三维多孔g-C3N4材料的制备方法

    公开(公告)号:CN104292236A

    公开(公告)日:2015-01-21

    申请号:CN201410468720.0

    申请日:2014-09-15

    Applicant: 浙江大学

    CPC classification number: C01B21/0605 B01J27/24 B01J35/1004

    Abstract: 本发明是关于半导体材料领域,旨在提供一种三维多孔g-C3N4材料的制备方法。本发明包括三个步骤:A:将H2SO4水溶液逐滴加入80℃的三聚氰胺水溶液中形成白色悬浮液;继续搅拌2h后获得沉淀;将该沉淀过滤,并用蒸馏水、无水乙醇洗涤,干燥处理24h后获得三聚氰胺硫酸盐;B:将三聚氰胺硫酸盐放入刚玉舟中,随后放置在管式炉中进行烧结,待冷却至室温后,将获得的黄色聚合产物研磨至粉状颗粒,获得g-C3N4颗粒;C:g-C3N4水热质子化工艺。本发明的有益效果是:有效降低了g-C3N4聚合温度,通过对三聚氰胺的质子化作用,降低了三聚氰胺的聚合能,使三聚氰胺能在较低温度下能聚合生成石墨状g-C3N4。

    一种白腐菌复合发酵生产漆酶的方法

    公开(公告)号:CN102250845B

    公开(公告)日:2012-09-19

    申请号:CN201110165649.5

    申请日:2011-06-20

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种白腐菌复合发酵生产漆酶的方法,向培养液中接入活化后的组合菌,于25~30℃条件下发酵培养9~12天;其中,所述的组合菌由射脉侧菌、污叉丝孔菌和虫拟蜡菌中的至少两种组成;所述的培养液由基础液体培养基和农作物秸秆粉组成,农作物秸秆粉为玉米杆粉、玉米棒粉、小麦杆粉或稻草杆粉中的至少一种。采用本方法,以玉米棒粉为原料,射脉侧菌和污叉丝孔菌组合协同发酵在第12天产漆酶酶活稳定达到110~120U/mL。本发明方法采用液体发酵,取材广泛,工艺简单;无需芳香化合物或重金属离子诱导等,条件温和;产漆酶活性高,稳定性好,是一种安全、环保、成本低廉、产品高效稳定,且极具工业化前景的生产方法。

    一种烟曲霉发酵生产阿魏酸酯酶的方法

    公开(公告)号:CN102286442A

    公开(公告)日:2011-12-21

    申请号:CN201110257798.4

    申请日:2011-09-02

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种烟曲霉发酵生产阿魏酸酯酶的方法,将经活化的烟曲霉(Aspergillus fumigatus)CGMCC No.3.5835接种于培养液中,并在25~30℃下发酵培养2~6天;其中,所述的培养液由玉米粉或麸皮与基础液体培养基组成。采用本方法,以玉米粉为发酵培养基的主要原料,烟曲霉通过液体发酵在第4~5天产阿魏酸酯酶酶活稳定达到98U/L以上。本发明原料来源广泛,菌株生长繁殖快;工艺简单,条件温和,易于控制;且产阿魏酸酯酶酶活较高,稳定性好,酶活测定方便,为阿魏酸酯酶的工业化生产提供新思路。

    一种(S)-2-羟基丁酰胺的合成方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119350173A

    公开(公告)日:2025-01-24

    申请号:CN202411473355.2

    申请日:2024-10-22

    Abstract: 本发明公开了一种(S)‑2‑羟基丁酰胺的合成方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1:正丙醛与三甲基氰硅烷反应,经后处理得到(S)‑2‑羟基丁腈;步骤2:(S)‑2‑羟基丁腈与硼酸反应,经后处理得到(S)‑2‑羟基丁酰胺。本发明制备得到了高纯度的目标产物,可用作布立西坦质量研究的标准品;而且本发明的合成路线简单,工艺简单,成本低廉,操作安全。

    多孔g-C3N4半导体材料的制备方法

    公开(公告)号:CN104310321A

    公开(公告)日:2015-01-28

    申请号:CN201410469169.1

    申请日:2014-09-15

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明是关于半导体材料领域,旨在提供多孔g-C3N4半导体材料的制备方法。本发明包括如下步骤:取三聚氰胺粉体置于坩埚舟中,并将其放入管式炉中,升温热处理,再冷却,得到黄色块状g-C3N4固体进行研磨;将g-C3N4颗粒装入球磨罐中,进行球磨预处理;在球磨后的料浆中加入相同球磨溶剂,进行烘干,获得g-C3N4颗粒;将得到的g-C3N4颗粒分散于乙醇中,并超声处理使其分散;在g-C3N4的乙醇分散液中加入硫酸调节其pH,再水热反应,制备出多孔g-C3N4。本发明的有益效果是:通过球磨工艺与质子化作用的结合,较为便捷地制备出多孔g-C3N4,解决了传统方法所制备g-C3N4比表面积小、效率低问题。

    一种烟曲霉发酵生产阿魏酸酯酶的方法

    公开(公告)号:CN102286442B

    公开(公告)日:2012-08-29

    申请号:CN201110257798.4

    申请日:2011-09-02

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种烟曲霉发酵生产阿魏酸酯酶的方法,将经活化的烟曲霉(Aspergillus fumigatus)CGMCC No.3.5835接种于培养液中,并在25~30℃下发酵培养2~6天;其中,所述的培养液由玉米粉或麸皮与基础液体培养基组成。采用本方法,以玉米粉为发酵培养基的主要原料,烟曲霉通过液体发酵在第4~5天产阿魏酸酯酶酶活稳定达到98U/L以上。本发明原料来源广泛,菌株生长繁殖快;工艺简单,条件温和,易于控制;且产阿魏酸酯酶酶活较高,稳定性好,酶活测定方便,为阿魏酸酯酶的工业化生产提供新思路。

    微生物细胞催化异黄腐酚合成8-异戊烯基柚皮素的方法

    公开(公告)号:CN102115772A

    公开(公告)日:2011-07-06

    申请号:CN201010592602.2

    申请日:2010-12-16

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种微生物细胞催化异黄腐酚合成8-异戊烯基柚皮素的方法,包括:向灭过菌的培养液中接入爪哇正青霉CGMCC NO.3.5706,得到预反应体系;再加入含有异黄腐酚的底物溶液,于25-30℃转化反应5-7天得到转化后的培养液,其中异黄腐酚用量以每升培养液计为0.01-0.1g;转化后的培养液经后处理得到8-异戊烯基柚皮素。该方法较直接提取法和化学合成法具有操作简单、转化条件温和,效率高、安全性好、成本低、转化过程安全可靠等特点。

    一种(R)-4-丙基吡咯烷-2-酮的合成方法

    公开(公告)号:CN119350213A

    公开(公告)日:2025-01-24

    申请号:CN202411466629.5

    申请日:2024-10-21

    Abstract: 本发明公开了一种(R)‑4‑丙基吡咯烷‑2‑酮的合成方法,包括以下步骤:步骤S1:(R)‑3‑(氯甲基)己酰氯与氨气发生反应,经后处理得到(R)‑3‑(氯甲基)己酰胺;步骤S2:(R)‑3‑(氯甲基)己酰胺在碱性条件下发生分子内关环反应,经后处理得到(R)‑4‑丙基吡咯烷‑2‑酮。本发明制备得到了高纯度的目标产物,可用作布立西坦质量研究的标准品;而且本发明的合成路线简单,工艺简单,成本低廉,操作安全。

    InVO<base:Sub>4</base:Sub>/g‑C<base:Sub>3</base:Sub>N<base:Sub>4</base:Sub>复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN104307550B

    公开(公告)日:2017-08-25

    申请号:CN201410470013.5

    申请日:2014-09-15

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明是关于半导体材料领域,旨在提供InVO4/g‑C3N4复合材料的制备方法。本发明包括如下步骤:将H2SO4水溶液逐滴加入三聚氰胺水溶液中形成白色悬浮液;80℃下搅拌2h后获得沉淀,过滤,并用蒸馏水和无水乙醇洗涤,干燥处理后获得三聚氰胺硫酸盐;获得g‑C3N4颗粒;将g‑C3N4颗粒分散到无水乙醇中得到分散体系,将偏钒酸铵水溶液逐滴加入该混合溶液中形成黄色澄清溶液;搅拌获得沉淀,过滤、洗涤,加入表面活性剂并进行水热反应;所得沉淀过滤,获得InVO4/g‑C3N4复合材料。本发明的有益效果是:解决了InVO4纳米晶的形核、生长问题,促使InVO4纳米晶在疏松g‑C3N4颗粒表面原位生长。

    InVO4/g-C3N4复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN104307550A

    公开(公告)日:2015-01-28

    申请号:CN201410470013.5

    申请日:2014-09-15

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明是关于半导体材料领域,旨在提供InVO4/g-C3N4复合材料的制备方法。本发明包括如下步骤:将H2SO4水溶液逐滴加入三聚氰胺水溶液中形成白色悬浮液;80℃下搅拌2h后获得沉淀,过滤,并用蒸馏水和无水乙醇洗涤,干燥处理后获得三聚氰胺硫酸盐;获得g-C3N4颗粒;将g-C3N4颗粒分散到无水乙醇中得到分散体系,将偏钒酸铵水溶液逐滴加入该混合溶液中形成黄色澄清溶液;搅拌获得沉淀,过滤、洗涤,加入表面活性剂并进行水热反应;所得沉淀过滤,获得InVO4/g-C3N4复合材料。本发明的有益效果是:解决了InVO4纳米晶的形核、生长问题,促使InVO4纳米晶在疏松g-C3N4颗粒表面原位生长。

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