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公开(公告)号：CN104576639A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410765827.1
申请日：2014-12-11
Applicant: 江南大学
Abstract: 一种具有小回滞窗口的高压ESD保护器件，可用于片上高压IC的ESD保护电路。主要由P型衬底、N型埋层、N阱、P阱、若干个P+注入区、若干个N+注入区、多晶硅双栅和若干场氧隔离区构成。该保护器件可在高压ESD脉冲作用下，形成两条由LDMOS与SCR构成的ESD电流泄放路径。该电流泄放路径均以寄生的PNP管和N阱电阻为公共支路，以降低器件的电子发射率，提高维持电压和ESD鲁棒性。另一方面，通过在器件内部设计一齐纳二极管，以降低触发电压，实现具有小回滞窗口的高压ESD保护。
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公开(公告)号：CN104239923A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410521876.0
申请日：2014-09-28
Applicant: 江南大学
IPC: G06K17/00 , G06F3/0482 , A47B31/00
Abstract: 本发明涉及一种具有射频识别功能与无线通讯功能的智能餐桌，其包括射频标签、微处理器、Wi-Fi模块、显示模块、语音模块、人机交互模块和存储模块。所述餐桌上方设有RFID读写器、所述人机交互模块和贴有射频标签的餐盘，所述RFID读写器可读取所述射频标签内的信息，并将获取的信息发送至所述微处理器，所述微处理器将获得的信息与所述存储模块中的信息进行分析与处理，不仅可通过所述语音控制模块以中文、外文或其他语音形式向客人介绍菜品的名称及相关信息，还可通过所述显示模块以文字、图片、动画等形式显示菜品信息。此外，上述菜品信息还可通过所述Wi-Fi模块发送至其他客户端。本发明结构紧凑简单，使用方便、智能、人性化，可以满足现代人的生活需求。
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公开(公告)号：CN103606548B
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201310658694.3
申请日：2013-12-09
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/02 , H01L29/40 , H01L29/06 , H01L29/74 , H01L29/866
Abstract: 一种齐纳击穿的小回滞SCR结构的高压ESD保护器件，可用于片上IC的高压ESD保护电路。包括P型衬底、N型埋层、第一N阱、P阱、下沉P掺杂、第二N阱、隔离区、第一N+、第一P+、第二N+、第二P+、第三N+、第三P+、第四N+、第四P+、第五N+、第五P+、金属阳极、金属阴极。其中由第一金属阳极、金属阴极、第一N+、第一P+、第三N+、第三P+、第二N+、第二P+或由第二金属阳极、金属阴极、第五N+、第五P+、第三N+、第三P+、第四N+、第四P+构成齐纳击穿ESD电流泄放路径。齐纳击穿ESD电流泄放路径不仅可增强器件的ESD鲁棒性，还可提高器件的维持电压，适用于窄小ESD窗口的高压ESD保护。
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公开(公告)号：CN104409457A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410766937.X
申请日：2014-12-11
Applicant: 江南大学
Abstract: 一种LDMOS-SCR类叉指结构的高压ESD保护器件，可用于片上高压IC的ESD保护电路。主要由P型衬底、N型埋层、N阱、P阱、若干个P+注入区、若干个N+注入区、多晶硅双栅和若干场氧隔离区构成。该ESD保护器件可在高压ESD脉冲作用下，形成两条由LDMOS-SCR结构并联构成的ESD电流泄放路径。该电流泄放路径均以寄生的NPN管和P阱电阻为公共支路，以降低器件的电子发射率，提高维持电压和ESD鲁棒性。另一方面，通过在器件内部设计一个寄生的NPN晶体管控制一个浮空LDMOS结构，既可以降低LDMOS-SCR器件的电子发射率，提高维持电压；又能增强浮空LDMOS结构的N型导电沟道的电流泄放能力，提高器件的ESD鲁棒性。
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公开(公告)号：CN103730462A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201410024428.X
申请日：2014-01-20
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/02 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 一种具有高维持电流强鲁棒性的LDMOS-SCR结构的ESD自保护器件，可用于片上IC高压ESD自保护电路。主要由P衬底、P阱、N阱、第一P+注入区、第一N+注入区、第二P+注入区、第三P+注入区、第二N+注入区、第一场氧隔离区、薄栅氧化层、第二场氧隔离区、第三场氧隔离区、第四场氧隔离区和多晶硅栅构成。本发明设计的LDMOS-SCR结构的ESD保护器件在高压ESD脉冲作用下，可分别形成寄生LDMOS-SCR结构和两个二极管与LDMOS导电沟道相连的ESD电流泄放路径，快速泄放ESD电流，提高器件触发回滞后的维持电流和失效电流、增强器件的ESD鲁棒性，适用于高压电路的ESD自保护。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103606548A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310658694.3
申请日：2013-12-09
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/02 , H01L29/40 , H01L29/06 , H01L29/74 , H01L29/866
Abstract: 一种齐纳击穿的小回滞SCR结构的高压ESD保护器件，可用于片上IC的高压ESD保护电路。包括P型衬底、N型埋层、第一N阱、P阱、下沉P掺杂、第二N阱、隔离区、第一N+、第一P+、第二N+、第二P+、第三N+、第三P+、第四N+、第四P+、第五N+、第五P+、金属阳极、金属阴极。其中由第一金属阳极、金属阴极、第一N+、第一P+、第三N+、第三P+、第二N+、第二P+或由第二金属阳极、金属阴极、第五N+、第五P+、第三N+、第三P+、第四N+、第四P+构成齐纳击穿ESD电流泄放路径。齐纳击穿ESD电流泄放路径不仅可增强器件的ESD鲁棒性，还可提高器件的维持电压，适用于窄小ESD窗口的高压ESD保护。
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公开(公告)号：CN105489603B
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201610008442.X
申请日：2016-01-06
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种PMOS触发LDMOS‑SCR结构的高维持电压ESD保护器件，可用于片上IC高压ESD保护电路。主要由P衬底、N阱、P阱、第一P+注入区、第二P+注入区、N+注入区、第三P+注入区、第四P+注入区、金属阳极、金属阴极、多晶硅栅、薄栅氧化层和若干场氧隔离区构成。该LDMOS‑SCR结构的ESD保护器件在高压ESD脉冲作用下，一方面由第三P+注入区、第二多晶硅栅及其覆盖的薄栅氧化层、N阱、第四P+注入区构成的PMOS泄放路径，提高器件的维持电压、降低器件的触发电压；另一方面由所述第四P+注入区、所述N阱、所述P阱、所述第二P+注入区构成一条PNPN结构的ESD电流泄放路径，以提高器件的二次失效电流、增强器件的ESD鲁棒性。
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公开(公告)号：CN104241277B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201410521878.X
申请日：2014-09-28
Applicant: 江南大学
Abstract: 一种具有高维持电压内嵌GDPMOS的SCR器件，可用于高压片上IC的ESD保护电路。主要由P衬底、N阱、P阱、第一N+注入区、第一P+注入区、第二P+注入区、第二N+注入区、第三N+注入区、第三P+注入区、金属阳极、金属阴极、多晶硅栅、薄栅氧化层和若干场氧隔离区构成。该具有高维持电压内嵌GDPMOS的SCR器件在高压ESD脉冲作用下，一方面由第一P+注入区、N阱、第二N+注入区、P阱、第三N+注入区形成寄生SCR电流泄放路径，提高器件的失效电流、增强器件的ESD鲁棒性；另一方面利用第一P+注入区、多晶硅栅、薄栅氧化层与第二P+注入区形成的PMOS管，通过栅极接高电位形成GDPMOS管，以抑制SCR器件发生强回滞，提高器件的维持电压，增强器件的抗闩锁能力。
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公开(公告)号：CN104576639B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201410765827.1
申请日：2014-12-11
Applicant: 江南大学
Abstract: 一种具有小回滞窗口的高压ESD保护器件，可用于片上高压IC的ESD保护电路。主要由P型衬底、N型埋层、N阱、P阱、若干个P+注入区、若干个N+注入区、多晶硅双栅和若干场氧隔离区构成。该保护器件可在高压ESD脉冲作用下，形成两条由LDMOS与SCR构成的ESD电流泄放路径。该电流泄放路径均以寄生的PNP管和N阱电阻为公共支路，以降低器件的电子发射率，提高维持电压和ESD鲁棒性。另一方面，通过在器件内部设计一齐纳二极管，以降低触发电压，实现具有小回滞窗口的高压ESD保护。
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公开(公告)号：CN103715233B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201410011734.X
申请日：2014-01-10
Applicant: 江南大学
Abstract: 一种具有高维持电压的LDMOS结构的ESD保护器件，可用于片上IC高压ESD保护电路。主要由P衬底、高压N阱、N阱、P阱、P下沉掺杂、P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区、金属阳极、金属阴极、多晶硅栅、薄栅氧化层和若干场氧隔离区构成。该LDMOS结构的ESD保护器件在高压ESD脉冲作用下，一方面由P下沉掺杂、N阱、高压N阱、P阱、第一N+注入区形成寄生SCR电流泄放路径，提高器件的失效电流、增强器件的ESD鲁棒性；另一方面利用第二N+注入区与P下沉掺杂之间形成的反偏PN结，提高器件的维持电压，增强器件的抗闩锁能力。
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