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公开(公告)号：CN102176185B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201110025067.7
申请日：2011-01-24
Applicant: 浙江大学
IPC: G05F3/24
Abstract: 本发明公开了一种亚阈值CMOS基准源，包括启动电路、正温度系数电路、负温度系数电路和输出电路，还设有体偏置补偿电路，与所述的正温度系数电路和负温度系数电路相连，用于产生体偏置电压，来控制所述的正温度系数电路和负温度系数电路中工作在亚阈值区域的NMOS管的阈值电压，以补偿由于电源电压变化导致的输出基准电压的偏差，最终在输出电路中产生一个温度系数近似为零的基准电压。本发明亚阈值CMOS基准源的输出基准电压值在电源电压变化时基本保持一致，电源抑制比和线性度得到有效的改善，而且没有明显增加电路复杂度。
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公开(公告)号：CN101783580B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200910156953.6
申请日：2009-12-24
Applicant: 浙江大学
IPC: H02M1/08
Abstract: 本发明公开了一种采样保持电路中抑制衬底偏置效应的高频开关电路，包括由两个NMOS晶体管，两个PMOS晶体管组成的第一抑制衬底偏置高频开关单元；两个NMOS晶体管，两个PMOS晶体管组成的第二抑制衬底偏置高频开关单元；一个NMOS晶体管和一个PMOS晶体管组成的传输门开关。本发明高频开关电路由于开关寄生电容引入的馈通信号可以旁路到地，使得开关关闭后输入端的变化不会影响到输出端，从而实现了高精度的保持功能。采用了抑制衬底偏置效应的开关设计，由于衬底与源极电位不相等而导致的阈值电压变化得到了抑制，使得了开关电路的等效电阻线性度更好，提高了电路的信噪失真比。
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公开(公告)号：CN101510769B
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200910301327.1
申请日：2009-04-03
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: H03C1/36
Abstract: 本发明公开了一种采用体电位调制器的C类反向器。体电位调制器由目标MOS器件(30)、感应MOS器件(31)、感应电流转电压电路(32)及反馈电路(33)共同构成“感应反馈”环路。新型C类反向器包括现有技术的C类反向器模块以及本发明中的PMOS体电位调制器和NMOS体电位调制器，其中PMOS体电位调制器和NMOS体电位调制器均为本发明所述的体电位调制器的电路实现形式。体电位调制器能够实现对目标MOS器件参数的实时调制，极大地减弱了工艺偏差的影响。由于MOS器件参数在弱反型区对工艺偏差极为敏感，所以体电位调制器一般作用于亚阈值电路关键部位的MOS器件中。
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公开(公告)号：CN101621292A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200910301483.8
申请日：2009-04-10
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种采用新型C类反向器的开关电容积分器及其一种伪差分结构的开关电容积分器实现形式。伪差分结构开关电容积分器包括两个新型C类反向器(60)以及现有技术的电容(采样电容C S 、补偿电容C C 和积分电容C I 等)、开关(NMOS开关S2、S4、S7和S8，CMOS开关S3、S5以及自举NMOS开关S1、S6和S9等)、共模反馈电路(61)。其中两个新型C类反向器分别位于积分器正向和负向支路且差分对称，构成伪差分结构。本发明通过新型C类反向器中体电位调制器的体电位调制作用，克服了工艺偏差对于开关电容积分器工作频率、建立时间、积分精度和功耗等指标的影响，在不明显增加功耗的情况极大地提高积分器的稳定性和鲁棒性。
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公开(公告)号：CN101783580A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200910156953.6
申请日：2009-12-24
Applicant: 浙江大学
IPC: H02M1/08
Abstract: 本发明公开了一种采样保持电路中抑制衬底偏置效应的高频开关电路，包括由两个NMOS晶体管，两个PMOS晶体管组成的第一抑制衬底偏置高频开关单元；两个NMOS晶体管，两个PMOS晶体管组成的第二抑制衬底偏置高频开关单元；一个NMOS晶体管和一个PMOS晶体管组成的传输门开关。本发明高频开关电路由于开关寄生电容引入的馈通信号可以旁路到地，使得开关关闭后输入端的变化不会影响到输出端，从而实现了高精度的保持功能。采用了抑制衬底偏置效应的开关设计，由于衬底与源极电位不相等而导致的阈值电压变化得到了抑制，使得了开关电路的等效电阻线性度更好，提高了电路的信噪失真比。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101510769A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910301327.1
申请日：2009-04-03
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: H03C1/36
Abstract: 本发明公开了一种采用体电位调制器的C类反向器。体电位调制器由目标MOS器件(30)、感应MOS器件(31)、感应电流转电压电路(32)及反馈电路(33)共同构成“感应反馈”环路。新型C类反向器包括现有技术的C类反向器模块以及本发明中的PMOS体电位调制器和NMOS体电位调制器，其中PMOS体电位调制器和NMOS体电位调制器均为本发明所述的体电位调制器的电路实现形式。体电位调制器能够实现对目标MOS器件参数的实时调制，极大地减弱了工艺偏差的影响。由于MOS器件参数在弱反型区对工艺偏差极为敏感，所以体电位调制器一般作用于亚阈值电路关键部位的MOS器件中。
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公开(公告)号：CN101640539B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN200910301563.3
申请日：2009-06-19
Applicant: 浙江大学
IPC: H03M3/02
Abstract: 本发明公开了一种采用新型C类反向器的Sigma-Delta模数转换器。本发明所述的Sigma-Delta模数转换器包括基于新型C类反向器的Sigma-Delta调制器(52)以及现有技术的反混叠滤波器(50)、采样保持器(51)和数字抽取滤波器(53)。在Sigma-Delta调制器(52)中，环路滤波器(55)由基于新型C类反向器的伪差分结构开关电容积分器通过现有技术的单环串联或多路级联方式实现，通过新型C类反向器中体电位调制器在反向器输入管体端的体电位调制作用，克服了工艺偏差对模数转换器环路滤波精确性的不利影响，在不明显增加功耗的情况极大地提高电路的稳定性和鲁棒性。
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公开(公告)号：CN101692603B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN200910301712.6
申请日：2009-04-21
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种增益自举型C类反向器及其应用电路。该增益自举型C类反向器是在现有技术的C类反向器32的基础上，增加微功耗的增益自举模块30、31和体电位调制模块33、34。增益自举模块30和31在不明显损失输出摆幅和增加电路功耗的情况下极大地提高C类反向器的稳态增益，进而提高基于增益自举型C类反向器的伪差分结构开关电容积分器的积分精度，以及模数转换器的模数转换精度，拓宽了C类反向器的应用范围；体电位调制模块33和34使整个反向器的稳态特性(增益、带宽、静态功耗等)和动态特性(摆率、建立时间、动态功耗等)在不同工艺角情况下较为一致，在不明显增加功耗的情况极大地提高增益自举型C类反向器应用电路的稳定性和鲁棒性。
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公开(公告)号：CN101621292B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN200910301483.8
申请日：2009-04-10
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种采用新型C类反向器的开关电容积分器及其一种伪差分结构的开关电容积分器实现形式。伪差分结构开关电容积分器包括两个新型C类反向器(60)以及现有技术的电容(采样电容CS、补偿电容CC和积分电容CI等)、开关(NMOS开关S2、S4、S7和S8，CMOS开关S3、S5以及自举NMOS开关S1、S6和S9等)、共模反馈电路(61)。其中两个新型C类反向器分别位于积分器正向和负向支路且差分对称，构成伪差分结构。本发明通过新型C类反向器中体电位调制器的体电位调制作用，克服了工艺偏差对于开关电容积分器工作频率、建立时间、积分精度和功耗等指标的影响，在不明显增加功耗的情况极大地提高积分器的稳定性和鲁棒性。
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公开(公告)号：CN102176185A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110025067.7
申请日：2011-01-24
Applicant: 浙江大学
IPC: G05F3/24
Abstract: 本发明公开了一种亚阈值CMOS基准源，包括启动电路、正温度系数电路、负温度系数电路和输出电路，还设有体偏置补偿电路，与所述的正温度系数电路和负温度系数电路相连，用于产生体偏置电压，来控制所述的正温度系数电路和负温度系数电路中工作在亚阈值区域的NMOS管的阈值电压，以补偿由于电源电压变化导致的输出基准电压的偏差，最终在输出电路中产生一个温度系数近似为零的基准电压。本发明亚阈值CMOS基准源的输出基准电压值在电源电压变化时基本保持一致，电源抑制比和线性度得到有效的改善，而且没有明显增加电路复杂度。
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