公开(公告)号：CN110729282B

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN201910950420.9

申请日：2019-10-08

Applicant: 武汉大学

Inventor： 周圣军 ,  徐浩浩 ,  蓝树玉

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/00 ,  H01L33/52 ,  H01L33/54 ,  H01L33/60

Abstract: 本发明属于半导体发光器件技术领域，公开了一种Micro‑LED显示芯片及其制备方法。Micro‑LED芯片阵列置于驱动面板上，由若干规则排布的倒梯形的三基色薄膜倒装Micro‑LED芯片组成，每个Micro‑LED芯片的梯形侧壁上沉积有反射层；弯曲反射镜置于Micro‑LED芯片阵列的顶部，具有空腔阵列，每个空腔的内壁沉积有反射层，每个空腔对应一枚倒梯形的Micro‑LED芯片；腔体填充物位于Micro‑LED芯片与弯曲反射镜、驱动面板形成的腔体中；透明基板置于弯曲反射镜的顶部。本发明解决了现有技术中三基色Micro‑LED芯片存在的色差和串扰的问题。

公开(公告)号：CN110729282A

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201910950420.9

申请日：2019-10-08

Applicant: 武汉大学

Inventor： 周圣军 ,  徐浩浩 ,  蓝树玉

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/00 ,  H01L33/52 ,  H01L33/54 ,  H01L33/60

Abstract: 本发明属于半导体发光器件技术领域，公开了一种Micro-LED显示芯片及其制备方法。Micro-LED芯片阵列置于驱动面板上，由若干规则排布的倒梯形的三基色薄膜倒装Micro-LED芯片组成，每个Micro-LED芯片的梯形侧壁上沉积有反射层；弯曲反射镜置于Micro-LED芯片阵列的顶部，具有空腔阵列，每个空腔的内壁沉积有反射层，每个空腔对应一枚倒梯形的Micro-LED芯片；腔体填充物位于Micro-LED芯片与弯曲反射镜、驱动面板形成的腔体中；透明基板置于弯曲反射镜的顶部。本发明解决了现有技术中三基色Micro-LED芯片存在的色差和串扰的问题。

公开(公告)号：CN112563377A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN202011446962.1

申请日：2020-12-09

Applicant: 武汉大学

Inventor： 周圣军 ,  蓝树玉

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/44 ,  H01L33/24 ,  H01L33/06 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种生长在具有异质材料阵列的衬底上的倒装发光二极管芯片，包括从上到下依次设置的具有异质材料阵列的衬底，溅射Ⅲ‑Ⅴ族化合物成核层、未掺杂Ⅲ‑Ⅴ族缓冲层、硅掺杂Ⅲ‑Ⅴ族层、多量子阱有源层、镁掺杂Ⅲ‑Ⅴ族层、透明导电层、反射层、钝化层、电极和散热基板；具有异质材料阵列的衬底包括平衬底和衬底表面的凹凸形的异质材料阵列；且所述的异质材料阵列的折射率小于平衬底的折射率。本发明通过在平衬底上设置折射率更小的凹凸形异质材料阵列，可减小衬底与空气的折射率差异，从而提高芯片的顶部出光，最终获得更高的光提取效率。

公开(公告)号：CN111383967A

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN202010200477.X

申请日：2020-03-20

Applicant: 武汉大学

Inventor： 周圣军 ,  蓝树玉 ,  雷宇 ,  钱胤佐

IPC: H01L21/67 ,  H01L33/20 ,  H01L33/48 ,  H01L41/09

Abstract: 本发明涉及显示技术，具体涉及一种采用压电材料的微型发光二极管转印组件及转印方法，微型LED结构体包括水平型结构、垂直型结构和倒装型结构中的任意一种，且微型LED结构体中心有一通孔，与目标基底上的微型管相对应。微型LED结构体的转印组件，包括带有孔阵列的转印基板、形成在转印基板背面的驱动电路、填充于转印基板孔阵列中的压电材料、形成在压电材料或转印基板上的粘附层，压电材料受控于驱动电路。本发明提供了一种全新的可以准确地转印到另一基底上的微型LED结构体、即使重复转印工艺也可以保持其与微型LED结构体的结合力的转印组件，以及用于可执行微型LED结构体的选择性转印的微型LED结构体和转印组件及使用其的转印方法。