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公开(公告)号：CN113880041B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202010636745.2
申请日：2020-07-03
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明提供一种微系统模组芯片嵌入式封装结构及封装方法，通过自上往下进行重新布线工艺的待封装芯片周围的光刻胶重新定形的方法，先在临时承载基底上制作重新布线结构，再将待封装芯片有芯片焊盘的一面与再布线结构上的电互连焊盘进行回流，之后再用厚膜光刻胶对待封装芯片的外层进行重新定形，最后将带有再布线结构的重新定形的待封装芯片扣到半导体基底的凹槽内，大大的减小了内埋芯片后硅空腔周边的剩余宽度，进而消除了悬空走线结构提高了模组整体的可靠性；避免了走线与芯片上的互连PAD偏离引起电互连失效，待封装芯片表面一次又一次承受强度较大的工艺及待封装芯片上表面的结构受到损坏等。
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公开(公告)号：CN116454970A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310418356.6
申请日：2023-04-14
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明提供一种多逆变器并网系统及其模型建立方法，其中，多逆变器并网系统包括：若干逆变控制电路，逆变控制电路又包括：逆变器、LCL型滤波器及控制器；逆变器经由LCL型滤波器连接至并网点，控制器连接于并网点和逆变器之间；控制器基于下垂控制策略、双闭环控制策略和有源阻尼控制策略对逆变器进行并网运行控制。通过本发明提供的多逆变器并网系统及其模型建立方法，解决了现有技术中系统模型建立过于困难的问题。
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公开(公告)号：CN111584347B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202010477741.4
申请日：2020-05-29
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明的GaN‑Si异质外延结构及制备方法，在Si基底中形成凹槽，并在凹槽底部形成局部SOI衬底，从而通过局部SOI衬底可吸收GaN层外延过程中产生的应力，降低AlxGa1‑xN过渡层的厚度，减少生长工艺时间，降低工艺成本，且提高导热性能，同时局部SOI埋氧层，可提高GaN器件的击穿电压，且可减少RF应用时的损耗及串扰；通过覆盖凹槽侧壁的绝缘侧墙，可有效隔离外延生长的GaN层，降低工艺难度；在Si基底的凹槽中，进行区域选择性外延生长GaN层，可降低工艺难度；从而本发明可在大尺寸的Si基底上异质外延均匀的、高质量的GaN层。
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公开(公告)号：CN111415987B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010275014.X
申请日：2020-04-09
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/45
Abstract: 本发明提供一种结合二次外延及自对准工艺的氮化镓器件结构及制备方法，制备方法包括：提供半导体衬底，形成包括氮化镓层的外延结构，通过掩膜层保护，外延生长源极结构及漏极结构，形成栅极侧墙，形成栅极结构。本发明通过二次外延生长形成源极结构及漏极结构，可以有效降低欧姆接触电阻，在二次外延之前，通过多步离子刻蚀、氧化及酸溶剂数字刻蚀，平衡了刻蚀速率与刻蚀带来的材料损伤，在保证材料质量的同时，考虑了工艺成本。利用自对准技术，避免光刻过程中对准工艺带来的误差，精确定义了栅极尺寸。利用隔离侧墙厚度控制栅极尺寸，省去栅脚光刻步骤，简化工艺制程。本发明可在大尺寸晶圆上实现GaN材料的异质外延，节省了单位尺寸外延成本。
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公开(公告)号：CN111540674B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010659813.7
申请日：2020-07-10
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/28 , H01L21/335 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/778
Abstract: 本发明提供一种桥式GaN器件及其制备方法，制备包括：提供具有缓冲结构和外延结构的半导体基底，在外延结构上形成钝化层，制备源极电极和漏极电极，制备栅极沟槽，形成桥式栅极结构。本发明通过堆叠多个二维电子气通道来增加晶体管的功率密度；通过桥式栅极结构的设计，基于埋入外延结构中的栅极，通过经由横向栅极电场调制二维电子气的宽度来控制漏极电流，减轻了源自电子速度调制的跨导的滚降，降低了跨导的峰值，实现了跨导变化的平坦化，提高了器件的线性度；本发明基于悬空桥式栅极结构的设计，消除了表面的高电场区域，解决了由此造成的电流衰减、崩塌效应，接触顶栅的缺乏还消除了栅漏极端的垂直电场，大大抑制了反压电效应并提高了可靠性。
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公开(公告)号：CN109617560B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201811346591.2
申请日：2018-11-13
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种IQ信号校准补偿方法，包括：将校准测试信号输入到IQ信号校准预失真模块，通过补偿计算输出补偿测试信号；将补偿测试信号输入给IQ信号校准参数估计模块，计算出不平衡参数的残余量估计并输出给IQ信号校准参数迭代模块；IQ信号校准参数迭代模块计算迭代；更新迭代后的不平衡参数进行补偿，完成一次闭环校准；如果达到最大迭代次数，结束迭代，完成补偿。本发明采用了闭环迭代，利用迭代近似的方法避免了开方、求反三角函数等复杂计算，简化了盲校准的运算复杂度，减小了数字电路的逻辑复杂度，在相同的电路面积下，可以增加测试信号的计算点数，提高补偿精度，同时闭环系统增加了在干扰条件下的稳定性。
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公开(公告)号：CN105226354A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510598796.X
申请日：2015-09-21
Applicant: 浙江大学
IPC: H01P1/203
Abstract: 本发明公开了一种三模耦合的强高频侧阻带抑制微带带通滤波器及耦合方法。此滤波器包括基板以及基板上的微带线结构，所述的微带线结构包括L形弯折的左微带馈线和右微带馈线，双模微带谐振结构，单模微带谐振结构；左微带馈线和右微带馈线左右对称；所述的双模微带谐振结构和单模微带谐振结构分别位于左右微带馈线的上方和下方；位于上方的双模微带谐振结构包括半波长的U形微带线结构和开路短枝节；位于下方的单模微带谐振结构包括H形阻抗变换微带结构和S形的微带线结构。本发明具有滤波器体积小，带内平坦度高，高频侧阻带抑制强，频率选择性强等优点，适用于射频收发系统的收发通道间的隔离。
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公开(公告)号：CN101308473A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200810062635.9
申请日：2008-06-27
Applicant: 浙江大学
IPC: G06F11/36
Abstract: 本发明公开的一种基于序列模式挖掘的程序级操作系统调试方法，包括通过序列模式挖掘来找到所有频繁系统调用序列模式，计算隐马尔可夫模型中的各项参数来识别异常系统调用序列。该方法提出了利用序列模式挖掘方法对桌面操作系统中的系统调用序列集进行模式挖掘，找到所有频繁序列集，利用频繁序列集训练隐马尔可夫模型，通过马尔可夫模型来最终识别异常系统调用序列，能够准确、快速的定位整个桌面操作系统bug所在位置，有利于用户不断完善操作系统。
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公开(公告)号：CN1792926A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510061469.7
申请日：2005-11-08
Applicant: 浙江大学蓝星新材料技术有限公司
Abstract: 本发明公开的浮法玻璃在线镀膜装置包括底板，底板上固定有多个彼此相隔交替排列的进气室和排气室，进气室的出气口和排气室的进气口分别与底板上的狭缝相对应，在每块底板的上方焊接冷却腔，下方固定石墨块，每两块石墨块之间形成与进气室对应的进气通道和与排气室对应的排气通道，进气室的进气口与连接进气管的进气分配器相连通，进气室内设有气流阻尼器，排气室内设有缓冲器和负压调节装置，排气室的出气口与连接排气管的排气集成器相连通。本发明装置结构简单，每个气室都是独立单元，根据生产需要可以灵活方便地拆卸和组装，形成平行的多进多排的稳定的气流走向，并可方便地调节流量，有利于提高镀膜玻璃的质量，获得具有各种特殊功能的镀膜玻璃。
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