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公开(公告)号：CN116412846A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202310148562.X
申请日：2023-02-20
Applicant: 武汉大学
IPC: G01D5/48
Abstract: 本发明涉及微电子技术，具体涉及基于SAW谐振器的无线无源阵列式传感器及测量方法，该传感器包括包括无线无源传感器阵列、信号收发与处理系统。无线无源传感器阵列接收信号收发与处理系统的无线激励信号并针对外界多个传感量作出响应，并将响应信号发送回信号收发与处理系统，通过信号收发与处理系统将无线无源传感器阵列的响应信号分离解耦，最终获得所需的传感量。该传感器解决了现有技术中，只能测量单一传感量，无法对耦合参数进行测量的缺点。通过上位机软件进行信号处理，外部电路简单，稳定性好，可靠性高。
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公开(公告)号：CN112688656A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011558722.0
申请日：2020-12-25
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提出了一种二维高性能超高频谐振器，包括接触式二维高性能超高频谐振器、非触式二维高性能超高频谐振器。所述接触式二维高性能超高频谐振器包括：压电层、电极层、电桥；所述电极层沉积于压电层之上；所述电极层包含多个子电极；所述子电极形状为圆环形、椭圆环形、圆环与圆形组合形、椭圆环与椭圆组合形；所述电桥置于压电层上方与所述压电层接触，所述电桥沉积在所述电极层上方，所述电桥与所述子电极连接；所述子电极存在内部空腔，填充温补材料。本发明的谐振器结构可以极大提升超高机电耦合系数并具有较高的品质因子；本发明谐振器可以实现频率调节、实现温度补偿；本发明谐振器可以有效减小伪模态。
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公开(公告)号：CN111010127A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201911333656.4
申请日：2019-12-23
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器及其制备方法，包括基底、空腔和压电堆叠结构；压电堆叠结构从下而上依次为底电极、压电材料层和顶电极；压电材料层由压电材料有效区域、压电材料外部区域、锚组成；压电材料有效区域小于空腔面积。压电材料有效区域边缘与空气接触，通过锚与压电材料外部区域连接。压电材料有效区域通过锚的支撑悬浮在空腔上方，谐振时在压电材料有效区域内部横向传播的声波在边缘被空气反射，另外谐振时只有锚束缚压电堆叠结构工作区域的振动，压电堆叠结构能够更加自由的振动，减小杂波影响的同时产生更强的电信号，从而提高薄膜体声波谐振器性能。
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公开(公告)号：CN110995194A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911398316.X
申请日：2019-12-30
Applicant: 武汉大学
IPC: H03H9/02
Abstract: 本发明涉及谐振器技术，具体涉及一种二维高性能谐振器，包括压电层，压电层上表面分布有电极层，电极层包括设置于水平方向间距大于四个波长的若干电极和设置于垂直方向间距小于等于四个波长的若干电极。该二维高性能谐振器基于特定排布电极的超高频高性能谐振器结构，谐振频率可以达到6GHz，可以很好的满足5G市场的需求，该谐振器结构可以达到大于40%的超高的机电耦合系数，且品质因数也有很大程度提升。
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公开(公告)号：CN110931922A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911165567.3
申请日：2019-11-25
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明涉及微电子技术，具体涉及一种基于压电双模态谐振器的双通带滤波器，包括至少一个串联压电双模态谐振器和至少一个并联压电双模态谐振器；串联压电双模态谐振器和并联压电双模态谐振器具有厚度纵向模态和厚度剪切模态两种模态；串联压电双模态谐振器的厚度剪切模态和并联压电双模态谐振器的厚度剪切模态形成第一单通带滤波器；串联压电双模态谐振器的厚度纵向模态和并联压电双模态谐振器的厚度纵向模态形成第二单通带滤波器。该双通带滤波器同时利用压电谐振器的厚度纵向模态和厚度剪切模态两种模态，实现了单个滤波器的双频段通信，可以有效减小滤波器的数量，使移动通信设备更加小型化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110868187A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201911164861.2
申请日：2019-11-25
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种基于弧形电极的超高频谐振器结构，包括压电材料和多个弧形形状的电极；弧形形状的电极布置在压电材料表面上，相邻电极上施加交替的正负电压，电极之间的距离范围为1-100个波长，所述波长根据电极的间距及谐振频率确定。本发明的超高频谐振器的谐振频率可以达到6GHz，完全可以很好的满足5G市场的需求，且本发明实例的谐振器结构可以达到大于40％的超高的机电耦合系数。
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公开(公告)号：CN110231095A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201910433612.2
申请日：2019-05-23
Applicant: 武汉大学
IPC: G01J5/20
Abstract: 本发明公开了一种等离激元声表面波谐振红外传感器，包括声表面波谐振器和纳米金属阵列；声表面波谐振器包括输入端叉指电极、输出端叉指电极、压电薄膜和基底；纳米金属阵列位于声表面波谐振器敏感区域，生长在压电薄膜上。所述等离激元声表面波谐振器红外传感器通过纳米金属阵列的等离激元效应增强对红外辐射的吸收，微量的红外辐射可以产生较大的能量聚集，使声表面波谐振器敏感区域温度升高，压电薄膜材料参数发生变化，造成沿压电薄膜表面传播的声波振动发生变化，叉指电极输出的电信号频率发生漂移，通过测试电信号变化来反映红外辐射信号。本发明尺寸较小、制备简单、灵敏度高，能够有效实现红外辐射探测。
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公开(公告)号：CN112994647A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110160241.2
申请日：2021-02-05
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明属于谐振器技术领域，公开了一种环电极结构的超高频谐振器。该谐振器结构包括压电层和环电极，每个环电极以环状围绕在压电层四周，多个环电极沿着压电材料长度方向分布，且施加正负交替的电压激励。该结构能够在压电层中激发横向电场，从而激发横向剪切模式体声波，实现超高谐振频率下的高有效机电耦合系数，满足射频通信领域高频率大带宽的要求。
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公开(公告)号：CN112968685A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110160231.9
申请日：2021-02-05
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种带有沟槽结构的体声波谐振器，具体指一种带有阵列式沟槽结构，高谐振频率的体声波谐振器结构。该谐振器结构包括底电极、压电层、压电层中的沟槽结构和顶电极。该结构能够减小谐振器中压电层的等效厚度，有效地提高谐振器的谐振频率，能满足5G/6G通讯的实际需求。
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公开(公告)号：CN112816109A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011633610.7
申请日：2020-12-31
Applicant: 武汉大学
IPC: G01L1/16
Abstract: 本发明公开了一种射频压力传感器，包括带有空腔的衬底，沉积在衬底上表面的布拉格反射栅层结构以及形成在反射栅层结构上的压电堆叠结构。布拉格反射栅层结构从下至上依次为低声阻抗层和高声阻抗层的交替叠加；压电堆叠结构从下至上依次为底电极、压电层及顶电极。当压力作用于传感器时，由于空腔的存在，压电堆叠结构、反射栅层结构及空腔上衬底薄层在压力的作用下发生相应形变，引起谐振频率的偏移，最终测量出压力的变化。通过设置的反射栅层结构和空腔上的衬底层，可以增加传感器的稳定性；传感器可承受更大的压力，即可测量压力范围更大，应用范围更广。同时，SiO2薄膜层可以减少谐振器的温漂问题，进一步增大传感器的稳定性与准确性。
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