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公开(公告)号：CN104239923A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410521876.0
申请日：2014-09-28
Applicant: 江南大学
IPC: G06K17/00 , G06F3/0482 , A47B31/00
Abstract: 本发明涉及一种具有射频识别功能与无线通讯功能的智能餐桌，其包括射频标签、微处理器、Wi-Fi模块、显示模块、语音模块、人机交互模块和存储模块。所述餐桌上方设有RFID读写器、所述人机交互模块和贴有射频标签的餐盘，所述RFID读写器可读取所述射频标签内的信息，并将获取的信息发送至所述微处理器，所述微处理器将获得的信息与所述存储模块中的信息进行分析与处理，不仅可通过所述语音控制模块以中文、外文或其他语音形式向客人介绍菜品的名称及相关信息，还可通过所述显示模块以文字、图片、动画等形式显示菜品信息。此外，上述菜品信息还可通过所述Wi-Fi模块发送至其他客户端。本发明结构紧凑简单，使用方便、智能、人性化，可以满足现代人的生活需求。
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公开(公告)号：CN104241277B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201410521878.X
申请日：2014-09-28
Applicant: 江南大学
Abstract: 一种具有高维持电压内嵌GDPMOS的SCR器件，可用于高压片上IC的ESD保护电路。主要由P衬底、N阱、P阱、第一N+注入区、第一P+注入区、第二P+注入区、第二N+注入区、第三N+注入区、第三P+注入区、金属阳极、金属阴极、多晶硅栅、薄栅氧化层和若干场氧隔离区构成。该具有高维持电压内嵌GDPMOS的SCR器件在高压ESD脉冲作用下，一方面由第一P+注入区、N阱、第二N+注入区、P阱、第三N+注入区形成寄生SCR电流泄放路径，提高器件的失效电流、增强器件的ESD鲁棒性；另一方面利用第一P+注入区、多晶硅栅、薄栅氧化层与第二P+注入区形成的PMOS管，通过栅极接高电位形成GDPMOS管，以抑制SCR器件发生强回滞，提高器件的维持电压，增强器件的抗闩锁能力。
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公开(公告)号：CN103715233B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201410011734.X
申请日：2014-01-10
Applicant: 江南大学
Abstract: 一种具有高维持电压的LDMOS结构的ESD保护器件，可用于片上IC高压ESD保护电路。主要由P衬底、高压N阱、N阱、P阱、P下沉掺杂、P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区、金属阳极、金属阴极、多晶硅栅、薄栅氧化层和若干场氧隔离区构成。该LDMOS结构的ESD保护器件在高压ESD脉冲作用下，一方面由P下沉掺杂、N阱、高压N阱、P阱、第一N+注入区形成寄生SCR电流泄放路径，提高器件的失效电流、增强器件的ESD鲁棒性；另一方面利用第二N+注入区与P下沉掺杂之间形成的反偏PN结，提高器件的维持电压，增强器件的抗闩锁能力。
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公开(公告)号：CN103948329B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201410210887.7
申请日：2014-05-19
Applicant: 江南大学
IPC: A47J39/02
Abstract: 本发明涉及一种便携式加热保温控湿套件，其包括保温腔体、加热腔体、控湿腔体、传感模块、中央控制单元、调节模块、信号处理电路和显示电路；所述传感模块置于所述保温腔体内部，包括用于检测所述保温腔体内部空气的温度传感器和湿度传感器；所述加热腔体内设有加热器；所述控湿腔体内设有干燥剂放置槽、排水口和半导体制冷片；所述加热腔体与所述控湿腔体之间通过换气扇加速气体交换；所述传感模块、所述加热腔体、所述控湿腔体的物理信号由所述中央控制单元、所述信息处理电路和所述调节模块进行控制、调节；所述显示电路具有数字显示等功能。本发明结构简单紧凑，使用方便，适应性好，节能环保，干净卫生，安全可靠。
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公开(公告)号：CN103617996B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310657917.4
申请日：2013-12-09
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/02 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 一种具有高维持电流的环形VDMOS结构的ESD保护器件，可用于片上IC高压ESD保护电路。主要由P衬底，N埋层，P下沉掺杂，N阱，P阱，第一P+注入区，第一N+注入区，第二N+注入区，第二P+注入区，第三N+注入区，第四N+注入区，第五P+注入区，多晶硅栅，薄栅氧化层和若干场氧隔离区构成。该环形VDMOS结构的ESD保护器件在高压ESD脉冲作用下，一方面可形成上、下、左、右四面导通的ESD电流路径，以提高VDMOS器件内部电流导通均匀性、降低导通电阻，提高器件的维持电流。另一方面，可利用高浓度的N埋层与P阱之间的反向PN结击穿，降低触发电压，提高体电流泄放能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103441550A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310406730.7
申请日：2013-09-09
Applicant: 江南大学
Abstract: 一种实时显示充电信息的手机无线充电装置，包括智能控制底座和手机机身部分，所述智能控制底座包括电源、无线充电发射模块、微控制器模块、显示模块以及数据接收模块；所述电源分别连接显示模块和微控制器模块；所述微控制器模块分别连接显示模块、数据接收模块以及无线充电发射模块；所述手机机身部分包括手机电池、无线充电接收模块以及手机软件平台；所述手机电池与无线充电接收模块相连。本实时显示充电信息的手机无线充电装置在对手机进行无线充电的同时，充电底座可实时显示手机电量和充电剩余时间等充电信息，并在完成充电后关闭无线充电开关，使充电更智能和安全。
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公开(公告)号：CN103730462A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201410024428.X
申请日：2014-01-20
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/02 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 一种具有高维持电流强鲁棒性的LDMOS-SCR结构的ESD自保护器件，可用于片上IC高压ESD自保护电路。主要由P衬底、P阱、N阱、第一P+注入区、第一N+注入区、第二P+注入区、第三P+注入区、第二N+注入区、第一场氧隔离区、薄栅氧化层、第二场氧隔离区、第三场氧隔离区、第四场氧隔离区和多晶硅栅构成。本发明设计的LDMOS-SCR结构的ESD保护器件在高压ESD脉冲作用下，可分别形成寄生LDMOS-SCR结构和两个二极管与LDMOS导电沟道相连的ESD电流泄放路径，快速泄放ESD电流，提高器件触发回滞后的维持电流和失效电流、增强器件的ESD鲁棒性，适用于高压电路的ESD自保护。
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公开(公告)号：CN102983133B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201210504669.5
申请日：2012-11-28
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种双向三路径导通的高压ESD保护器件，可用于片上IC高压ESD保护电路。包括P-衬底、N+埋层、左/右N型外延、漂移区、高压P阱、漏区、源区、多晶硅栅、阳极/阴极接触区。其中漂移区、高压P阱、漏区、源区、多晶硅栅构成的NLDMOS结构和阳极接触区、N+埋层、高压P阱和源区构成的正向SCR结构，形成两条高压ESD电流泄放路径，可提高器件的二次击穿电流，降低导通电阻和触发电压。阴极接触区、左N型外延、高压P阱、N+埋层和漏区构成的反向SCR结构，形成一条反向高压ESD电流泄放路径。上述两种SCR结构的电流路径较长，可提高器件的维持电压，还能实现ESD电流双向泄放，具有双向ESD保护功能。
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公开(公告)号：CN104241277A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410521878.X
申请日：2014-09-28
Applicant: 江南大学
Abstract: 一种具有高维持电压内嵌GDPMOS的SCR器件，可用于高压片上IC的ESD保护电路。主要由P衬底、N阱、P阱、第一N+注入区、第一P+注入区、第二P+注入区、第二N+注入区、第三N+注入区、第三P+注入区、金属阳极、金属阴极、多晶硅栅、薄栅氧化层和若干场氧隔离区构成。该具有高维持电压内嵌GDPMOS的SCR器件在高压ESD脉冲作用下，一方面由第一P+注入区、N阱、第二N+注入区、P阱、第三N+注入区形成寄生SCR电流泄放路径，提高器件的失效电流、增强器件的ESD鲁棒性；另一方面利用第一P+注入区、多晶硅栅、薄栅氧化层与第二P+注入区形成的PMOS管，通过栅极接高电位形成GDPMOS管，以抑制SCR器件发生强回滞，提高器件的维持电压，增强器件的抗闩锁能力。
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公开(公告)号：CN103715233A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201410011734.X
申请日：2014-01-10
Applicant: 江南大学
Abstract: 一种具有高维持电压的LDMOS结构的ESD保护器件，可用于片上IC高压ESD保护电路。主要由P衬底、高压N阱、N阱、P阱、P下沉掺杂、P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区、金属阳极、金属阴极、多晶硅栅、薄栅氧化层和若干场氧隔离区构成。该LDMOS结构的ESD保护器件在高压ESD脉冲作用下，一方面由P下沉掺杂、N阱、高压N阱、P阱、第一N+注入区形成寄生SCR电流泄放路径，提高器件的失效电流、增强器件的ESD鲁棒性；另一方面利用第二N+注入区与P下沉掺杂之间形成的反偏PN结，提高器件的维持电压，增强器件的抗闩锁能力。
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