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公开(公告)号：CN114250074B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202011019952.X
申请日：2020-09-24
Applicant: 浙江大学 , 纳晶科技股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种量子点的制备方法、量子点的形状转换方法、量子点及其组合物。该制备方法包括：步骤S1，提供含量子点晶种的溶液，量子点晶种表面具有数量低的羧酸金属盐配体，使得量子点晶种至少一个晶面不稳定；步骤S2，将含第二阳离子前体、第二溶剂、氯化物、含量子点晶种的溶液、第二阴离子前体的混合液进行反应，反应结束后得到包含立方体量子点的产物体系；其中，第二阳离子前体为羧酸金属盐。该方法得到的立方体量子点具有更窄半峰宽。
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公开(公告)号：CN115975622A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202111196162.3
申请日：2021-10-14
Applicant: 浙江大学 , 纳晶科技股份有限公司
Abstract: 本公开提供了一种纳米片及其制备方法，包含其的光电器件，纳米片分散液。纳米片包括多颗间隔分布的半导体纳米晶和分散多颗半导体纳米晶的基质，半导体纳米晶的材料为第一半导体化合物，基质的材料为第二半导体化合物，基质为连续的单晶材料。半导体纳米晶间隔分散在二维的基质中，外延形成的第二半导体化合物不仅连续完整，没有空洞，而且结晶质量好，为单晶的状态，这样的基质晶体一方面对半导体纳米晶的电子和空穴在空间分布进行了限域，同时也为半导体纳米晶之间发生量子耦合提供了基础。且新形成的纳米片实现了光学性质均一的特点。
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公开(公告)号：CN110373187B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201910586724.1
申请日：2019-07-01
Applicant: 浙江大学 , 纳晶科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种III‑V族量子点的制备方法。该制备方法包括：步骤S1，使第一三烷基膦配体和第一III族元素前体反应，制备得到第二III族元素前体；步骤S2，使第二III族元素前体、V族元素前体反应，得到第一III‑V族纳米簇；步骤S3，将第一III‑V族纳米簇、第三III族元素前体和可选的第二三烷基膦配体混合进行反应，制备得到含III‑V族量子点的第一产物体系。使用第一三烷基膦配体和第一III族元素前体形成的第二III族元素前体在室温下可溶且空间位阻较小，可以形成具有接近一致性状和尺寸极小的第一III‑V族纳米簇，进而可以形成几乎单分散的III‑V族量子点，实现了尺寸和粒径分布的有效控制。
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公开(公告)号：CN106010524A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610349306.7
申请日：2016-05-24
Applicant: 浙江大学
IPC: C09K11/70 , C09K11/88 , C09K11/74 , H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L33/06 , B82Y20/00 , B82Y40/00
CPC classification number: B82Y20/00 , B82Y40/00 , C09K11/70 , C09K11/74 , C09K11/88 , H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L33/06 , C09K11/7492 , H01L31/035218
Abstract: 本发明提供了III‑V族量子点、其制备方法及其应用。该制备方法包括：S1，将III族元素前体、溶剂、表面活化剂、III‑V族量子点晶种混合，得到混合体系；S2，加热混合体系至第一温度；以及S3，向温度为第一温度的混合体系中加入V族元素前体，得到III‑V族量子点，其中，III‑V族量子点晶种带有羧酸配体，表面活化剂为乙酰丙酮或乙酰丙酮的衍生物或带有羧酸基团的化合物RCOOH，第一温度为120℃～200℃之间。将上述反应温度控制在120℃以上，晶种提供了成核位点，因为自成核的能垒比在晶种上生长更高，因此可以使成核和生长分开，进而利于III‑V族量子点纳米晶的生长而影响粒径分布。
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公开(公告)号：CN106010499A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610332620.4
申请日：2016-05-18
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: C09K11/883 , C09K11/025
Abstract: 本发明提供了一种核壳量子点的表面优化方法。该核壳量子点的壳层为硫化物，该表面优化方法包括：去除具有核壳量子点的第一反应体系中的硫化氢，得到去除表面缺陷的核壳量子点。由于合成上述量子点的壳层过程中硫化氢是不可避免会存在的，且硫化氢是以气体方式存在于体系中，在将具有核壳量子点的第一反应体系中的硫化氢去除后，由于硫化氢导致缺陷明显减弱甚至消失，进而使得核壳量子点的表面得到优化，提高了其荧光量子产率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115818582A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202111083434.9
申请日：2021-09-16
Applicant: 浙江大学 , 纳晶科技股份有限公司
Abstract: 本公开提供了一种前驱体组合物和无机纳米晶制备方法。该前驱体组合物用于制备无机纳米晶且呈凝胶状，前驱体组合物包括前驱体和分散前驱体的有机凝胶介质，前驱体为阳离子前驱体、阴离子前驱体中的一种或多种。该前驱体组合物不仅极大地扩展了潜在前驱体的选择范围及其浓度范围，而且可简化了纳米晶的合成体系，并最大限度地减少了对环境的影响，提高了无机纳米晶制备方法的稳定性或者可重复性。
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公开(公告)号：CN113049549A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201911380593.8
申请日：2019-12-27
Applicant: 浙江大学 , 纳晶科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种电化学发光剂、生物检测试剂、电化学免疫测试方法。该电化学发光剂包括量子点，该量子点为CdSe/CdS/ZnS核壳量子点，CdSe为核，CdS为第一壳层，ZnS为第二壳层，量子点表面包括水溶性配体。该量子点具有优秀的电化学发光性能和稳定性。
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公开(公告)号：CN110506096A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201880004530.X
申请日：2018-04-11
Applicant: 浙江大学 , 纳晶科技股份有限公司
IPC: C09K11/08
Abstract: 本申请提供了一种III-V族量子点及其制备方法。该制备方法包括以下步骤：加热II族元素前体和III族元素前体的混合液；加入V族元素前体到混合液中，加热形成包括III-V族量子点核的第一溶液；加入VI族元素前体到第一溶液中形成III-V/II-VI族核壳量子点；纯化III-V/II-VI族核壳量子点；将纯化得到的III-V/II-VI族核壳量子点分散至第二溶液中；加入活化剂和II族元素前体至第二溶液中；加热第二溶液；加入VI族元素前体至第二溶液中形成III-V/II-VI/II-VI族核/壳/壳量子点。
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公开(公告)号：CN105967154A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610297191.1
申请日：2016-05-05
Applicant: 浙江大学
IPC: C01B19/04
CPC classification number: C01B19/007 , C01P2004/03 , C01P2004/32 , C09K11/88 , C09K11/883
Abstract: 本发明提供了单分散II‑VI族量子点的制备方法。该制备方法包括：步骤S1，向含II‑VI族量子点晶种的体系中加入脂肪酸，使II‑VI族量子点晶种与脂肪酸在反应温度为200～300℃的条件下混合反应，得到第一产物体系，其中II‑VI族量子点晶种的物质的量为M；步骤S2，以第一速度向第一产物体系中间隔加入VI族前体，使VI族前体在第一产物体系中于200～300℃反应，得到含有II‑VI族量子点的体系，其中，第一速度为0.1M～20M/h，间隔加入为在前一次加入的VI族前体反应完全后再进行下一次的VI族前体的加入。上述制备方法得到尺寸较为均匀的单分散量子点，且容易实现，可适用大规模生产。
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公开(公告)号：CN103904178B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410146156.0
申请日：2014-04-11
Applicant: 浙江大学 , 纳晶科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种量子点发光器件。该量子点发光器件包括依次相邻设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，量子点发光器件还包括电子阻挡层，设置在电子传输层中或设置在量子点发光层与电子传输层之间。利用设置电子阻挡层一方面保证载流子的平衡注入，另一方面隔绝电子传输层与量子点发光层之间的电荷自发转移，保证了量子点电中性，进而使量子点发光器件保持应有的发光效率，使量子点发光器件的外量子效率得到提升，同时大幅提升量子点发光器件的工作寿命。
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