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公开(公告)号：CN114497313A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210015865.X
申请日：2022-01-07
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明属于半导体发光器件技术领域，公开了一种倒装Micro‑LED芯片及其制造方法。芯片中的钝化层采用场效应钝化复合层，场效应钝化复合层包括位于外侧的第一材料层和位于内侧并与芯片侧壁接触的第二材料层，芯片侧壁为斜面。场效应钝化复合层用于在本征点缺陷处形成电荷中心，形成覆盖芯片侧壁的电场，通过形成的电场防止自由载流子在芯片侧壁发生非辐射复合；场效应钝化复合层用于降低芯片侧壁的点缺陷密度，减少芯片侧壁发生非辐射复合的几率。本发明能够降低反向漏电流，提高Micro‑LED的发光效率和稳定性。
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公开(公告)号：CN118899380A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410921412.2
申请日：2024-07-10
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本申请涉及一种氮化物外延结构及其制备方法、发光芯片及显示设备。本申请涉及半导体技术领域，所述氮化物外延结构包括依次设置的：衬底；AlN层以及GaN层；所述AlN层包括自靠近所述衬底向远离所述衬底方向依次设置的AlN基础层、第一AlN层、第二AlN层及第三AlN层；所述第一AlN层的V/III比为300～400；所述第二AlN层包括多个在12000sccm的NH3通量及多个在480sccm的NH3通量下交替生长的AlN层；所述第三AlN层的V/III比为60～180。第二AlN层包括多个在12000sccmNH3通量及多个在480sccmNH3通量下交替生长的AlN层，利用交替V/III比生长AlN，可以在生长无裂纹AlN薄膜，得到高质量的AlN外延。交替V/III比生长的AlN结构可以改变位错生长行为，形成倾斜的位错，从而释放应力，减小了AlN生长过程中晶圆开裂的风险。
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公开(公告)号：CN115472719A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202210875234.5
申请日：2022-07-25
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明涉及一种高波长均匀性的倒装Micro‑LED芯片结构及其制备方法。本发明中在芯片的u‑GaN层中设计了拓扑微腔结构，从而利用拓扑微腔结构和DBR之间的Micro‑LED芯片外延结构产生光耦合现象，以缓解常规Micro‑LED芯片随着注入电流的增大出现发光波长的蓝移现象，从而提高Micro‑LED芯片发光的稳定性；本发明中在蓝宝石衬底中刻蚀形成微通孔，随后向微通孔中注入CdSe/CdZnSe材料，从而通过蓝光激发量子点来产生红光/绿光，以形成红光Micro‑LED芯片或绿光Micro‑LED芯片。
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公开(公告)号：CN116093233A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310017693.4
申请日：2023-01-06
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本申请公开了高可靠性薄膜倒装Micro‑LED显示芯片及其制备方法。本技术方案中，利用电化学腐蚀技术及机械剥离技术实现对衬底的高效、低成本剥离，采用离子注入技术实现对芯片侧壁悬挂键有效钝化，形成表面电场，抑制电子和空穴在芯片表面的非辐射复合。此外，通过在芯片侧壁沉积复合钝化层进一步钝化薄膜倒装Micro‑LED显示芯片。其中，复合钝化层包括依次堆叠的钝化底层及钝化顶层，钝化底层用于接触薄膜倒装Micro‑LED显示芯片表面，钝化顶层采用高介电常数材料，高介电常数材料使得芯片表面能带弯曲，产生大的空穴势垒，抑制空穴向薄膜倒装Micro‑LED显示芯片表面移动，降低薄膜倒装Micro‑LED显示芯片表面复合速率，提高薄膜倒装Micro‑LED显示芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN115799410A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211602140.7
申请日：2022-12-13
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本申请公开了基于表面微印刷技术的柔性Micro‑LED阵列的制备方法。本方案中，采用糖、玉米糖浆以及水进行混合加热制成柔性焦糖层，通过柔性焦糖层将带有附着有粘接剂层的微圆盘转移到柔性Micro‑LED阵列的每一个Micro‑LED芯片表面，并通过粘接剂层将微圆盘粘附到Micro‑LED芯片表面，提高每一颗芯片的光提取效率。此外，Micro‑LED芯片设置有布拉格反射镜，由于布拉格反射镜带通滤波作用，能够将目标波长的光反射到出光面，提高芯片的光提取效率，同时将杂光透射到电极，使得电极将杂光吸收，减小芯片光谱的半高宽，提高倒装Micro‑LED芯片出光颜色的纯度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114497313B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202210015865.X
申请日：2022-01-07
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明属于半导体发光器件技术领域，公开了一种倒装Micro‑LED芯片及其制造方法。芯片中的钝化层采用场效应钝化复合层，场效应钝化复合层包括位于外侧的第一材料层和位于内侧并与芯片侧壁接触的第二材料层，芯片侧壁为斜面。场效应钝化复合层用于在本征点缺陷处形成电荷中心，形成覆盖芯片侧壁的电场，通过形成的电场防止自由载流子在芯片侧壁发生非辐射复合；场效应钝化复合层用于降低芯片侧壁的点缺陷密度，减少芯片侧壁发生非辐射复合的几率。本发明能够降低反向漏电流，提高Micro‑LED的发光效率和稳定性。
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公开(公告)号：CN116544318A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310499328.1
申请日：2023-05-05
Applicant: 武汉大学
IPC: H01L33/00 , H01L25/075 , H01L21/68 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种用于Micro‑LED芯片键合过程的磁力辅助自对准方法，在Micro‑LED芯片电极上沉积Fe3O4磁性纳米颗粒，使得Micro‑LED芯片电极能被磁化。在基板上制备具有Fe3O4磁性纳米颗粒的高密度键合凸点阵列，在磁场的作用下，高密度键合凸点产生磁性，在Micro‑LED芯片与键合凸点键合过程中，由于磁场力的相互吸引，实现Micro‑LED电极与键合凸点的高精度自对准，进一步实现高可靠性Micro‑LED芯片键合。
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公开(公告)号：CN116314540A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310340456.1
申请日：2023-03-31
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种micro‑LED芯片的衬底剥离与键合方法。针对micro‑LED芯片的转移，本发明通过在micro‑LED芯片衬底上刻出一系列沟槽，通过沟槽注入BOE刻蚀溶液，腐蚀掉衬底与外延片之间得二氧化硅阵列，减小衬底与外延之间的结合力后，通过激光剥离等技术将衬底去除掉，实现micro‑LED芯片的衬底剥离。通过移动电路板至晶圆上方，移动电路板对齐晶圆，加热电路板将焊料熔化，施加压力将电路板和晶圆连接在一起，通过上述的衬底剥离技术将衬底剥离，实现芯片的键合以及转移。本发明能够将micro‑LED芯片衬底剥离以及转移至电路板上，具有高效率、高精度的特点。
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公开(公告)号：CN114975728A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210558668.2
申请日：2022-05-20
Applicant: 武汉大学
IPC: H01L33/48 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明属于半导体显示技术领域，公开了一种三基色Micro‑LED芯片的转移方法。本发明针对单色的Micro‑LED芯片阵列，将芯片阵列从施主基板上转移至临时衬底上，在受主基板上滴加乙醇和盐水的混合物，将受主基板上的驱动电路与芯片阵列精准接触，利用乙醇和盐水的混合物降温后形成的胶体连接受主基板与芯片阵列，将临时衬底从受主基板上揭离，清洗受主基板去除胶体，至此完成单色的芯片阵列转移，然后重复上述方法，分批次完成三种单色的芯片阵列转移，实现三基色Micro‑LED芯片的转移。本发明能够将Micro‑LED芯片大规模、高效率且准确地转印至刚性基板或柔性基板上，实现三基色Micro‑LED芯片的集成。
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公开(公告)号：CN118352373A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410456894.9
申请日：2024-04-16
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本申请涉及一种单片集成的全彩Micro‑LED芯片及制备方法，包括衬底、在衬底上阵列排布的柱状结构，柱状结构包括半极性(11‑22)面GaN膜层、生长于半极性(11‑22)面GaN膜层上的半极性(11‑22)面GaN外延层、电极，电极分别连接于半极性(11‑22)面GaN外延层中的n‑GaN层和P‑GaN层；半极性(11‑22)面GaN膜层内设置有第一SiNx结构和第二SiNx结构，第一Si Nx结构设置于衬底上，位于第二SiNx结构下方，第二SiNx结构为正六棱柱；阵列排布的柱状结构构成多个发光单元，每一发光单元中，至少一个柱状结构为红光发光区，至少一个柱状结构为绿光发光区，至少一个柱状结构为蓝光发光区。本申请能解决相关技术中将红绿蓝三基色的Micro‑LED芯片巨量转移到面板上时存在转移良率要求高、转移过程中良率低的问题。
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