一种基于机械拉锥的微纳光纤的封装方法

    公开(公告)号:CN109085680B

    公开(公告)日:2019-12-31

    申请号:CN201810919095.5

    申请日:2018-08-14

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于机械拉锥的微纳光纤的封装方法。在微纳光纤制备完毕后,包括:在微纳光纤处于伸直的状态下,将封装基底的下表面与光纤两端的未拉伸部分固定在一起,封装基底的两端分别置于至少一对光纤夹具底板上,所述光纤夹具底板分别支撑光纤两端的未拉伸部分;在移除光纤上的所有光纤夹具压板后,将封装基底和光纤整体翻转,使封装基底在光纤的下方且封装基底的两端分别置于所述光纤夹具底板上;将封装盖的下表面与封装基底固定连接完成封装。本发明具有制作成本低廉、操作简便、封装快捷、等特点,且微纳光纤不出现断裂的封装成功率几乎为100%。

    单光子源器件、其制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN107681059B

    公开(公告)日:2019-07-16

    申请号:CN201710719676.X

    申请日:2017-08-21

    Applicant: 浙江大学

    CPC classification number: H01L51/502 H01L51/5096 H01L51/56 H01L2251/301

    Abstract: 本发明提供了单光子源器件、其制备方法及其应用。该单光子源器件包括依次叠置的第一电极层、第一载流子传输层、量子点发光层、第二载流子传输层和第二电极层,量子点发光层包括绝缘材料及分散在绝缘材料中的量子点,且至少部分量子点的相邻间距大于等于量子点的发光光谱中心波长。在量子点发光层中设置绝缘材料,因为受现有载流子材料选择限制,空穴的传输速度相对于电子的传输速度慢,利用绝缘材料的绝缘性平衡量子点发光层两侧的电子和空穴的平衡注入。本申请通过在量子点发光层中设置绝缘材料,增加了电子穿过的障碍,进而能够保证量子点发光的单光子效果,从而进一步减小单光子源器件的自相关系数。

    一种基于机械拉锥的微纳光纤的封装方法

    公开(公告)号:CN109085680A

    公开(公告)日:2018-12-25

    申请号:CN201810919095.5

    申请日:2018-08-14

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于机械拉锥的微纳光纤的封装方法。在微纳光纤制备完毕后,包括:在微纳光纤处于伸直的状态下,将封装基底的下表面与光纤两端的未拉伸部分固定在一起,封装基底的两端分别置于至少一对光纤夹具底板上,所述光纤夹具底板分别支撑光纤两端的未拉伸部分;在移除光纤上的所有光纤夹具压板后,将封装基底和光纤整体翻转,使封装基底在光纤的下方且封装基底的两端分别置于所述光纤夹具底板上;将封装盖的下表面与封装基底固定连接完成封装。本发明具有制作成本低廉、操作简便、封装快捷、等特点,且微纳光纤不出现断裂的封装成功率几乎为100%。

    基于纳米压印的高分子微纳光纤布拉格光栅制备方法

    公开(公告)号:CN103018819B

    公开(公告)日:2014-05-21

    申请号:CN201210446318.3

    申请日:2012-11-09

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于纳米压印的高分子微纳光纤布拉格光栅制备方法。该方法的步骤如下:将聚二甲基硅氧烷薄膜紧贴在玻璃基片上,把高分子微纳光纤放置在聚二甲基硅氧烷薄膜上面;用电加热器加热聚二甲基硅氧烷层到压印温度,压印温度超过高分子微纳光纤的玻璃化转变温度;使用标准的商用平面反射型光栅作为模版,施加力在模版上,将光栅图案压印到高分子微纳光纤上;在高分子微纳光纤的表面上压印出布拉格光栅。通过纳米压印法制备的高分子微纳光纤布拉格光栅具有方法简单,成本低,适宜于大批量生产的特点。其应变传感的灵敏度比传统玻璃材料的灵敏度要高很多,这在激光器,传感器和纳米光机械系统等诸多领域中有着广泛的潜在应用。

    基于单个单光子探测器测量光学二阶关联函数的方法

    公开(公告)号:CN112179507B

    公开(公告)日:2022-07-19

    申请号:CN202010877913.7

    申请日:2020-08-27

    Applicant: 浙江大学

    Inventor: 林星 刘少杰

    Abstract: 本发明公开了一种基于单个单光子探测器进行光子二阶关联函数测量的方法。将待测光信号分为两路,其中一路光路中引入一个长的光学延时,使得二阶关联函数在零延时处的信息被保留,并被平移到对应的时间延时处,规避了单个单光子探测器的“死时间”和“后脉冲”问题,从而可以准确获取二阶关联函数值。目前可以用于检测单光子源的发射纯度,系统成本比传统使用两个探测器的方法降低30%以上。

    基于单个单光子探测器测量光学二阶关联函数的方法

    公开(公告)号:CN112179507A

    公开(公告)日:2021-01-05

    申请号:CN202010877913.7

    申请日:2020-08-27

    Applicant: 浙江大学

    Inventor: 林星 刘少杰

    Abstract: 本发明公开了一种基于单个单光子探测器进行光子二阶关联函数测量的方法。将待测光信号分为两路,其中一路光路中引入一个长的光学延时,使得二阶关联函数在零延时处的信息被保留,并被平移到对应的时间延时处,规避了单个单光子探测器的“死时间”和“后脉冲”问题,从而可以准确获取二阶关联函数值。目前可以用于检测单光子源的发射纯度,系统成本比传统使用两个探测器的方法降低30%以上。

    单光子源器件、其制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN107681059A

    公开(公告)日:2018-02-09

    申请号:CN201710719676.X

    申请日:2017-08-21

    Applicant: 浙江大学

    CPC classification number: H01L51/502 H01L51/5096 H01L51/56 H01L2251/301

    Abstract: 本发明提供了单光子源器件、其制备方法及其应用。该单光子源器件包括依次叠置的第一电极层、第一载流子传输层、量子点发光层、第二载流子传输层和第二电极层,量子点发光层包括绝缘材料及分散在绝缘材料中的量子点,且至少部分量子点的相邻间距大于等于量子点的发光光谱中心波长。在量子点发光层中设置绝缘材料,因为受现有载流子材料选择限制,空穴的传输速度相对于电子的传输速度慢,利用绝缘材料的绝缘性平衡量子点发光层两侧的电子和空穴的平衡注入。本申请通过在量子点发光层中设置绝缘材料,增加了电子穿过的障碍,进而能够保证量子点发光的单光子效果,从而进一步减小单光子源器件的自相关系数。

    基于纳米压印的高分子微纳光纤布拉格光栅制备方法

    公开(公告)号:CN103018819A

    公开(公告)日:2013-04-03

    申请号:CN201210446318.3

    申请日:2012-11-09

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于纳米压印的高分子微纳光纤布拉格光栅制备方法。该方法的步骤如下:将聚二甲基硅氧烷薄膜紧贴在玻璃基片上,把高分子微纳光纤放置在聚二甲基硅氧烷薄膜上面;用电加热器加热聚二甲基硅氧烷层到压印温度,压印温度超过高分子微纳光纤的玻璃化转变温度;使用标准的商用平面反射型光栅作为模版,施加力在模版上,将光栅图案压印到高分子微纳光纤上;在高分子微纳光纤的表面上压印出布拉格光栅。通过纳米压印法制备的高分子微纳光纤布拉格光栅具有方法简单,成本低,适宜于大批量生产的特点。其应变传感的灵敏度比传统玻璃材料的灵敏度要高很多,这在激光器,传感器和纳米光机械系统等诸多领域中有着广泛的潜在应用。

    发光装置及量子点LED的使用方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115623806A

    公开(公告)日:2023-01-17

    申请号:CN202110802082.1

    申请日:2021-07-15

    Abstract: 本申请提供了一种发光装置和量子点LED的使用方法。在该发光装置中,发光装置包括至少一个量子点LED,量子点LED包括依次叠置的第一电极、电子传输层、量子点层、空穴传输层和第二电极,量子点层的量子点的荧光量子产率大于等于50%,量子点LED的平均光子电压与工作电压的比值大于等于1,量子点LED电致发光包括热电辅助的上转换发光。在上述发光装置中,量子点LED可实现高的外部能量转换效率。

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