间，降低工艺成本，且提高导热性能，同时局部SOI埋氧层，可提高GaN器件的击穿电压，且可减少RF应用时的损耗及串扰；通过覆盖凹槽侧壁的绝缘侧墙，可有效隔离外延生长的GaN层，降低工艺难度；在Si基底的凹槽中，进行区域选择性外延生长GaN层，可降低工艺难度；从而本发明可在大尺寸的Si基底上异质外延均匀的、高质量的GaN层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111584628B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202010469012.4
申请日：2020-05-28
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/423 , H01L29/20
Abstract: 本发明提供一种增强型GaN HEMT器件及制备方法，该器件包括：依次层叠的半导体衬底层、AlGaN缓冲层、GaN沟道层、AlxGa1‑xN势垒层及AlyGa1‑yN势垒补充层；形成于AlxGa1‑xN势垒层上的栅电极，形成于AlyGa1‑yN势垒补充层上且分居于栅电极的两端的源电极及漏电极；栅电极包括形成于AlxGa1‑xN势垒层上的p‑GaN栅电极、包覆p‑GaN栅电极的高k介质层及环绕高k介质层上表面及两个侧面的金属栅电极，其中，0.2
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公开(公告)号：CN111415987B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010275014.X
申请日：2020-04-09
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/45
Abstract: 本发明提供一种结合二次外延及自对准工艺的氮化镓器件结构及制备方法，制备方法包括：提供半导体衬底，形成包括氮化镓层的外延结构，通过掩膜层保护，外延生长源极结构及漏极结构，形成栅极侧墙，形成栅极结构。本发明通过二次外延生长形成源极结构及漏极结构，可以有效降低欧姆接触电阻，在二次外延之前，通过多步离子刻蚀、氧化及酸溶剂数字刻蚀，平衡了刻蚀速率与刻蚀带来的材料损伤，在保证材料质量的同时，考虑了工艺成本。利用自对准技术，避免光刻过程中对准工艺带来的误差，精确定义了栅极尺寸。利用隔离侧墙厚度控制栅极尺寸，省去栅脚光刻步骤，简化工艺制程。本发明可在大尺寸晶圆上实现GaN材料的异质外延，节省了单位尺寸外延成本。
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公开(公告)号：CN111540674B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010659813.7
申请日：2020-07-10
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/28 , H01L21/335 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/778
Abstract: 本发明提供一种桥式GaN器件及其制备方法，制备包括：提供具有缓冲结构和外延结构的半导体基底，在外延结构上形成钝化层，制备源极电极和漏极电极，制备栅极沟槽，形成桥式栅极结构。本发明通过堆叠多个二维电子气通道来增加晶体管的功率密度；通过桥式栅极结构的设计，基于埋入外延结构中的栅极，通过经由横向栅极电场调制二维电子气的宽度来控制漏极电流，减轻了源自电子速度调制的跨导的滚降，降低了跨导的峰值，实现了跨导变化的平坦化，提高了器件的线性度；本发明基于悬空桥式栅极结构的设计，消除了表面的高电场区域，解决了由此造成的电流衰减、崩塌效应，接触顶栅的缺乏还消除了栅漏极端的垂直电场，大大抑制了反压电效应并提高了可靠性。
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公开(公告)号：CN111584628A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010469012.4
申请日：2020-05-28
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/423 , H01L29/20
Abstract: 本发明提供一种增强型GaN HEMT器件及制备方法，该器件包括：依次层叠的半导体衬底层、AlGaN缓冲层、GaN沟道层、AlxGa1-xN势垒层及AlyGa1-yN势垒补充层；形成于AlxGa1-xN势垒层上的栅电极，形成于AlyGa1-yN势垒补充层上且分居于栅电极的两端的源电极及漏电极；栅电极包括形成于AlxGa1-xN势垒层上的p-GaN栅电极、包覆p-GaN栅电极的高k介质层及环绕高k介质层上表面及两个侧面的金属栅电极，其中，0.2
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公开(公告)号：CN110655111A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201911065724.3
申请日：2019-11-04
Applicant: 浙江大学
IPC: C01G39/06 , C23C16/30 , C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/02
Abstract: 本发明公开了一种采用MOCVD设备制备硫化钼二维材料的方法，在Sapphire衬底上多步生长MoS2二维材料，包括：采用Sapphire作为衬底；将Sapphire衬底传送至MOCVD设备内；MOCVD腔内通入N2气体；升温到达恒温生长温度，腔内初始压强为90Torr；通入H2S作为硫气源；通入MO(CO)6作为钼气源，形核；分步降低腔内压强，促使形核晶粒横向生长，得到生长在Sapphire衬底上的MoS2二维材料。本发明提供的制备方法具有生长工艺简单、材料厚度可控、质量高等优点。通过本发明提供的制备方法，生长出禁带宽度可调，可用于柔性芯片应用的MoS2二维材料。
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