公开(公告)号：CN115132823A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202210665711.5

申请日：2022-06-13

Applicant: 江南大学

Inventor： 赵琳娜 ,  顾晓峰 ,  谈威 ,  鹿存莉

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L27/07 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种集成反向续流二极管的平面SiC MOSFET，属于半导体技术领域。该器件栅极为分离栅结构，通过源极多晶硅将栅极多晶硅分成左右两部分，并在底部添加额外的P‑shield区域，源极多晶硅通过贯穿续流管氧化物与P‑shield区相连；该结构使得集成在平面结构氧化物底部的沟道二极管可在器件中代替体二极管作为续流二极管，减小了传统SiC MOSFET中因为电子与空穴的复合导致的双极退化效应，且续流二极管的开启压降小于体二极管，降低电路系统功耗；本申请的分离栅结构取代了传统的整块栅极结构，减少了栅极与漏极之间电容正对面积，改善了器件电容特性和米勒效应，降低了器件的开关损耗以及开关时间。

公开(公告)号：CN114883413A

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN202210549563.0

申请日：2022-05-17

Applicant: 江南大学

Inventor： 赵琳娜 ,  顾晓峰 ,  谈威

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/16 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种在元胞内集成续流二极管的沟槽SiC MOSFET，属于半导体技术领域。该结构中的续流二极管由N型源极多晶硅和SiC的P型屏蔽区形成的异质结二极管，与沟道二极管两部分构成，正向导通时，续流二极管提前开启于体内的寄生体二极管，使得体二极管导通被抑制，避免了因为体二极管的退化而引起的可靠性问题；同时，该结构将沟槽底部P型屏蔽区接地，避免了传统结构中浮动P型屏蔽区电极引起的器件可靠性问题，提高了器件长期使用中可靠性，同时优化了栅极氧化物底部的电场分布。且基于P型屏蔽区的浓度设计，在满足续流二极管开启电压要求的同时，对MOSFET沟槽氧化物以及底部续流二极管起到保护作用。