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公开(公告)号：CN100371509C
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200510048905.7
申请日：2005-01-14
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明的ZnO纳米晶柱/纳米晶丝复合结构产品属于一种用气相外延技术制备得到的氧化物微结构材料，其特征是先在衬底表面生长出高度c-轴取向(即垂直于衬底表面)的、高密度且均匀分布的六方结构ZnO纳米晶柱阵列，然后再在ZnO纳米柱阵列之上形成取向随机但几乎平行于衬底表面的、高密度的ZnO纳米晶丝。该产品的制备特征是采用电子束反应蒸发技术，通过“二步沉积”工艺，在基底表面一次性生长得到。
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公开(公告)号：CN100366789C
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200510049983.9
申请日：2005-06-07
Applicant: 浙江大学
IPC: C23C14/30 , C23C14/54 , C23C14/06 , C23C14/58 , H01L21/203
Abstract: 一种纤锌矿结构Zn1-xMgxO(0≤x≤0.36)半导体纳米晶体薄膜的低温制备方法，其特征是采用电子束加热蒸发(MgO)y(ZnO)1-y靶材，y为原子个数比，0≤y≤2%，并在电离的O气氛中沉积Zn1-xMgxO半导体纳米晶体薄膜，即由电子枪发射出高能电子束，电子束经聚焦后直接轰击由高纯MgO、ZnO粉末按一定组分配比、并经高温烧结而成的(MgO)y(ZnO)1-y靶材，电子束的动能变成热能，使得热蒸发的ZnO和MgO分子离开表面，散射并沉积到已加热的衬底表面，再通过扩散运动形成晶核，晶核连续生长以形成晶粒均匀致密、表面平整的纳米晶体薄膜，最后是低温沉积的ZnMgO纳米薄膜在氧气气氛中经高温300～600℃退火处理，制备得到纤锌矿结构Zn1-xMgxO(0≤x≤0.36)半导体纳米晶体薄膜。
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公开(公告)号：CN100356642C
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200510049275.5
申请日：2005-01-28
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明的c-MgxZn1-xO/MgO多量子阱异质结构材料，其结构特征是：由6个～25个c-MgxZn1-xO/MgO“势阱/势垒”周期所构成；MgO材料做势垒层，c-MgxZn1-xO(即立方MgxZn1-xO)材料做势阱层；每个“势阱/势垒”周期中的垒层厚度为20nm～30nm，阱层厚度为2nm～3nm。本发明的c-MgxZn1-xO/MgO多量子阱异质结构材料，其制备工艺特征是：采用电子束反应蒸发方法，通过让高能聚焦电子束交替轰击MgO陶瓷靶材和(MgO)x(ZnO)1-x陶瓷靶材，在衬底表面交替生长超薄MgO势垒层和超薄c-MgxZn1-xO势阱层得到c-MgxZn1-xO/MgO多量子阱异质结构材料产品。
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公开(公告)号：CN1312733C
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200510048929.2
申请日：2005-01-18
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明涉及一种ZnO纳米柱列阵结构材料及其制备技术，属于氧化物半导体光电子微结构材料及其气相外延制备技术领域。本发明的ZnO纳米柱列阵结构材料，其特征是ZnO纳米柱的晶轴呈高度的c-轴取向(即垂直于衬底表面)并且排列有序。该材料的制备特征是采用电子束反应蒸发技术，在衬底表面生长得到。
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公开(公告)号：CN1725446A
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN200510050089.3
申请日：2005-06-15
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明涉及一种具有室温铁磁特征的Zn1－xCoxO(即Co掺杂的ZnO，其中x为Co原子和Zn原子的归一化原子个数比，0＜x≤0.5)半导体薄膜材料制备技术，采用商用化的电子束反应蒸发系统，用易获得的多晶ZnO粉和Co粉、Co2O3粉或Co3O4粉为材料，直接在衬底表面生长得到，除了主掺杂元素Co之外，不需要其他辅掺杂元素(如Cu等)，并且其居里温度高于室温，因而制备工艺相对简单、易于控制，适合于大面积、低成本制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1862834A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200610050305.9
申请日：2006-04-11
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , C23F1/16
Abstract: 本发明涉及一种应用新型高介电常数(κ)材料－立方镁锌氧(ZnMgO)晶体薄膜做栅绝缘层、六方相ZnO基半导体纳米薄膜做沟道层、氧化铟锡(ITO)或掺铝氧化锌(ZnO：Al)导电玻璃做电极的薄膜晶体管(TFT)的制备工艺，属于微电子技术领域。其优点是能直接在玻璃衬底上低温生长有源层与栅绝缘层器件结构，提供一种简便地TFT制造工艺，与现有的非晶或多晶硅TFT相比，氧化锌基TFT具有对可见光透明、迁移率高等特点。在平板显示，打印机、复印机和摄像机等产品中具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN1707892A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200510049275.5
申请日：2005-01-28
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明的c－MgxZn1－xO/MgO多量子阱异质结构材料，其结构特征是：由6个～25个c－MgxZn1－xO/MgO“势阱/势垒”周期所构成；MgO材料做势垒层，c－MgxZn1－xO(即立方MgxZn1－xO)材料做势阱层；每个“势阱/势垒”周期中的垒层厚度为20nm～30nm，阱层厚度为2nm～3nm。本发明的c－MgxZn1－xO/MgO多量子阱异质结构材料，其制备工艺特征是：采用电子束反应蒸发方法，通过让高能聚焦电子束交替轰击MgO陶瓷靶材和(MgO)x(ZnO)1－x陶瓷靶材，在衬底表面交替生长超薄MgO势垒层和超薄c－MgxZn1－xO势阱层得到c－MgxZn1－xO/MgO多量子阱异质结构材料产品。
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公开(公告)号：CN1661777A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200510048929.2
申请日：2005-01-18
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明涉及一种ZnO纳米柱列阵结构材料及其制备技术，属于氧化物半导体光电子微结构材料及其气相外延制备技术领域。本发明的ZnO纳米柱列阵结构材料，其特征是ZnO纳米柱的晶轴呈高度的c－轴取向(即垂直于衬底表面)并且排列有序。该材料的制备特征是采用电子束反应蒸发技术，在衬底表面生长得到。
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公开(公告)号：CN1261780C
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200410067858.6
申请日：2004-11-02
Applicant: 浙江大学
Abstract: 一种MgZnO晶体薄膜光波导器件，由衬底、下包层、芯层和上包层构成，衬底采用玻璃或SiO2/Si，芯层为立方MgxZn1-xO(x＞0.5)晶体薄膜，折射率可随薄膜中Mg组分的改变实现连续可调，上、下包层可以是Mg组分比芯层高的MgyZn1-yO(y＞0.5)薄膜，也可以是SiO2薄膜，上包层也可以是空气。光波导器件是在衬底上低温物理外延生长立方MgxZn1-xO芯层和包层，并通过湿法或干法刻蚀后得到的。本发明具有制备工艺简单，成本低，波导层光学模的损耗和双折射效应小，波导层折射率连续可调等优点。
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