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公开(公告)号：CN102315830A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110104062.3
申请日：2011-04-25
Applicant: 浙江大学
IPC: H03H3/02
Abstract: 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器的制备方法，该方法包括以下步骤：准备硅衬底，清洗、烘干；在硅衬底上淀积一层低应力Si3N4薄膜，涂抹光刻胶，光刻窗口图形并刻蚀掉窗口中的Si3N4；采用刻蚀窗口形成通孔并清除残余的光刻胶和Si3N4；使用牺牲材料填充通孔并抛光表面；于经抛光的表面上依次沉积下电极、压电薄膜、上电极的结构；释放牺牲层并干燥，制备薄膜体声波谐振器。本发明方法工艺简单，在衬底上制备出结构稳定、机械强度高及Q值高的薄膜体声波谐振器。
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公开(公告)号：CN101236967A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200810060088.0
申请日：2008-03-05
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种反相器内嵌的可控硅，包括P型衬底，P型衬底上设有紧密相连的N阱和P阱，由N阱指向P阱的方向，所述的N阱和P阱上依次设有第一N+注入区、第一P+注入区、第二P+注入区、第二N+注入区、第三N+注入区和第三P+注入区，所述的P阱和N阱边界位于第二P+注入区的下方，第一N+注入区和第一P+注入区之间、第三N+注入区和第三P+注入区通过浅壕沟隔离，第二P+注入区和第二N+注入区紧密相连，第一P+注入区和第二P+注入区之间、第二N+注入区和第三N+注入区之间的N阱或P阱表面覆由多晶硅层，P阱或N阱与多晶硅层通过SiO2氧化层隔离。本发明的本发明提供的反相器内嵌的可控硅触发电压可调，同时整个反相器内嵌于SCR之内，不额外增加面积。
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公开(公告)号：CN102738210A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201110096436.1
申请日：2011-04-15
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种沟槽结构的半导体装置，在N型导电半导体材料表面含有沟槽；在沟槽之间半导体材料上部整个区域为P型导电材料区，在P型导电材料区上表面为钝化层；在沟槽底部边缘拐角处的半导体材料体内，为P型导电材料区；在沟槽的侧壁和底部N型导电半导体材料表面是肖特基势垒结。本发明还提供了一种半导体装置的制造方法，通过的本发明的半导体装置制造方法，可通过两次光刻工艺制造出一种快恢复二极管。
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公开(公告)号：CN101783580B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200910156953.6
申请日：2009-12-24
Applicant: 浙江大学
IPC: H02M1/08
Abstract: 本发明公开了一种采样保持电路中抑制衬底偏置效应的高频开关电路，包括由两个NMOS晶体管，两个PMOS晶体管组成的第一抑制衬底偏置高频开关单元；两个NMOS晶体管，两个PMOS晶体管组成的第二抑制衬底偏置高频开关单元；一个NMOS晶体管和一个PMOS晶体管组成的传输门开关。本发明高频开关电路由于开关寄生电容引入的馈通信号可以旁路到地，使得开关关闭后输入端的变化不会影响到输出端，从而实现了高精度的保持功能。采用了抑制衬底偏置效应的开关设计，由于衬底与源极电位不相等而导致的阈值电压变化得到了抑制，使得了开关电路的等效电阻线性度更好，提高了电路的信噪失真比。
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公开(公告)号：CN101236218A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200810059870.0
申请日：2008-02-26
Applicant: 浙江大学
IPC: G01R19/00 , G01R19/165 , H03K17/687
Abstract: 本发明公开了一种AC/DC转换器中功率开关管漏端电压检测电路，包括一三极管，三极管的基极连接有偏置电路，集电极连接有电流镜，电流镜的输出端口与电流电压转换模块相连接，电流电压转换模块的输出端口与一比较器相连接，比较器的输出端口与上升沿检测电路相连接，三极管的发射极连接有输出电压过压检测电路，电流镜连接有线压过压检测电路，偏置电路上设有一开关管，电流电压转换模块设有两个开关管，三个开关管连接于同一时序控制电路。本发明的电压检测电路不仅实现了对开关管漏端电压的检测，而且当不进行电压检测时，还可以对母线输入电压与输出电压进行过压保护检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102219494A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110110451.7
申请日：2011-04-29
Applicant: 浙江大学
IPC: C04B35/44 , C04B35/622
Abstract: 本发明提出了一种简单快速制备高质量的、具有P型导电性CuAlO2半导体体材料的方法。将Cu2O粉末和Al2O3粉末以1：1的摩尔比配料；装入球磨罐中球磨3-5小时，获得粒径不超过300nm、混合均匀的原料粉末；再利用粉末压片机，在30MPa的静压制压力下保压1-3分钟，将混合均匀的粉末压制成直径约3cm、高度2-5mm的圆柱状靶材坯料；然后利用真空陶瓷管管式炉，在氩气保护及优化的升降温速率、保温温度和反应气压条件下烧结得到单一晶相的CuAlO2体材料。本发明制备P型CuAlO2半导体材料具有烧结时间短，产量大，产物纯度高等优点，是进一步制备高质量P型CuAlO2薄膜的理想原料，在真空镀膜领域具有很大应用前景。
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公开(公告)号：CN100530652C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200810060087.6
申请日：2008-03-05
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种用于静电放电保护的可控硅，包括P型衬底，所述的P型衬底上设有紧密相连的N阱和P阱，由P阱指向N阱的方向，所述的P阱和N阱上依次设有第一P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区、第二P+注入区、第三P+注入区和第三N+注入区，所述的P阱和N阱边界线设于第二N+注入区或第二P+注入区下方，第一P+注入区和第一N+注入区之间、第二N+注入区和第二P+注入区之间、第三P+注入区和第三N+注入区之间通过浅壕沟隔离，第一N+注入区和第二N+注入区之间、第二P+注入区和第三P+注入区之间的N阱或P阱表面覆有多晶硅层，P阱或N阱与多晶硅层通过SiO2氧化层隔离。本发明的可控硅触发电压低，能在相应范围内自由调整且具有高热击穿电流。
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公开(公告)号：CN1707892A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200510049275.5
申请日：2005-01-28
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明的c－MgxZn1－xO/MgO多量子阱异质结构材料，其结构特征是：由6个～25个c－MgxZn1－xO/MgO“势阱/势垒”周期所构成；MgO材料做势垒层，c－MgxZn1－xO(即立方MgxZn1－xO)材料做势阱层；每个“势阱/势垒”周期中的垒层厚度为20nm～30nm，阱层厚度为2nm～3nm。本发明的c－MgxZn1－xO/MgO多量子阱异质结构材料，其制备工艺特征是：采用电子束反应蒸发方法，通过让高能聚焦电子束交替轰击MgO陶瓷靶材和(MgO)x(ZnO)1－x陶瓷靶材，在衬底表面交替生长超薄MgO势垒层和超薄c－MgxZn1－xO势阱层得到c－MgxZn1－xO/MgO多量子阱异质结构材料产品。
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公开(公告)号：CN1661777A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200510048929.2
申请日：2005-01-18
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明涉及一种ZnO纳米柱列阵结构材料及其制备技术，属于氧化物半导体光电子微结构材料及其气相外延制备技术领域。本发明的ZnO纳米柱列阵结构材料，其特征是ZnO纳米柱的晶轴呈高度的c－轴取向(即垂直于衬底表面)并且排列有序。该材料的制备特征是采用电子束反应蒸发技术，在衬底表面生长得到。
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公开(公告)号：CN101707214B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200910153987.X
申请日：2009-11-30
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置，包括：衬底层、漂移层、耗尽层、抑制反偏漏电流P型区、重掺杂层、肖特基势垒层、小面积P型区；若干个相互分离的抑制反偏漏电流P型区位于漂移层和耗尽层中，用于当所述的半导体装置加反向偏压时，在耗尽层半导体材料中扩展形成大面积耗尽区域；本发明还提供一种半导体装置的制作方法。本发明的半导体装置与方法，在减少一定量的正向压降的同时还可以降低一定量的反向漏电流，同时提高装置的开关速度，对装置的电参数特性进行进一步优化。
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