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公开(公告)号：CN113053748B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202110269228.0
申请日：2021-03-12
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本发明提供一种GaN器件及制备方法，GaN器件中包括衬底、第一势垒层、第二势垒层、单层石墨烯薄膜、SiN钝化层及电极，其中，单层石墨烯薄膜位于漏极下方，且单层石墨烯薄膜的长度Lg与漏极的长度LD及栅漏间距LG‑D的关系为LD
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公开(公告)号：CN113053748A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110269228.0
申请日：2021-03-12
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本发明提供一种GaN器件及制备方法，GaN器件中包括衬底、第一势垒层、第二势垒层、单层石墨烯薄膜、SiN钝化层及电极，其中，单层石墨烯薄膜位于漏极下方，且单层石墨烯薄膜的长度Lg与漏极的长度LD及栅漏间距LG‑D的关系为LD
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公开(公告)号：CN116544276A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310769754.2
申请日：2023-06-28
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/335
Abstract: 本发明提供一种调节式GaN器件及其制备方法，在确定了所述外延结构及制备工艺方案后，结合所述掩膜版可图形化所述P‑GaN层获得多个间隔设置的所述P‑GaN岛及位于所述P‑GaN岛之间的所述间隔通道，以提供双阈值GaN器件，从而通过对所述掩膜版的版图设计即可实现具有不同阈值电压、导通特性的GaN器件的制备，以便捷的满足芯片设计需求，免除重新定义外延结构、工艺等的成本与时间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116613145A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310578403.3
申请日：2023-05-22
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L23/544 , H01L21/66
Abstract: 本发明提供一种栅凹槽刻蚀缺陷密度的测量方法，包括：制备样品步骤，于基底上沉积GaN层和AlGaN层，刻蚀AlGaN层以形成栅凹槽，于栅凹槽中沉积金属形成第一电极，于AlGaN层的外侧沉积金属形成第二电极，第一电极、第二电极和AlGaN层构成环形电容；测量计算步骤，在10KHz～1MHz频率范围，测试环形电容的电容‑电压曲线，采用电容‑电压法获取栅凹槽的缺陷密度；在高于1MHz和低于1010KHz频率范围，测量环形电容的平行电导，采用等效电导法获取栅凹槽的缺陷密度。本发明采用电容‑电压法和等效电导法能够对不同时间常数的缺陷进行定量评估，利于优化栅刻蚀工艺、能够对损伤进行修复评估以提升器件可靠性。
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公开(公告)号：CN118118104A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410393242.5
申请日：2024-04-02
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本申请提供基于误差网络的Thru结构小信号去嵌方法、装置、终端及介质，获取所述Thru结构的散射参数，构建用于检测校准平面与去嵌平面之间误差的Thru误差网络，将所述散射参数输入至Thru误差网络中，以计算得到检测校准平面与去嵌平面之间误差。本申请实现了小信号参数的高精度去嵌，同时提高了测试数据的稳定性，具有高准确度、计算量小、稳定性佳等优势。通过使用较少的去嵌结构获得了更优的去嵌结果，有效降低了工艺流片成本。
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公开(公告)号：CN117612937A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311665752.5
申请日：2023-12-06
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/335 , H01L21/56 , H01L21/033 , H01L29/778
Abstract: 本发明提供一种小线宽高频GaN器件及其制备方法，通过形成SixN叠层，在采用传统的光刻方法时，即可形成开口宽度大于底部宽度的类倒梯形的栅极窗口，以缩减栅极尺寸，突破设备线宽限制，实现小线宽的GaN器件的制备；通过形成低k的介电侧墙，可精确控制栅脚尺寸且可提高GaN器件的耐压性；通过形成高k的介电钝化保护层，可确保工艺制备过程中不引入额外的工艺损伤，有效钝化缺陷，提高GaN器件性能，且能提高GaN器件的散热水平；通过形成光刻胶填充层，可制备悬空的T型栅极，以减小GaN器件的寄生参数，提升GaN器件的频率。本发明工艺简单、成本低、可重复性强，适用于制备小线宽高频GaN器件。
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公开(公告)号：CN116613066A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310578402.9
申请日：2023-05-22
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L21/28 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供一种干法刻蚀损伤的修复方法及栅极的制备方法，本发明将具有栅极干法刻蚀损伤的氮化镓外延衬底先通过湿法腐蚀降低干法刻蚀物理轰击造成的表面粗糙度和表面粗糙引起的表面缺陷，再通过表面离子处理来修复干法刻蚀对氮化镓外延层造成的晶格缺陷，本发明能大幅度减小因干法刻蚀造成的缺陷密度和表面粗糙度的影响，并通过原子力显微镜图和测量肖特基电容得到了验证，解决了现有技术中栅极形貌差和刻蚀工艺窗口小的问题，本发明操作简单，成本低廉，便于本发明的推广。
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公开(公告)号：CN116184776A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310185221.X
申请日：2023-03-01
Applicant: 浙江大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请公开了一种晶圆曝光方法和系统。晶圆曝光方法包括如下步骤：在晶圆表面划分多个曝光单元，包括位于晶圆内部区域的完整曝光单元以及位于晶圆边缘区域的不完整曝光单元；获取待曝光光刻层的焦距能量矩阵表；获取经初始曝光条件曝光后的各完整曝光单元的图形形貌和线宽；根据焦距能量矩阵表修正各完整曝光单元的曝光条件，使其图形形貌和线宽符合规格；根据不完整曝光单元邻近的完整曝光单元修正后的曝光条件修正不完整曝光单元的曝光条件。本申请通过根据完整曝光单元的图形形貌和线宽对其曝光条件进行修正，并通过不完整曝光单元邻近的完整曝光单元的曝光条件修正不完整曝光单元曝光条件，可极大改善晶圆面内图形形貌和线宽均匀性。
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