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公开(公告)号：CN112687756B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202011612019.3
申请日：2020-12-30
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/102
Abstract: 本发明提供一种基于弱耦合增强的石墨烯结构，这种石墨烯结构通过弱耦合作用是的本体材料具有线性能带特征，促进热电子的跃迁，增加联合态密度；AB结构的存在和厚度的增加配合延长热电子弛豫时间，从而提升高能态热电子数量，同时降低了膜制备工艺的要求和成本，增加了膜制备的成功率。另外，基于石墨烯/半导体肖特基结，可以探测低能量的光，将石墨烯/硅光电器件的探测范围从可见和近红外拓展到中远红外。本发明还提供一种弱耦合增强的石墨烯光电膜，通过弱耦合实现多层石墨烯的光吸收的叠加，提高石墨烯膜的光吸收率，从而在低能量波段，热电子仍然可以积累。
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公开(公告)号：CN108572200B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN201810752911.8
申请日：2018-07-10
Applicant: 浙江大学
IPC: G01N27/12 , C01B32/184
Abstract: 本发明公开了一种气体分子探测器，该探测器是基于一超薄的石墨烯膜实现探测，该超薄的石墨烯膜通过以下方法获得：将表面贴合有石墨烯膜的AAO基底膜以石墨烯膜所在的面朝上，置于水面上；按压AAO基底膜，使得AAO基底膜下沉，石墨烯膜漂浮于水面本发明避开了还原剥离、刻蚀剥离两种剥离手段，保证剥离得到的石墨烯膜不受任何破坏，保持其在AAO基底膜上的原有形态、结构和性能。同时，对AAO基底膜也没有产生任何破坏，可重复利用。由于这种石墨烯膜厚度小，在60nm以下，甚至可以达到几个纳米，这种探测器具有极高的灵敏度。
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公开(公告)号：CN112687756A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011612019.3
申请日：2020-12-30
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/102
Abstract: 本发明提供一种基于弱耦合增强的石墨烯结构，这种石墨烯结构通过弱耦合作用是的本体材料具有线性能带特征，促进热电子的跃迁，增加联合态密度；AB结构的存在和厚度的增加配合延长热电子弛豫时间，从而提升高能态热电子数量，同时降低了膜制备工艺的要求和成本，增加了膜制备的成功率。另外，基于石墨烯/半导体肖特基结，可以探测低能量的光，将石墨烯/硅光电器件的探测范围从可见和近红外拓展到中远红外。本发明还提供一种弱耦合增强的石墨烯光电膜，通过弱耦合实现多层石墨烯的光吸收的叠加，提高石墨烯膜的光吸收率，从而在低能量波段，热电子仍然可以积累。
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公开(公告)号：CN119277811A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411352040.2
申请日：2024-09-26
Applicant: 浙江大学 , 浙江创芯集成电路有限公司
Abstract: 本发明公开一种富硅的ONO结构，包括电荷隧穿层、电荷俘获层、电荷阻挡层；电荷俘获层包括第一电荷俘获层、第二电荷俘获层、第三电荷俘获层；其中第二电荷俘获层为富硅氮化硅；第一电荷俘获层、第二电荷俘获层、第三电荷俘获层根据卷积神经网络预测沉积厚度，进而反推最优沉积工艺参数；本发明通可以实现对于非挥发性存储器器件中氮化硅层厚度的精准控制，从而提高器件性能和可靠性。同时，本发明旨在克服传统制程中存在的高成本、低效率和复杂参数调整等问题，为半导体制造行业提供一种更为先进、高效和可靠的工艺优化方案，从而提高生产效率、降低制程成本，并推动半导体制造技术的进一步发展和应用。
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公开(公告)号：CN118156357B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410285887.7
申请日：2024-03-13
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/115 , H01L31/028 , H01L31/18 , B82Y30/00 , C01B32/921
Abstract: 本发明公开基于碳化钛纳米膜的硅基X射线光电探测器及其制备方法，该光电探测器包括硅衬底、自支撑碳化钛纳米膜、金属电极。通过将Ti3C2Tx纳米膜转移到硅衬底，制备X射线光电探测器。本发明利用单晶硅及Ti3C2Tx纳米膜对X射线的吸收作用，并结合硅/Ti3C2Tx肖特基结所形成的内建电场及外加低电场对辐射产生的光生电子空穴对进行分离，同时硅/Ti3C2Tx肖特基结在X射线辐照下能够激发Ti3C2Tx纳米膜内产生极化子，而大量的极化子能辅助热电子跃迁肖特基势垒，最终得到具有高灵敏度、极低暗电流、高运行稳定性的X射线光电探测器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114582907A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210463755.X
申请日：2022-04-29
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L27/146 , H01L31/028 , H01L31/115
Abstract: 本发明公开了一种基于多层石墨烯/半导体的辐射探测器阵列及其制备方法，辐射探测器阵列包括：多层石墨烯、多层石墨烯接触电极、半导体衬底、绝缘层、欧姆接触电极，其中多层石墨烯为宏观组装石墨烯纳米膜，多层石墨烯与半导体衬底形成异质结，当辐射粒子入射时，可以被多层石墨烯及半导体吸收，在内建电场中产生光生载流子；辐射探测器阵列由若干单像素直接型辐射探测器组成，每个单像素直接型辐射探测器上的电极组成二维面阵电极层；读出电路设置在面阵电极层上。本发明可与传统CMOS集成工艺相结合，并通过外部读出电路实现高灵敏度、低探测极限的阵列辐射探测器。
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公开(公告)号：CN119227537A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411352027.7
申请日：2024-09-26
Applicant: 浙江大学 , 浙江创芯集成电路有限公司
IPC: G06F30/27 , G06F30/367 , G06N3/0464 , G06N3/084 , H01J37/317
Abstract: 本发明公开一种优化集成电路离子注入工艺参数的方法，包括以下步骤：利用Sentaurus TCAD软件的Sentaurus Process对CMOS器件的前段工艺进行仿真，改变其中Halo离子注入步骤中的工艺参数，得到仿真CMOS器件；然后利用该软件中的Sentaurus Device对仿真CMOS器件的电学性质进行数值求解，得到电学数据；利用工艺参数和电学数据对残差神经网络模型进行训练、验证和测试，优化残差神经网络模型参数，最后得到优化的工艺参数。本发明方法不仅提升了离子注入工艺参数的优化效率和精度，还通过深度学习算法和TCAD仿真技术的结合，实现了工艺优化的自动化和智能化。
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公开(公告)号：CN118866730A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411042521.3
申请日：2024-07-31
Applicant: 浙江大学 , 浙江创芯集成电路有限公司
IPC: H01L21/66 , G06N3/0464 , G06N3/045 , G06N3/084
Abstract: 本发明公开一种栅极氧化物虚拟量测方法，首先获取晶圆制造过程中的历史数据，对历史数据进行预处理；然后构建多层神经网络模型，采用预处理后的历史数据对多层神经网络模型进行预训练；最后将所需要的工艺参数变量或工艺过程中传感器数据变量输入预训练好的多层神经网络模型中，获得栅极氧化物的虚拟量测结果。本发明采用多模态的一维深度卷积神经网络，以工艺参数变量或是传感器数据变量作为输入的对栅极氧化物工艺结果的预测，同时将多种氧化衬底方法的参数输入模型中进行综合训练，实现了栅极氧化物参数的结果预测，可以大幅降低栅极氧化物工艺的量测需求。
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公开(公告)号：CN118591271A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410644803.4
申请日：2024-05-23
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本申请涉及二维材料存储器及其制造方法、存储元件。该用于制造二维材料存储器的方法，该方法包括：形成依次层叠的第一电极、介电层、忆阻层及第二电极层；其中，介电层包括层叠设置的至少一层六方氮化硼层；忆阻层包括层叠设置的至少一层二碲化钼层。该方法能够制造稳定性好的二维材料存储器。
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公开(公告)号：CN118588568A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410663608.6
申请日：2024-05-23
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/34 , H01L21/44 , H01L29/417 , H01L29/78
Abstract: 本申请涉及二维材料场效应晶体管及其制造方法。该方法包括：形成层叠于介电层并间隔设置的第一电极图案和第二电极图案，介电层包括层叠设置的一个或两个六方氮化硼层；形成层叠于第一电极图案和第二电极图案的转印贴合层；将介电层结合到沟道层；以及去除转印贴合层。该方法可以方便地、良好地实现电极图案的形成与转印，保证了二维材料场效应晶体管的电学性能。
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