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公开(公告)号：CN116544276A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310769754.2
申请日：2023-06-28
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/335
Abstract: 本发明提供一种调节式GaN器件及其制备方法，在确定了所述外延结构及制备工艺方案后，结合所述掩膜版可图形化所述P‑GaN层获得多个间隔设置的所述P‑GaN岛及位于所述P‑GaN岛之间的所述间隔通道，以提供双阈值GaN器件，从而通过对所述掩膜版的版图设计即可实现具有不同阈值电压、导通特性的GaN器件的制备，以便捷的满足芯片设计需求，免除重新定义外延结构、工艺等的成本与时间。
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公开(公告)号：CN116184776A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310185221.X
申请日：2023-03-01
Applicant: 浙江大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请公开了一种晶圆曝光方法和系统。晶圆曝光方法包括如下步骤：在晶圆表面划分多个曝光单元，包括位于晶圆内部区域的完整曝光单元以及位于晶圆边缘区域的不完整曝光单元；获取待曝光光刻层的焦距能量矩阵表；获取经初始曝光条件曝光后的各完整曝光单元的图形形貌和线宽；根据焦距能量矩阵表修正各完整曝光单元的曝光条件，使其图形形貌和线宽符合规格；根据不完整曝光单元邻近的完整曝光单元修正后的曝光条件修正不完整曝光单元的曝光条件。本申请通过根据完整曝光单元的图形形貌和线宽对其曝光条件进行修正，并通过不完整曝光单元邻近的完整曝光单元的曝光条件修正不完整曝光单元曝光条件，可极大改善晶圆面内图形形貌和线宽均匀性。
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公开(公告)号：CN116666215A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310645047.2
申请日：2023-06-01
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/778
Abstract: 本发明提供一种阈值调整式GaN器件及其制备方法，通过对所述GaN帽层的表面处理，在所述GaN帽层的表面形成含Ga‑O键的所述调节膜层，改变栅极区的2DEG，使2DEG减少，所述GaN沟道层的表面势升高，改变GaN器件的阈值。本发明制备工艺可实施性较强，且可避免刻蚀对势垒层的离子损伤，进一步的，通过对表面处理工艺的控制，可便捷的改变阈值大小，实现多阈值GaN器件的制备。
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公开(公告)号：CN116564999A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310602339.8
申请日：2023-05-23
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/205 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明提供一种增强型AlGaN/GaN基HEMT器件及其制备方法，在材料外延结构中，引入所述AlN层，通过所述AlN层的导带势能抬高所述GaN沟道层的导带势能，以及结合对所述GaN沟道层和所述AlGaN势垒层的选取，使得所述AlGaN/GaN异质结的界面处三角电子势阱底部被抬高到高于费米能级，以耗尽二维电子气，使得AlGaN/GaN基HEMT器件展现为正的阈值电压，从而提供一种制备工艺简单、器件性能及可靠性高的增强型AlGaN/GaN基HEMT器件。
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公开(公告)号：CN116544185A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310644876.9
申请日：2023-06-01
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/8232 , H01L27/085 , H01L29/778
Abstract: 本发明提供一种集成P型与N型的GaN HEMT器件及其制备方法，基于同一所述外延结构制备集成P型与N型的所述GaN HEMT器件，在同一水平线下进行光刻，精准度较高，而且制备工艺简单，可重复性高，从而可低成本的制备具有高性能且同时集成P型与N型的所述GaN HEMT器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116525451A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310645611.0
申请日：2023-06-01
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种GaN FinFET器件及其制备方法，在所述栅指的外围形成所述P型NiO层，使得所述P型NiO层与所述GaN沟道层在接触界面处形成耗尽区，以缩短所述栅指的有效宽度，从而通过电荷控制，使载流子远离被刻蚀的所述栅指的侧壁，避免了所述栅指的侧壁造成的载流子散射，同时在原有所述栅指的物理尺寸的基础上进一步缩减了所述栅指的有效宽度，从而使得GaN FinFET器件在工艺上、结构上和性能上均得以优化提升。
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公开(公告)号：CN115411136A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211145123.5
申请日：2022-09-20
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L31/113 , H01L31/20 , G06N3/067
Abstract: 本发明涉及半导体工艺，公开了一种光电神经突触器件、对应的制备方法及工作方法，所述光电神经突触器件，包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底表面的GaN层，位于所述GaN层表面的AlGaN层，位于所述AlGaN层表面的非晶SiNx层，位于所述非晶SiNx层表面的栅电极，其中GaN层、AlGaN层、非晶SiNx层构成浮栅结构，位于所述AlGaN层表面的源电极和漏电极。本发明引入非晶SiNx层作为电荷存储层，使光生载流子通过异质结极化场分离后进入电荷存储层，从而达到保存光电流的目的，最终获得灵敏度高、可靠性好、记忆时间大于10年的光电神经突触器件。
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公开(公告)号：CN116403888A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310360675.6
申请日：2023-04-03
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , C30B25/18 , C30B29/40
Abstract: 本发明提供一种含Ⅲ族氮化物的半导体结构及制备方法，通过在所述碳化硅衬底上先形成可覆盖所述碳化硅衬底，且突设于所述碳化硅衬底的所述石墨烯层，而后再外延生长覆盖显露的所述碳化硅衬底及所述石墨烯层的所述Ⅲ族氮化物层，从而通过所述石墨烯层可对所述碳化硅衬底的缺陷进行覆盖，阻止所述碳化硅衬底的缺陷向所述Ⅲ族氮化物层的进一步延伸，同时通过突设于所述碳化硅衬底的所述石墨烯层可构成图形化的复合基底以待外延生长所述Ⅲ族氮化物层，使得在横向外延生长所述Ⅲ族氮化物层时，可缓解所述碳化硅衬底与所述Ⅲ族氮化物层之间的晶格失配与热失配，提高所述Ⅲ族氮化物层结晶质量。
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公开(公告)号：CN116397210A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310415133.4
申请日：2023-04-18
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物外延层结构及其制备方法，制备方法包括：提供衬底；于衬底表面生长成核层；于成核层上生长III族氮化物薄膜，原位生长SiNx纳米颗粒，覆盖于位错处；提高III族氮化物薄膜的横向生长速度并继续生长，覆盖SiNx纳米颗粒。本发明在生长III族氮化物薄膜时，位错处的自由能较高，SiNx纳米颗粒将优先在位错处成核，达到自选择覆盖位错的目的，SiNx覆盖III族氮化物薄膜位错处，继续生长提高二维生长速度，III族氮化物薄膜横向生长覆盖SiNx纳米颗粒，在SiNx纳米颗粒的阻挡下，原位错不再继续向表面蔓延，SiNx纳米颗粒起到促进位错弯曲湮灭的作用，从而降低后续外延层中的位错密度。
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公开(公告)号：CN114267629A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111376312.9
申请日：2021-11-19
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/762 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种GaN基器件隔离的方法，在GaN HEMT结构表面需要做器件隔离的区域蒸镀Fe膜，采用脉冲激光加热Fe膜覆盖区域，合理控制激光脉冲能量，加速Fe扩散进入样品并使样品重结晶，从而将Fe并入样品晶格。Fe杂质在GaN基材料中是深能级杂质，在需要隔离的区域掺杂Fe可形成高阻态，从而实现器件隔离的目的。该方法通过高能激光脉冲使样品出现重结晶，在重结晶过程中引入Fe杂质，能够减少隔离区域的缺陷密度。
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