一种用于办公环境的热电空调及其控制方法

    公开(公告)号:CN109028395B

    公开(公告)日:2020-10-13

    申请号:CN201810643361.6

    申请日:2018-06-21

    Applicant: 武汉大学

    Abstract: 本发明提供一种用于办公环境的热电空调及其控制方法和控制电路,提出一种基于热电制冷技术的热电空调来实现制冷通风的设计,应用于非对称办公环境,安装于办公隔断板上,对办公空间进行制冷通风,所述控制方法包含温度传感模块、输出调节模块、人体活动探测模块以及单片机,其中,温度传感模块用于采集隔断内温度信息;人体活动检测模块用于检测空间内人体活动信息;输出调节模块用于调节输出脉冲电压频率及启停信号。本发明温度感应模块配合输出调节模块能够实现精准的温度控制,人体活动检测模块配合输出模块能够实现在没有人体活动的时候自动停止热电空调运行,节约能源。

    金属3D打印逐层表面激光清洗方法

    公开(公告)号:CN107737928A

    公开(公告)日:2018-02-27

    申请号:CN201710900428.5

    申请日:2017-09-28

    Applicant: 武汉大学

    CPC classification number: B22F3/1055 B22F2003/1059 B33Y40/00

    Abstract: 本发明公开了一种金属3D打印逐层表面激光清洗方法,在3D打印机内设置辅助激光发生器,并提供一种激光变换装置,所述激光变换装置将辅助激光发生器发出的辅助激光光束的光斑转换成线状光斑,其中,所述辅助激光发生器发出用于蒸发杂质的激光;利用线状光斑扫描清洗3D打印机的基底表面;第一层铺粉后,利用主激光开始扫描加工,辅助激光光斑扫描位置在不超过3D打印激光扫描光斑的情况下,对已打印完成的部分进行扫描清洗;待第一层成型清洗完成后,再用步骤S3的方法开始下一层的成型和清洗,以此类推,进行逐层加工和清洗,直到完成整个工件的加工。此方法结构简单、易于实现,且能大大提高所加工的工件质量。

    一种微型仿生水下机器人自主导航返程充电方法及系统

    公开(公告)号:CN107600373A

    公开(公告)日:2018-01-19

    申请号:CN201710792752.X

    申请日:2017-09-05

    Applicant: 武汉大学

    CPC classification number: Y02T10/7005 Y02T10/7088

    Abstract: 本发明公开了一种微型仿生水下机器人自主导航返程充电方法及系统,具体为超声波发射模块向四周发射超声波,机器人身上两个超声波接收器接收。当两个超声波接收器同时接收到超声信号时,表示鱼体是朝着超声源游动;当两个超声波接收器接收到超声信号有一个时间差,微处理器控制机器人转向,直到能同时接收到超声信号为止;当机器人和充电基站的相对位置达到无线充电要求时,基站中的电磁铁通电,感应磁铁通电将鱼体固定进行补偿,并且防止水流影响充电效果。整个方法及充电装置简单实用,定位方便准确,解决的微型仿生水下机器人水下定位充电难的问题。

    隧道结垂直结构深紫外LED芯片及其制造方法

    公开(公告)号:CN118231537A

    公开(公告)日:2024-06-21

    申请号:CN202211633634.1

    申请日:2022-12-19

    Applicant: 武汉大学

    Abstract: 本申请公开了隧道结垂直结构深紫外LED芯片及其制造方法。本方案中,引入隧道结去除对深紫外光有强烈吸收作用的p‑GaN欧姆接触层,同时隧道结顶部引入的Si掺杂n‑AlGaN层可以作为透明电流传导层,减少电极附近的电流拥挤效应,增强电流的横向扩展;通过n型通孔与恒电位电化学激活的方式,增大外延层与电解液的接触面积,实现p‑AlGaN中Mg受主充分脱氢激活;通过Mg掺杂p‑AlGaN/AlGaN超晶格诱导产生V形坑辅助隧穿,最终提高隧穿概率,增加空穴注入。本申请能够解决现有技术中深紫外LED由于AlGaN材料的特性所带来的一些固有问题,提出的结构能够增强电流扩展能力并避免GaN造成的光学损耗,提高深紫外LED芯片的光电性能。

    基于表面微印刷技术的柔性Micro-LED阵列的制备方法

    公开(公告)号:CN115799410A

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202211602140.7

    申请日:2022-12-13

    Applicant: 武汉大学

    Abstract: 本申请公开了基于表面微印刷技术的柔性Micro‑LED阵列的制备方法。本方案中,采用糖、玉米糖浆以及水进行混合加热制成柔性焦糖层,通过柔性焦糖层将带有附着有粘接剂层的微圆盘转移到柔性Micro‑LED阵列的每一个Micro‑LED芯片表面,并通过粘接剂层将微圆盘粘附到Micro‑LED芯片表面,提高每一颗芯片的光提取效率。此外,Micro‑LED芯片设置有布拉格反射镜,由于布拉格反射镜带通滤波作用,能够将目标波长的光反射到出光面,提高芯片的光提取效率,同时将杂光透射到电极,使得电极将杂光吸收,减小芯片光谱的半高宽,提高倒装Micro‑LED芯片出光颜色的纯度。

    垂直结构深紫外LED芯片及其制造方法

    公开(公告)号:CN118198218A

    公开(公告)日:2024-06-14

    申请号:CN202211604495.X

    申请日:2022-12-13

    Applicant: 武汉大学

    Abstract: 本申请公开了垂直结构深紫外LED芯片及其制造方法。该方法中,垂直结构深紫外LED首先在蓝宝石衬底上进行外延生长,然后通过晶圆键合工艺将外延层转移Si衬底上,利用凸起结构的AlN层调控Al原子局域化分布实现蓝宝石衬底的激光剥离,并在剥离后刻蚀暴露的n‑AlGaN表面制备抑制全反射的SiO2薄膜和SiO2圆锥阵列。本申请能够解决现有技术中AlGaN和蓝宝石衬底难以进行激光剥离的问题,提出的结构能够增强电流扩展能力并抑制全反射现象,提高深紫外LED的光电性能。

    一种采用压电材料的微型发光二极管转印组件及转印方法

    公开(公告)号:CN111383967A

    公开(公告)日:2020-07-07

    申请号:CN202010200477.X

    申请日:2020-03-20

    Applicant: 武汉大学

    Abstract: 本发明涉及显示技术,具体涉及一种采用压电材料的微型发光二极管转印组件及转印方法,微型LED结构体包括水平型结构、垂直型结构和倒装型结构中的任意一种,且微型LED结构体中心有一通孔,与目标基底上的微型管相对应。微型LED结构体的转印组件,包括带有孔阵列的转印基板、形成在转印基板背面的驱动电路、填充于转印基板孔阵列中的压电材料、形成在压电材料或转印基板上的粘附层,压电材料受控于驱动电路。本发明提供了一种全新的可以准确地转印到另一基底上的微型LED结构体、即使重复转印工艺也可以保持其与微型LED结构体的结合力的转印组件,以及用于可执行微型LED结构体的选择性转印的微型LED结构体和转印组件及使用其的转印方法。

    一种微型仿生水下机器人自主导航返程充电方法及系统

    公开(公告)号:CN107600373B

    公开(公告)日:2019-02-26

    申请号:CN201710792752.X

    申请日:2017-09-05

    Applicant: 武汉大学

    Abstract: 本发明公开了一种微型仿生水下机器人自主导航返程充电方法及系统,具体为超声波发射模块向四周发射超声波,机器人身上两个超声波接收器接收。当两个超声波接收器同时接收到超声信号时,表示鱼体是朝着超声源游动;当两个超声波接收器接收到超声信号有一个时间差,微处理器控制机器人转向,直到能同时接收到超声信号为止;当机器人和充电基站的相对位置达到无线充电要求时,基站中的电磁铁通电,感应磁铁通电将鱼体固定进行补偿,并且防止水流影响充电效果。整个方法及充电装置简单实用,定位方便准确,解决的微型仿生水下机器人水下定位充电难的问题。

    一种用于办公环境的热电空调及其控制方法和控制电路

    公开(公告)号:CN109028395A

    公开(公告)日:2018-12-18

    申请号:CN201810643361.6

    申请日:2018-06-21

    Applicant: 武汉大学

    Abstract: 本发明提供一种用于办公环境的热电空调及其控制方法和控制电路,提出一种基于热电制冷技术的热电空调来实现制冷通风的设计,应用于非对称办公环境,安装于办公隔断板上,对办公空间进行制冷通风,所述控制方法包含温度传感模块、输出调节模块、人体活动探测模块以及单片机,其中,温度传感模块用于采集隔断内温度信息;人体活动检测模块用于检测空间内人体活动信息;输出调节模块用于调节输出脉冲电压频率及启停信号。本发明温度感应模块配合输出调节模块能够实现精准的温度控制,人体活动检测模块配合输出模块能够实现在没有人体活动的时候自动停止热电空调运行,节约能源。

    一种超薄隧道结深紫外LED芯片及其制造方法

    公开(公告)号:CN119521865A

    公开(公告)日:2025-02-25

    申请号:CN202311044355.6

    申请日:2023-08-16

    Applicant: 武汉大学

    Abstract: 本发明公开了一种超薄隧道结深紫外LED芯片及其制造方法,所述制造方法包括,在衬底上制备外延生长层,所述外延生长层包括AlN成核层、AlN缓冲层、Si掺杂n‑AlGaN层、低铝AlGaN/高铝AlGaN多量子阱层、Mg掺杂p‑AlGaN电子阻挡层,Mg掺杂p‑AlGaN空穴注入层,厚度均为5~15nm的Mg重掺杂p+‑AlGaN层和Si重掺杂n+‑AlGaN层构成的隧道结,得到外延材料;从Si重掺杂n+‑AlGaN层进行部分刻蚀直至暴露出Si掺杂n‑AlGaN层;在暴露出的Si掺杂n‑AlGaN层和Si重掺杂n+‑AlGaN层上分别制备n电极和p电极得到超薄隧道结深紫外LED芯片。本发明采用超薄n+‑AlGaN/p+‑AlGaN隧道结,去除轻掺杂n‑‑AlGaN覆盖层,既有利于Mg受主的脱氢激活,又降低深紫外LED芯片工作电压,提高了深紫外LED芯片的光电性能。

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