公开(公告)号：CN102219494B

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201110110451.7

申请日：2011-04-29

Applicant: 浙江大学

Inventor： 邱东江 ,  范文志 ,  王俊 ,  蒋银土 ,  丁扣宝 ,  施红军 ,  翁圣

IPC: C04B35/44 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提出了一种简单快速制备高质量的、具有P型导电性CuAlO2半导体体材料的方法。将Cu2O粉末和Al2O3粉末以1：1的摩尔比配料；装入球磨罐中球磨3-5小时，获得粒径不超过300nm、混合均匀的原料粉末；再利用粉末压片机，在30MPa的静压制压力下保压1-3分钟，将混合均匀的粉末压制成直径约3cm、高度2-5mm的圆柱状靶材坯料；然后利用真空陶瓷管管式炉，在氩气保护及优化的升降温速率、保温温度和反应气压条件下烧结得到单一晶相的CuAlO2体材料。本发明制备P型CuAlO2半导体材料具有烧结时间短，产量大，产物纯度高等优点，是进一步制备高质量P型CuAlO2薄膜的理想原料，在真空镀膜领域具有很大应用前景。

公开(公告)号：CN100356642C

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200510049275.5

申请日：2005-01-28

Applicant: 浙江大学

Inventor： 邱东江 ,  吴惠桢 ,  余萍 ,  陈奶波 ,  徐天宁 ,  丁扣宝 ,  施红军

IPC: H01S5/347 ,  H01L33/00 ,  H01L31/00 ,  C30B29/16 ,  C30B29/22 ,  H01L21/20 ,  C23C14/08 ,  C23C14/22

Abstract: 本发明的c-MgxZn1-xO/MgO多量子阱异质结构材料，其结构特征是：由6个～25个c-MgxZn1-xO/MgO“势阱/势垒”周期所构成；MgO材料做势垒层，c-MgxZn1-xO(即立方MgxZn1-xO)材料做势阱层；每个“势阱/势垒”周期中的垒层厚度为20nm～30nm，阱层厚度为2nm～3nm。本发明的c-MgxZn1-xO/MgO多量子阱异质结构材料，其制备工艺特征是：采用电子束反应蒸发方法，通过让高能聚焦电子束交替轰击MgO陶瓷靶材和(MgO)x(ZnO)1-x陶瓷靶材，在衬底表面交替生长超薄MgO势垒层和超薄c-MgxZn1-xO势阱层得到c-MgxZn1-xO/MgO多量子阱异质结构材料产品。

公开(公告)号：CN1312733C

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200510048929.2

申请日：2005-01-18

Applicant: 浙江大学

Inventor： 邱东江 ,  余萍 ,  徐天宁 ,  陈奶波 ,  吴惠桢 ,  施红军 ,  丁扣宝 ,  蒋银土

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/00 ,  C01G9/02 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00

Abstract: 本发明涉及一种ZnO纳米柱列阵结构材料及其制备技术，属于氧化物半导体光电子微结构材料及其气相外延制备技术领域。本发明的ZnO纳米柱列阵结构材料，其特征是ZnO纳米柱的晶轴呈高度的c-轴取向(即垂直于衬底表面)并且排列有序。该材料的制备特征是采用电子束反应蒸发技术，在衬底表面生长得到。

公开(公告)号：CN102219494A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN201110110451.7

申请日：2011-04-29

Applicant: 浙江大学

Inventor： 邱东江 ,  范文志 ,  王俊 ,  蒋银土 ,  丁扣宝 ,  施红军 ,  翁圣

IPC: C04B35/44 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提出了一种简单快速制备高质量的、具有P型导电性CuAlO2半导体体材料的方法。将Cu2O粉末和Al2O3粉末以1：1的摩尔比配料；装入球磨罐中球磨3-5小时，获得粒径不超过300nm、混合均匀的原料粉末；再利用粉末压片机，在30MPa的静压制压力下保压1-3分钟，将混合均匀的粉末压制成直径约3cm、高度2-5mm的圆柱状靶材坯料；然后利用真空陶瓷管管式炉，在氩气保护及优化的升降温速率、保温温度和反应气压条件下烧结得到单一晶相的CuAlO2体材料。本发明制备P型CuAlO2半导体材料具有烧结时间短，产量大，产物纯度高等优点，是进一步制备高质量P型CuAlO2薄膜的理想原料，在真空镀膜领域具有很大应用前景。

公开(公告)号：CN1707892A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200510049275.5

申请日：2005-01-28

Applicant: 浙江大学

Inventor： 邱东江 ,  吴惠桢 ,  余萍 ,  陈奶波 ,  徐天宁 ,  丁扣宝 ,  施红军

IPC: H01S5/347 ,  H01L33/00 ,  H01L31/00 ,  C30B29/16 ,  C30B29/22 ,  H01L21/20 ,  C23C14/08 ,  C23C14/22

Abstract: 本发明的c－MgxZn1－xO/MgO多量子阱异质结构材料，其结构特征是：由6个～25个c－MgxZn1－xO/MgO“势阱/势垒”周期所构成；MgO材料做势垒层，c－MgxZn1－xO(即立方MgxZn1－xO)材料做势阱层；每个“势阱/势垒”周期中的垒层厚度为20nm～30nm，阱层厚度为2nm～3nm。本发明的c－MgxZn1－xO/MgO多量子阱异质结构材料，其制备工艺特征是：采用电子束反应蒸发方法，通过让高能聚焦电子束交替轰击MgO陶瓷靶材和(MgO)x(ZnO)1－x陶瓷靶材，在衬底表面交替生长超薄MgO势垒层和超薄c－MgxZn1－xO势阱层得到c－MgxZn1－xO/MgO多量子阱异质结构材料产品。

公开(公告)号：CN1661777A

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN200510048929.2

申请日：2005-01-18

Applicant: 浙江大学

Inventor： 邱东江 ,  余萍 ,  徐天宁 ,  陈奶波 ,  吴惠桢 ,  施红军 ,  丁扣宝 ,  蒋银土

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/00 ,  C01G9/02 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00

Abstract: 本发明涉及一种ZnO纳米柱列阵结构材料及其制备技术，属于氧化物半导体光电子微结构材料及其气相外延制备技术领域。本发明的ZnO纳米柱列阵结构材料，其特征是ZnO纳米柱的晶轴呈高度的c－轴取向(即垂直于衬底表面)并且排列有序。该材料的制备特征是采用电子束反应蒸发技术，在衬底表面生长得到。

公开(公告)号：CN1330576C

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200510048904.2

申请日：2005-01-14

Applicant: 浙江大学

Inventor： 邱东江 ,  施红军 ,  蒋银土 ,  余萍 ,  吴惠桢

IPC: C01G9/02

Abstract: 本发明涉及一种具有玫瑰花状形貌特征的ZnO纳米结构材料及其制备技术，属于半导体光电子材料与器件技术领域。本发明的玫瑰花状ZnO纳米结构材料，其特征是直接在衬底表面生长出具有玫瑰花状形貌特征的ZnO纳米晶体结构材料。该材料的制备特征是采用电子束反应蒸发技术，在衬底表面生长得到。

公开(公告)号：CN1654334A

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN200510048904.2

申请日：2005-01-14

Applicant: 浙江大学

Inventor： 邱东江 ,  施红军 ,  蒋银土 ,  余萍 ,  吴惠桢

IPC: C01G9/02

Abstract: 本发明涉及一种具有玫瑰花状形貌特征的ZnO纳米结构材料及其制备技术，属于半导体光电子材料与器件技术领域。本发明的玫瑰花状ZnO纳米结构材料，其特征是直接在衬底表面生长出具有玫瑰花状形貌特征的ZnO纳米晶体结构材料。该材料的制备特征是采用电子束反应蒸发技术，在衬底表面生长得到。