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公开(公告)号：CN117353698A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311441991.2
申请日：2023-10-30
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种抑制横波泄露的体声波谐振器，该谐振器自上而下包括第一电极层、压电层、第二电极层和衬底；第一电极层设置于压电层上层即远离衬底的一侧，第一电极层的谐振区内设有顶电极；第二电极层设置于压电层下层即靠近衬底的一侧，第二电极层的谐振区内设有底电极；还包括若干声反射栅结构，声反射栅结构设置于第一电极层的谐振区外和/或第二电极层的谐振区外；若干声反射栅结构之间存在多个空气隙隔离层；衬底包括支撑结构和空腔结构。当声波传播到声反射栅结构时，由于其形状不规则、宽度不一且与谐振器谐振区边缘不平行，声波会被多次反射、折射和散射，使其传播路径变的复杂，有效抑制横向声波泄露及杂波响应，提高谐振器的Q值。
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公开(公告)号：CN110995199B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201911299246.2
申请日：2019-12-17
Applicant: 武汉大学
Abstract: 公开了一种双工器，包括基底(201)以及位于基底(201)上的接收滤波器(103)和发射滤波器(104)；接收滤波器(103)和发射滤波器(104)均包括一个或多个底部薄膜体声波谐振器(210，320)，和在所述一个或多个底部薄膜体声波谐振器(210，320)上形成的顶部薄膜体声波谐振器(220，330)；发射滤波器(104)的底部薄膜体声波谐振器(320)和顶部薄膜体声波谐振器(330)具有质量负载层。本发明通过对底部薄膜体声波谐振器(210，320)压电层厚度t1、顶部薄膜体声波谐振器(220，330)压电层厚度t2以及质量负载的厚度等的调整，可以很容易的进行谐振器谐振频率的匹配，实现双工器接收发射滤波器的单片集成，减小双工器的尺寸。
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公开(公告)号：CN111010127B
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN201911333656.4
申请日：2019-12-23
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器及其制备方法，包括基底、空腔和压电堆叠结构；压电堆叠结构从下而上依次为底电极、压电材料层和顶电极；压电材料层由压电材料有效区域、压电材料外部区域、锚组成；压电材料有效区域小于空腔面积。压电材料有效区域边缘与空气接触，通过锚与压电材料外部区域连接。压电材料有效区域通过锚的支撑悬浮在空腔上方，谐振时在压电材料有效区域内部横向传播的声波在边缘被空气反射，另外谐振时只有锚束缚压电堆叠结构工作区域的振动，压电堆叠结构能够更加自由的振动，减小杂波影响的同时产生更强的电信号，从而提高薄膜体声波谐振器性能。
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公开(公告)号：CN112953448A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110184709.1
申请日：2021-02-10
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种新结构薄膜体声波谐振器及其制备方法，是由上电极、第一压电层、第二压电层、第三压电层和下电极所组成的新型结构，随着5G时代的到来，谐振器的发展越来越朝着微型化、集成化和高频的方向走，市场对谐振器性能的要求越来越高，声表面波谐振器(SAW)难以满足高频的应用，但薄膜体声波谐振器(FBAR)存在着机电耦合系数不高的缺陷。本发明通过改变传统薄膜体声波谐振器单一的压电层，能够有效地减少压电层的电损耗；通过调节各层压电层的厚度，达到调节薄膜体声波谐振器机电耦合系数的目的，本发明还公开了一种新结构薄膜体声波谐振器的制备方法。
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公开(公告)号：CN112350683A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011305961.5
申请日：2020-11-20
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种类石墨烯结构的超高频谐振器，具体指一种可以提高谐振器机电耦合系数的超高频谐振器结构，该谐振器在压电材料上表面部布置有类石墨烯结构分布的正负电极，每个电极被三个相异极性的电极环绕，进而形成三个方向的电场分布。该谐振器结构能够有效的提高谐振器的谐振频率和机电耦合系数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110501521B
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201910740137.3
申请日：2019-08-12
Applicant: 武汉大学
IPC: G01P15/09
Abstract: 本发明涉及加速度计技术领域，公开了一种压电式加速度计，包括矩形框架，矩形框架内设置有质量块，质量块在一组互相平行的侧面上固定梁一、梁二、梁三和梁四；梁一和梁二互相对称且位于同一侧面，梁三和梁四互相对称且位于与梁一所在的侧面相平行的另一侧面，梁一与梁三互相对称，梁二与梁四互相对称；梁一、梁二、梁三和梁四上表面上均设置有压电片，每个压电片的四个角上分别设置有一个金属电极。本发明将各个梁设置在质量块对称的两侧，加强了加速度计的稳定性，减少加速度计在工作情况下的扭转变形；质量块的厚度与梁的厚度一致，增强了加速度计的稳定性并减少了扭转变形，同时能够获得较高的动态频宽。
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公开(公告)号：CN112039478A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010867930.2
申请日：2020-08-26
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明涉及一种可提高FOM值的二维兰姆波射频谐振器，包括压电层和设置于所述压电层表面的电极阵列，所述电极阵列中包括第一电极块和第二电极块，所述第一电极块的尺寸大于第二电极块。本发明使谐振器的有效机电耦合系数以及品质因子均得到了很大的提高，进而提高了FOM值。
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公开(公告)号：CN108917991B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201810685353.8
申请日：2018-06-28
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了高灵敏度压电MEMS传感器及其制备方法，所述压电MEMS传感器包括基底和压电堆叠结构；所述基底从下至上依次为基底底层、基底中间层和基底顶层；所述基底底层设有背腔，所述基底顶层设有规律分布的镂空槽；所述压电堆叠结构设有贯通压电堆叠结构、且与镂空槽相通的若干释放孔。本发明压电MEMS传感器，当压电堆叠结构、基底顶层和基底中间层发生形变时，由于镂空槽的存在，使得压电薄膜的挠曲变形增大，压电薄膜的应变程度得到加强，输出更强的电信号，从而提升压电传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN109489843A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811270252.0
申请日：2018-10-29
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供了一种高灵敏度传感器及其制备方法。本发明提供的高灵敏度传感器，其特征在于，包括：衬底，内部具有密闭的空腔，该空腔内充有惰性气体，且气压小于1atm；和谐振部，形成在衬底上，包括：底电极、压电中间层、和上电极或叉指电极。根据本发明提供的高灵敏度传感器，当环境温度发生变化时，空腔内部的惰性气体的体积会随温度而变化，从而引起谐振部的底电极和压电中间层的应变形变，使谐振部的频率发生改变，通过检测频率的改变可以实现灵敏的传感。通过谐振部可以提升传感器的灵敏度，从而提高传感器性能。
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