-
公开(公告)号：CN106010499A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610332620.4
申请日：2016-05-18
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: C09K11/883 , C09K11/025
Abstract: 本发明提供了一种核壳量子点的表面优化方法。该核壳量子点的壳层为硫化物，该表面优化方法包括：去除具有核壳量子点的第一反应体系中的硫化氢，得到去除表面缺陷的核壳量子点。由于合成上述量子点的壳层过程中硫化氢是不可避免会存在的，且硫化氢是以气体方式存在于体系中，在将具有核壳量子点的第一反应体系中的硫化氢去除后，由于硫化氢导致缺陷明显减弱甚至消失，进而使得核壳量子点的表面得到优化，提高了其荧光量子产率。
-
公开(公告)号：CN107681059B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201710719676.X
申请日：2017-08-21
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: H01L51/502 , H01L51/5096 , H01L51/56 , H01L2251/301
Abstract: 本发明提供了单光子源器件、其制备方法及其应用。该单光子源器件包括依次叠置的第一电极层、第一载流子传输层、量子点发光层、第二载流子传输层和第二电极层，量子点发光层包括绝缘材料及分散在绝缘材料中的量子点，且至少部分量子点的相邻间距大于等于量子点的发光光谱中心波长。在量子点发光层中设置绝缘材料，因为受现有载流子材料选择限制，空穴的传输速度相对于电子的传输速度慢，利用绝缘材料的绝缘性平衡量子点发光层两侧的电子和空穴的平衡注入。本申请通过在量子点发光层中设置绝缘材料，增加了电子穿过的障碍，进而能够保证量子点发光的单光子效果，从而进一步减小单光子源器件的自相关系数。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112111277A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202010983758.7
申请日：2018-10-18
Applicant: 浙江大学 , 纳晶科技股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种单光子源和QLED。该单光子源和QLED均包括量子点，量子点包括量子点本体和设置在量子点本体外表面的配体，配体包括电化学惰性配体，电化学惰性配体的还原电位大于量子点本体的导带底对应的电位，电化学惰性配体的氧化电位小于量子点本体的价带底对应的电位，电化学惰性配体占量子点本体外表面的所有配体的80％以上。该量子点由于包括电化学惰性配体，使得其发光效率较高，器件较稳定，可靠性较高。
-
公开(公告)号：CN109468134B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201811216931.X
申请日：2018-10-18
Applicant: 浙江大学 , 纳晶科技股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种量子点、制作方法、单光子源和QLED。该量子点包括量子点本体和设置在量子点本体外表面的配体，配体包括电化学惰性配体，电化学惰性配体的还原电位大于量子点本体的导带底对应的电位，电化学惰性配体的氧化电位小于量子点本体的价带底对应的电位，电化学惰性配体占量子点本体外表面的所有配体的80％以上。该量子点由于包括电化学惰性配体，使得其发光效率较高，器件较稳定，可靠性较高。
-
公开(公告)号：CN106010499B
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201610332620.4
申请日：2016-05-18
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明提供了一种核壳量子点的表面优化方法。该核壳量子点的壳层为硫化物，该表面优化方法包括：去除具有核壳量子点的第一反应体系中的硫化氢，得到去除表面缺陷的核壳量子点。由于合成上述量子点的壳层过程中硫化氢是不可避免会存在的，且硫化氢是以气体方式存在于体系中，在将具有核壳量子点的第一反应体系中的硫化氢去除后，由于硫化氢导致缺陷明显减弱甚至消失，进而使得核壳量子点的表面得到优化，提高了其荧光量子产率。
-
公开(公告)号：CN109468134A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811216931.X
申请日：2018-10-18
Applicant: 浙江大学 , 纳晶科技股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种量子点、制作方法、单光子源和QLED。该量子点包括量子点本体和设置在量子点本体外表面的配体，配体包括电化学惰性配体，电化学惰性配体的还原电位大于量子点本体的导带底对应的电位，电化学惰性配体的氧化电位小于量子点本体的价带底对应的电位，电化学惰性配体占量子点本体外表面的所有配体的80％以上。该量子点由于包括电化学惰性配体，使得其发光效率较高，器件较稳定，可靠性较高。
-
公开(公告)号：CN107681059A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201710719676.X
申请日：2017-08-21
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: H01L51/502 , H01L51/5096 , H01L51/56 , H01L2251/301
Abstract: 本发明提供了单光子源器件、其制备方法及其应用。该单光子源器件包括依次叠置的第一电极层、第一载流子传输层、量子点发光层、第二载流子传输层和第二电极层，量子点发光层包括绝缘材料及分散在绝缘材料中的量子点，且至少部分量子点的相邻间距大于等于量子点的发光光谱中心波长。在量子点发光层中设置绝缘材料，因为受现有载流子材料选择限制，空穴的传输速度相对于电子的传输速度慢，利用绝缘材料的绝缘性平衡量子点发光层两侧的电子和空穴的平衡注入。本申请通过在量子点发光层中设置绝缘材料，增加了电子穿过的障碍，进而能够保证量子点发光的单光子效果，从而进一步减小单光子源器件的自相关系数。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.017 seconds)
