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公开(公告)号：CN103018819B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201210446318.3
申请日：2012-11-09
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米压印的高分子微纳光纤布拉格光栅制备方法。该方法的步骤如下：将聚二甲基硅氧烷薄膜紧贴在玻璃基片上，把高分子微纳光纤放置在聚二甲基硅氧烷薄膜上面；用电加热器加热聚二甲基硅氧烷层到压印温度，压印温度超过高分子微纳光纤的玻璃化转变温度；使用标准的商用平面反射型光栅作为模版，施加力在模版上，将光栅图案压印到高分子微纳光纤上；在高分子微纳光纤的表面上压印出布拉格光栅。通过纳米压印法制备的高分子微纳光纤布拉格光栅具有方法简单，成本低，适宜于大批量生产的特点。其应变传感的灵敏度比传统玻璃材料的灵敏度要高很多，这在激光器，传感器和纳米光机械系统等诸多领域中有着广泛的潜在应用。
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公开(公告)号：CN103018819A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210446318.3
申请日：2012-11-09
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米压印的高分子微纳光纤布拉格光栅制备方法。该方法的步骤如下：将聚二甲基硅氧烷薄膜紧贴在玻璃基片上，把高分子微纳光纤放置在聚二甲基硅氧烷薄膜上面；用电加热器加热聚二甲基硅氧烷层到压印温度，压印温度超过高分子微纳光纤的玻璃化转变温度；使用标准的商用平面反射型光栅作为模版，施加力在模版上，将光栅图案压印到高分子微纳光纤上；在高分子微纳光纤的表面上压印出布拉格光栅。通过纳米压印法制备的高分子微纳光纤布拉格光栅具有方法简单，成本低，适宜于大批量生产的特点。其应变传感的灵敏度比传统玻璃材料的灵敏度要高很多，这在激光器，传感器和纳米光机械系统等诸多领域中有着广泛的潜在应用。
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公开(公告)号：CN101251532B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN200810060845.4
申请日：2008-03-21
Applicant: 浙江大学
Abstract: 一种微-纳流控芯片的二维纳米通道的制备方法，将纳米线放置载玻片上作为模板；通过热压法，将纳米线嵌入热塑性聚合物基片的上表面；用刻蚀剂将嵌入聚合物基片中的纳米线溶解后，在聚合物基片表面形成二维纳米通道；将形成二维纳米通道的聚合物基片与盖片封合，形成密封的二维纳米通道。可用于制备具有二维纳米通道的微-纳流控芯片，本发明制备二维纳米通道工艺简单，不需要昂贵的加工设备，成本低廉，加工速度快。
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公开(公告)号：CN101299020B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200810062419.4
申请日：2008-06-16
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种基于单根高分子纳米线的光学气体传感器。用一根拉锥微纳光纤通过倏逝波耦合区把光输入到单根高分子纳米线的一端，用另一根拉锥微纳光纤在单根高分子纳米线的另一端也通过倏逝波耦合区把经过单根高分子纳米线传导的光输出，以形成传输光信号变化的光学气体传感器。本发明具有小型化，结构简单，响应速度快，灵敏度高和价格低廉的特点。目前可以检测5％-95％的相对湿度，ppm量级的氨气和二氧化氮，响应速度比传统薄膜传感器快1～2个数量级。
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公开(公告)号：CN101251532A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200810060845.4
申请日：2008-03-21
Applicant: 浙江大学
Abstract: 一种微-纳流控芯片的二维纳米通道的制备方法，将纳米线放置载玻片上作为模板；通过热压法，将纳米线嵌入热塑性聚合物基片的上表面；用刻蚀剂将嵌入聚合物基片中的纳米线溶解后，在聚合物基片表面形成二维纳米通道；将形成二维纳米通道的聚合物基片与盖片封合，形成密封的二维纳米通道。可用于制备具有二维纳米通道的微-纳流控芯片，本发明制备二维纳米通道工艺简单，不需要昂贵的加工设备，成本低廉，加工速度快。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112393820A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202110064489.9
申请日：2021-01-18
IPC: G01K11/3206 , G01N21/45
Abstract: 本发明涉及氢气浓度和温度检测技术，旨在提供一种本质安全防爆的氢气浓度和温度检测系统及检测方法。该系统包括设于非防爆区的激光源和信号接收处理器，以及设于防爆区的氢气传感探头；激光源与氢气传感探头之间、信号接收处理器与氢气传感探头之间分别通过远程传输光纤实现连接；激光源提供在1550±100 nm波长范围内的某一特定波长的光信号，远程传输光纤中内置单模玻璃光纤。本发明的光源采用了特定波长的光信号，并确定与之相匹配的传感探头结构参数以及信号接收与处理器的可处理光强度范围；能够实现氢气浓度具体值测量，使其更适合于实际的用氢场合。整个检测系统体积大幅减小，结构紧凑，便于安装使用，同时也使检测所需成本大幅降低。
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公开(公告)号：CN101299020A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200810062419.4
申请日：2008-06-16
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种基于单根高分子纳米线的光学气体传感器。用一根拉锥微纳光纤通过倏逝波耦合区把光输入到单根高分子纳米线的一端，用另一根拉锥微纳光纤在单根高分子纳米线的另一端也通过倏逝波耦合区把经过单根高分子纳米线传导的光输出，以形成传输光信号变化的光学气体传感器。本发明具有小型化，结构简单，响应速度快，灵敏度高和价格低廉的特点。目前可以检测5％－95％的相对湿度，ppm量级的氨气和二氧化氮，响应速度比传统薄膜传感器快1～2个数量级。
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公开(公告)号：CN112393820B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202110064489.9
申请日：2021-01-18
IPC: G01K11/3206 , G01N21/45
Abstract: 本发明涉及氢气浓度和温度检测技术，旨在提供一种本质安全防爆的氢气浓度和温度检测系统及检测方法。该系统包括设于非防爆区的激光源和信号接收处理器，以及设于防爆区的氢气传感探头；激光源与氢气传感探头之间、信号接收处理器与氢气传感探头之间分别通过远程传输光纤实现连接；激光源提供在1550±100 nm波长范围内的某一特定波长的光信号，远程传输光纤中内置单模玻璃光纤。本发明的光源采用了特定波长的光信号，并确定与之相匹配的传感探头结构参数以及信号接收与处理器的可处理光强度范围；能够实现氢气浓度具体值测量，使其更适合于实际的用氢场合。整个检测系统体积大幅减小，结构紧凑，便于安装使用，同时也使检测所需成本大幅降低。
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公开(公告)号：CN101941681B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201010265192.0
申请日：2010-08-24
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种制备带隙单调连续变化的硫硒化镉纳米材料的方法及装置。该制备方法基于气相沉积法，在生长纳米材料的过程中，通过磁铁调节硫化镉和硒化镉石英舟在管式高温炉中的位置来连续调节硫化镉和硒化镉的蒸气浓度比来实现在同一根纳米带或纳米线上带隙的单调连续过渡。该制备方法简单、低成本，所制备的单根纳米材料上硫元素和硒元素的比例可以从1∶0连续过渡到0∶1，这种纳米材料在可调谐激光器、宽带激光器、白光LED和宽光谱探测器等领域具有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN101941681A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN201010265192.0
申请日：2010-08-24
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种制备带隙单调连续变化的硫硒化镉纳米材料的方法及装置。该制备方法基于气相沉积法，在生长纳米材料的过程中，通过磁铁调节硫化镉和硒化镉石英舟在管式高温炉中的位置来连续调节硫化镉和硒化镉的蒸气浓度比来实现在同一根纳米带或纳米线上带隙的单调连续过渡。该制备方法简单、低成本，所制备的单根纳米材料上硫元素和硒元素的比例可以从1∶0连续过渡到0∶1，这种纳米材料在可调谐激光器、宽带激光器、白光LED和宽光谱探测器等领域具有潜在的应用价值。
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