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公开(公告)号：CN110484233B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN201810285557.2
申请日：2018-04-03
Applicant: 浙江大学 , 纳晶科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种氧化锌纳米晶体、氧化锌纳米晶体组合物、其制备方法和电致发光器件。该氧化锌纳米晶体包括氧化锌纳米晶主体和表面配体，该表面配体包括一种或多种巯基醇配体，巯基醇配体具有如下结构式：‑S‑R‑OH，其中，R代表直链烷基链或支链烷基链。S元素与Zn元素的配位能力要强于O元素，因此，选择巯基醇来对氧化锌纳米晶表面Zn元素初始的羧酸根和氢氧根进行配体交换，最终形成表面为Zn‑S‑ROH的氧化锌纳米晶。纳米晶经过配体交换后有效解决了由于羧酸根和氢氧根容易脱落或配位不完全导致的表面缺陷发光，同时改进了氧化锌纳米晶膜的电学性质，进而解决了电致发光器件中的延时发光问题。
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公开(公告)号：CN110911570B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201811089200.3
申请日：2018-09-18
Applicant: 浙江大学 , 纳晶科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种量子点发光器件及其制备方法。该制备方法包括：提供量子点发光器件的含纳米晶层的待加工件；采用有机酸对含纳米晶层的待加工件进行酸处理，得到量子点发光器件。通过对含纳米晶层的待加工件进行酸处理，一方面酸与纳米晶表面的氢氧根离子配体(目前的纳米晶由于合成工艺的原因，其表面通常带氢氧根离子配体)反应，形成酸根离子配体和生成水，从而大幅减少或消除纳米晶表面的氢氧根离子配体；另一方面，酸可以直接作为氧化物纳米晶的表面配体，减少甚至消除纳米晶表面大量的悬挂键，从而减少了纳米晶表面的缺陷态。这能有效抑制由于氧化物纳米晶与量子点之间淬灭相互作用导致的量子点荧光淬灭，进而提高器件的发光效率。
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公开(公告)号：CN110911570A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201811089200.3
申请日：2018-09-18
Applicant: 浙江大学 , 纳晶科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种量子点发光器件及其制备方法。该制备方法包括：提供量子点发光器件的含纳米晶层的待加工件；采用有机酸对含纳米晶层的待加工件进行酸处理，得到量子点发光器件。通过对含纳米晶层的待加工件进行酸处理，一方面酸与纳米晶表面的氢氧根离子配体(目前的纳米晶由于合成工艺的原因，其表面通常带氢氧根离子配体)反应，形成酸根离子配体和生成水，从而大幅减少或消除纳米晶表面的氢氧根离子配体；另一方面，酸可以直接作为氧化物纳米晶的表面配体，减少甚至消除纳米晶表面大量的悬挂键，从而减少了纳米晶表面的缺陷态。这能有效抑制由于氧化物纳米晶与量子点之间淬灭相互作用导致的量子点荧光淬灭，进而提高器件的发光效率。
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公开(公告)号：CN106966441B
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201610556000.9
申请日：2016-07-14
Applicant: 浙江大学
IPC: C01G53/04 , B82Y30/00 , H01L33/14 , H01L31/032 , H01L29/24
Abstract: 本发明公开了一种铜离子掺杂氧化镍胶体纳米晶的制备方法及其产品及其应用。该制备方法包括：以羧酸镍作为前驱体制备氧化镍纳米晶溶液；将铜前驱体和非配位有机溶剂在惰性保护气氛下加热至60～200℃；将铜前驱体和非配位有机溶剂注入到温度为60～200℃的氧化镍纳米晶溶液中，保温20min～6h后纯化，获得CuxNi1‑xO胶体纳米晶；该铜前驱体为羧酸铜或碳负离子铜盐。本发明将CuxNi1‑xO胶体纳米晶的结晶过程从现有CuxNi1‑xO薄膜的结晶成膜过程中分离出来，结晶过程与成膜过程相互独立，从而可以以常规成膜方法制备薄膜，显著将薄膜退火温度降低至50～200℃，从而可以兼容耐高温性能较低的衬底。
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公开(公告)号：CN107565033A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201610525274.1
申请日：2016-07-01
Applicant: 浙江大学 , 纳晶科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种氧化镍薄膜及其制备方法、功能材料、薄膜结构的制作方法及电致发光器件。该氧化镍薄膜包括：氧化镍膜层；具有吸电子基团的有机分子，该有机分子连接设置在氧化镍膜层表面上。该有机分子利用吸电子基团与氧化镍薄膜表面的羟基自由基形成化学键稳定连接，且由于该具有吸电子基团的有机分子的存在，相当于在氧化镍表面建立起一个反向氧化镍的电场，进而提高了氧化镍薄膜的表面功函数。进而将本申请具有高表面功函数的氧化镍薄膜应用到QLED器件和OLED器件时，使得空穴注入率提高，进而可以避免使用对器件有损害的PEDOT：PSS，从而提高了器件的性能和稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103922609B
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201410118081.5
申请日：2014-03-27
Applicant: 浙江大学
IPC: C03C17/23
Abstract: 本发明公开了一种胶体ITO纳米晶薄膜的制备方法，首先将胶体ITO纳米晶溶于非极性溶剂中得到溶液，将所述的溶液涂覆在基底上，得到薄膜；配置浓度为1～100g/L的碱有机溶液，所述的薄膜浸入碱有机溶液中1～100s，得到预处理的薄膜；再将铟盐、锡盐和助燃剂溶于有机溶剂中得到混合溶液，将所述的混合溶液涂覆于预处理的薄膜上，真空条件下，在50～200℃热处理0.5～30h；最后经深紫外光或等离子处理1～120min，得到所述的胶体ITO纳米晶薄膜。本方法简单、可控性好，成本低廉，易于工业化生产；制备得到的透明导电薄膜具有透过率高、电阻率低、薄膜质量好的特点。
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公开(公告)号：CN101445961B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200810163311.4
申请日：2008-12-15
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开的Mg掺杂的ZnO超细纳米线具有六方纤锌矿结构，纳米线的直径为1～10纳米，长度为5～1000纳米。其合成步骤如下：将脂肪酸锌、脂肪酸镁和高沸点有机溶剂混合置于反应烧瓶中，磁力搅拌下加热至100～150℃，抽真空除去反应体系中的水蒸汽和氧气，在惰性保护气氛下加热到200～350℃，再将温度为100～200℃的十八醇快速注入到反应烧瓶中，保温1～100分钟，离心分离，得Mg掺杂的ZnO超细纳米线。本发明制备工艺简单、成本较低、重复性好、易于工业化生产，Mg掺杂的ZnO超细纳米线具有很强的量子限域效应，有望在蓝紫光发光二极管、紫外激光器等诸多领域得到应用。
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公开(公告)号：CN100555680C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200810060888.2
申请日：2008-03-25
Applicant: 浙江大学
Inventor： 金一政
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了用于紫外探测的纳米晶薄膜器件的制备方法，步骤包括：将可溶性半导体纳米晶材料溶于溶剂，制得纳米晶溶液；采用旋涂法或喷墨打印法将纳米晶溶液加工在衬底上，形成均匀的纳米晶薄膜；将纳米晶薄膜在100-350℃温度下退火处理10-60分钟，然后在纳米晶薄膜上蒸镀电极。本发明方法与传统的气相高温生长半导体薄膜紫外探测器相比，无需真空设备，成膜温度低、制备工艺简单，可大幅度降低紫外探测光电器件的成本，并可开发大尺寸器件/可弯曲的“柔性器件”。由于纳米晶具有超大比表面积，因此制得的用于紫外探测的纳米晶薄膜器件具有暗电流低，灵敏度高等特点。
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公开(公告)号：CN101257065A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810060888.2
申请日：2008-03-25
Applicant: 浙江大学
Inventor： 金一政
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了用于紫外探测的纳米晶薄膜器件的制备方法，步骤包括：将可溶性半导体纳米晶材料溶于溶剂，制得纳米晶溶液；采用旋涂法或喷墨打印法将纳米晶溶液加工在衬底上，形成均匀的纳米晶薄膜；将纳米晶薄膜在100－350℃温度下退火处理10－60分钟，然后在纳米晶薄膜上蒸镀电极。本发明方法与传统的气相高温生长半导体薄膜紫外探测器相比，无需真空设备，成膜温度低、制备工艺简单，可大幅度降低紫外探测光电器件的成本，并可开发大尺寸器件/可弯曲的“柔性器件”。由于纳米晶具有超大比表面积，因此制得的用于紫外探测的纳米晶薄膜器件具有暗电流低，灵敏度高等特点。
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公开(公告)号：CN119968014A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202311488938.8
申请日：2023-11-09
Applicant: 浙江大学 , 纳晶科技股份有限公司
IPC: H10K50/115 , H10K50/15 , H10K85/10 , H10K59/10 , H10K101/30
Abstract: 本公开提供了一种量子点发光二极管及含其的显示装置，该量子点发光二极管包括：彼此面对的第一电极和第二电极；空穴注入层，设置在第一电极和第二电极之间；第一空穴传输层，设置在空穴注入层和第二电极之间，包括第一空穴传输材料；第二空穴传输层，设置在第一空穴传输层和第二电极之间，包括第二空穴传输材料；以及量子点层，设置在第二空穴传输层和第二电极之间；其中，第一空穴传输材料的电化学稳定性强于第二空穴传输材料，第一空穴传输材料的电子阻挡能力弱于第二空穴传输材料。量子点发光二极管及含其的显示装置具有提高的工作寿命。
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