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公开(公告)号：CN118351697A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410529128.0
申请日：2024-04-29
Applicant: 河北工业大学创新研究院(石家庄) , 河北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种确定车辆类型和行驶方向的方法，包括第1步，在公共道路旁边的路基上通过声音记录仪采集车辆噪声信号，声音记录仪近邻的外行车道内法线到声音记录仪的麦克风方向的角度为顺时针或逆时针30°～60°；第2步，以声音记录仪近邻的外行车道内法线为参照标记车辆行驶方向，同时标记车辆类型；第3步，计算车辆噪声信号的梅尔频谱，将车辆噪声信号转换为噪声梅尔频谱图；第4步，构建由若干张噪声梅尔频谱图组成的数据集，每张噪声梅尔频谱图都标记了车辆类型和行驶方向；第5步，选取训练数据、验证数据和深度学习神经网络；第6步，对深度学习神经网络进行训练，将训练后的深度学习神经网络用于识别车辆类型和行驶方向。该方法利用单个声音记录仪采集车辆噪声信号，实现了车辆类型和行驶方向的同时识别，不受环境能见度影响，更具隐蔽性。
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公开(公告)号：CN1865421A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610014439.5
申请日：2006-06-23
Applicant: 河北工业大学
IPC: C11D1/66 , C11D3/30 , H01L21/304
Abstract: 本发明公开了一种硅磨片清洗剂，旨在提供一种使用胺碱与非离子表面活性剂的混合溶液来替代现在广泛采用的RCA清洗，来实现现在大规模集成电路对硅磨片的表面洁净度的要求。按体积百分比由下述组分组成：胺碱20～70％，JFC 5～40％，非离子表面活性剂5～20％，余量的去离子水。本发明中的胺碱不仅能与硅磨片表面的有机物互溶，而且能和其发生化学反应，从而达到去除有机物的目的。而其中的非离子表面活性剂能大大降低水的表面张力，从而对颗粒的去除效果非常理想。本发明由于使用了水及各种低毒试剂，不危及工人健康、环保、而且不可燃、不爆炸，安全性好，而且降低了成本、提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN1379448A
公开(公告)日：2002-11-13
申请号：CN02116760.5
申请日：2002-05-10
Applicant: 河北工业大学
IPC: H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 一种集成电路硅衬底抛光片表面吸附粒子吸附状态的控制方法,属于硅抛光片表面粒子吸附状态的控制方法。主要解决硅衬底抛光片表面吸附粒子难以清洗,工艺复杂,效率低,成本高的问题。主要技术特点是将盛有新抛光硅片花篮放入0.01～5%(体积%)的FA/O活性剂水溶液的槽内,上、下提放至少三次,在槽内放置7天以内,取出再进行正常清洗。本方法工艺简单,效率高,成本低,不存在刷片损伤、划伤等现象,存放时间可由4小时提高到168小时以上。主要用于对硅衬底抛光片表面吸附粒子吸附状态的控制。
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公开(公告)号：CN100392808C
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200610014440.8
申请日：2006-06-23
Applicant: 河北工业大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/306
CPC classification number: B28D5/022 , H01L21/3043
Abstract: 本发明公开了一种利用电化学作用去除集成电路晶片表面污染物的方法，提供一种利用金刚石膜结构和能够起到去除集成电路晶片表面残留有机物、颗粒以及金属离子的清洗剂的结合，能够达到较好的清洗效果，而且工艺简单，操作方便，满足环保要求的去除集成电路晶片表面污染物的方法。该方法包括下述步骤：金刚石膜配合清洗剂清洗；清洗剂清洗；金刚石膜清洗；两次水超声漂洗；喷淋；烘干得到高洁净的晶片。所述清洗剂按体积百分比由多种表面活性剂2%～15%，碱是40%～45%，余量的水组成。本发明采用金刚石膜结构代替传统清洗中的氧化剂，能够控制氧化强度，在外加电压的条件下能够使清洗剂长久保持稳定的氧化能力，使清洗剂能够循环应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1866466A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610014440.8
申请日：2006-06-23
Applicant: 河北工业大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/306
CPC classification number: B28D5/022 , H01L21/3043
Abstract: 本发明公开了一种利用电化学作用去除集成电路晶片表面污染物的方法，提供一种利用金刚石膜结构和能够起到去除集成电路晶片表面残留有机物、颗粒以及金属离子的清洗剂的结合，能够达到较好的清洗效果，而且工艺简单，操作方便，满足环保要求的去除集成电路晶片表面污染物的方法。该方法包括下述步骤：金刚石膜配合清洗剂清洗；清洗剂清洗；金刚石膜清洗；两次水超声漂洗；喷淋；烘干得到高洁净的晶片。所述清洗剂按体积百分比由多种表面活性剂2％～15％，碱是40％～45％，余量的水组成。本发明采用金刚石膜结构代替传统清洗中的氧化剂，能够控制氧化强度，在外加电压的条件下能够使清洗剂长久保持稳定的氧化能力，使清洗剂能够循环应用。
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公开(公告)号：CN1865420A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610014438.0
申请日：2006-06-23
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种液晶显示屏水基清洗剂，旨在提供一种使用胺碱与非离子表面活性剂的混合溶液来消除残留物，提高产品表面光洁度，对狭缝的润湿性能好，同时安全性好，价格低的液晶显示屏水基清洗剂。按重量百分比由下述组分组成：胺碱20～70％，JFC 5～40％，非离子表面活性剂5～20％，余量的去离子水。本发明的水基清洗剂由胺碱和非离子表面活性剂混合，胺碱对有机物有一定的溶解作用，并且胺碱与有机物能发生化学反应，有利于消除产品表面的残留物，提高产品表面光洁度。同时，由于使用了水及各种低毒试剂，环保性能好，保护了工人的身体健康，而且不可燃、不爆炸，安全性好，降低了产品的成本。
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公开(公告)号：CN1137230C
公开(公告)日：2004-02-04
申请号：CN02116761.3
申请日：2002-05-10
Applicant: 河北工业大学
IPC: C09G1/02
Abstract: 超大规模集成电路多层铜布线中铜与钽化学机械全局平面化抛光液的组成成分重量%是SiO2、CeO2、Al2O3、ZrO、MgO的水溶胶18～50；无金属离子的羟胺类化合物和胺盐类化合物0.1～10；多羟多胺类化合物和胺盐类化合物0.005～25；非离子表面活性剂0.1～10；余量为去离子水。该抛光液损伤小、平整度高、易清洗；不腐蚀设备，不污染环境；选择性强，速率高；价格便宜，成本低。主要用于超大规模集成电路多层铜布线中铜与钽化学机械全局平面化抛光。
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公开(公告)号：CN1121060C
公开(公告)日：2003-09-10
申请号：CN02116760.5
申请日：2002-05-10
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 一种集成电路硅衬底抛光片表面吸附粒子吸附状态的控制方法，属于硅抛光片表面粒子吸附状态的控制方法。主要解决硅衬底抛光片表面吸附粒子难以清洗，工艺复杂，效率低，成本高的问题。主要技术特点是将盛有新抛光硅片花篮放入0.01～5%(体积%)的FA/O活性剂水溶液的槽内，上、下提放至少三次，在槽内放置7天以内，取出再进行正常清洗。本方法工艺简单，效率高，成本低，不存在刷片损伤、划伤等现象，存放时间可由4小时提高到168小时以上。主要用于对硅衬底抛光片表面吸附粒子吸附状态的控制。
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公开(公告)号：CN212982917U
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202021218407.9
申请日：2020-06-28
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本实用新型公开了一种芯片式微反应器加热台，属于PCR仪器技术领域，包括箱体，热循环系统和吸附系统，热循环系统包括微反应器、加热板、加热盘和散热组件，散热组件放置在加热盘正下方，加热盘上位于开槽处两侧位置设置有通孔，吸附系统的吸附端与通孔相连。本实用新型将微反应器固定在加热盘上，通过热循环系统对微反应器加热、散热，微反应器内的液体均匀受热，能够快速实现升温降温的功能，提高热循环效率，采用槽内加热板供热，使得热源与受热部件充分接触，能提高热量利用率，有效减少热量损失；对控制环节而言，有利于实现温度控制；通孔用来与吸盘相吸附，实现对微反应器的固定。
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