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公开(公告)号：CN114373834A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202111458290.0
申请日：2021-12-02
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明属于显示技术领域，公开了一种MicroLED芯片及其制造方法。本发明提供的MicroLED芯片的芯片形状为三角形，芯片结构为薄膜倒装结构，且包括图形化双层金属电极，相比于常规芯片结构具有更高的比表面积，且n型电极的分布得到优化，能够有效减少n型电极附近的电流聚集效应、降低n型半导体层的有效电阻，能够明显改善芯片的热量累积效应。
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公开(公告)号：CN116915062A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310856493.8
申请日：2023-07-12
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种带有串联LC电压均衡器的通用四端口变换器和控制系统，该变换器包括两个部分功率处理双有源桥和一串联LC支路，部分功率处理双有源桥包括全桥电路、半桥电路和高频隔离变压器，两部分功率处理双有源桥的全桥侧端口分别作为第一端口和第二端口连接至直流源或者负载，两部分功率处理双有源桥的两半桥侧端口分别连接至双极直流微电网的正极母线和中性线，以及中性线和负极母线，两部分功率处理双有源桥用于实现功率传输功能；串联LC支路与两半桥电路组成电感电容电压平衡单元，用于实现双极直流微电网的两极电压均衡。本发明不需额外增加电压平衡变换器，可实现端口功率控制和两极电压均衡，且能够提高变换器效率。
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公开(公告)号：CN114975728A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210558668.2
申请日：2022-05-20
Applicant: 武汉大学
IPC: H01L33/48 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明属于半导体显示技术领域，公开了一种三基色Micro‑LED芯片的转移方法。本发明针对单色的Micro‑LED芯片阵列，将芯片阵列从施主基板上转移至临时衬底上，在受主基板上滴加乙醇和盐水的混合物，将受主基板上的驱动电路与芯片阵列精准接触，利用乙醇和盐水的混合物降温后形成的胶体连接受主基板与芯片阵列，将临时衬底从受主基板上揭离，清洗受主基板去除胶体，至此完成单色的芯片阵列转移，然后重复上述方法，分批次完成三种单色的芯片阵列转移，实现三基色Micro‑LED芯片的转移。本发明能够将Micro‑LED芯片大规模、高效率且准确地转印至刚性基板或柔性基板上，实现三基色Micro‑LED芯片的集成。
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公开(公告)号：CN112577643B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202011458947.9
申请日：2020-12-11
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供一种实现三轴测力的大量程电容式柔性传感器，上柔性衬底的底部设有若干高度一致的衬底凸台，上电极为覆盖在上柔性衬底底部的金属层，下电极包括若干中间电极和围绕在中间电极外围的外围电极，中间电极与外围电极一一对应；中间电极与上电极之间形成的电容传感器用于测量正向力，外围电极与上电极之间形成的电容传感器用于测量切向力。本发明利用上柔性衬底自身的柔性以及底部的衬底凸台，使得介质层被完全压缩后，上柔性衬底仍然可以压缩一定的行程，从而有效提升传感器的量程；利用下电极的排布，从而分别测量正向力和切向力。
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公开(公告)号：CN112577643A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011458947.9
申请日：2020-12-11
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供一种实现三轴测力的大量程电容式柔性传感器，上柔性衬底的底部设有若干高度一致的衬底凸台，上电极为覆盖在上柔性衬底底部的金属层，下电极包括若干中间电极和围绕在中间电极外围的外围电极，中间电极与外围电极一一对应；中间电极与上电极之间形成的电容传感器用于测量正向力，外围电极与上电极之间形成的电容传感器用于测量切向力。本发明利用上柔性衬底自身的柔性以及底部的衬底凸台，使得介质层被完全压缩后，上柔性衬底仍然可以压缩一定的行程，从而有效提升传感器的量程；利用下电极的排布，从而分别测量正向力和切向力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114373834B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202111458290.0
申请日：2021-12-02
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明属于显示技术领域，公开了一种MicroLED芯片及其制造方法。本发明提供的MicroLED芯片的芯片形状为三角形，芯片结构为薄膜倒装结构，且包括图形化双层金属电极，相比于常规芯片结构具有更高的比表面积，且n型电极的分布得到优化，能够有效减少n型电极附近的电流聚集效应、降低n型半导体层的有效电阻，能够明显改善芯片的热量累积效应。
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公开(公告)号：CN112701139B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202011596113.4
申请日：2020-12-29
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开一种集成结构Micro‑LED显示器及其制备方法。包括Micro‑LED芯片阵列，芯片包括p‑Si衬底、Micro‑LED主体、两个晶体管和电容；Micro‑LED主体为台阶结构，从下到上包括：键合金属层、TiO2/SiO2DBR、ITO层、Mg掺杂p‑GaN层、Mg掺杂p‑AlGaN电子阻挡层、InGaN/GaN多量子阱层、InGaN/GaN超晶格应力释放层、表面粗化的Si掺杂n‑GaN层，其中Mg掺杂p‑GaN层上表面为台阶面，主体通过键合金属层与衬底相连。该结构无需Micro‑LED的大量转移即可实现有源驱动，改善了GaN外延层的晶体质量，提高了Micro‑LED的光电性能。
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公开(公告)号：CN110534621A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910790328.0
申请日：2019-08-26
Applicant: 武汉大学
IPC: H01L33/00 , H01L21/683
Abstract: 本发明涉及一种滚筒式三基色Micro-LED芯片转印方法，属于显示技术领域，包括：提供带有功能层的单色Micro-LED芯片阵列施主基板；对带有形状记忆聚合物微结构的滚筒进行预处理；使用预处理后的滚筒滚压施主基板，同时用激光辐照分解功能层，拾取Micro-LED芯片；提供集成有驱动电路的受主基板，用拾取了Micro-LED芯片的滚筒滚压受主基板，同时用激光辐照形状记忆聚合物微结构，将Micro-LED芯片转印至受主基板；重复上述步骤，将红、绿、蓝光Micro-LED芯片分批次转印至受主基板，实现三基色Micro-LED芯片集成。本发明能将Micro-LED芯片大规模、高效率且准确地转印至刚性基板或柔性基板上，实现了三基色Micro-LED芯片的集成，本发明转印过程中的拾取和放置均较可控，大大简化了操作过程。
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公开(公告)号：CN110449583A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910764744.3
申请日：2019-08-19
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种激光快速制备金属纳米多孔材料的方法，将纳米材料分散到易挥发溶剂中，通过超声、加热和离心处理，去除纳米材料表面的分散剂，获得高浓度的纳米浆料。把纳米浆料旋涂至基板上，待溶剂完全挥发后，在基板的涂覆层上放置透光片。激光穿过透光片，沿设定路径扫描纳米材料，从而获得金属纳米多孔材料。本方法适用于易分散在溶剂中的零维或一维金属纳米材料，具有重复性好，可控性强，生产速度快的优点。
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公开(公告)号：CN117614285A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311618318.1
申请日：2023-11-28
Applicant: 武汉大学
IPC: H02M3/335
Abstract: 本发明涉及电压平衡技术，具体涉及适用于双极直流微电网的双LC交错式四端口变换器及方法，该变换器由两个双有源桥和两条LC谐振支路构成。LC谐振支路和并网侧全桥电路构成两个交错控制的串联谐振型电压平衡器DLCVB。包括四个全桥电路，四组控制信号之间存在三个独立的移向角。通过调整gM,1和gM,2之间的移向角dB实现母线电压平衡控制；通过调整gS,k和gM,k之间的移向角dk实现端口k功率控制。变换器通过器件复用技术，将电压平衡功能集成到并网设备当中，有效减少了分布式电压平衡器器件数量，并网侧两条谐振均压支路交错工作，使变换器并网电流更加平滑，可以有效降低并网电流纹波。
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