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公开(公告)号：CN113726307A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110947614.0
申请日：2021-08-18
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种有效机电耦合系数可调的超高频谐振器，其结构包括：沟槽，电极，压电薄膜；电极位于压电薄膜上表面。沟槽横截面为矩形、梯形、弧形中任一种，长度方向与电极长度方向一致，沟槽数目、宽度和深度据实际情况确定。沟槽可位于压电薄膜上表面或下表面或位于上下表面，若其位于压电薄膜上表面，则位于电极左右两侧；若其位于压电薄膜下表面，则位于电极正下方；若其位于压电薄膜上下表面，则上表面的沟槽位于电极左右两侧，下表面的沟槽位于电极正下方。刻蚀沟槽能够有效减小超高频谐振器的带宽，且可以通过改变沟槽的宽度和深度调节有效机电耦合系数，实现带宽可调。
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公开(公告)号：CN112865744A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110030254.8
申请日：2021-01-11
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提出了一种基于超高带宽声波谐振器的带宽调节方法。本发明超高带宽声波谐振器包括：衬底、欧拉角变换的压电层、电极层,所述电极层由多个电极构成。本发明调整所述欧拉角变换的压电层的欧拉角，进一步调整所述欧拉角变换的压电层的材料的晶格轴向；通过调整所述欧拉角变换的压电层的材料的晶格轴向，进而调整所述欧拉角变换的压电层的材料的压电应力常数矩阵；通过调整所述欧拉角变换的压电层的材料的压电应力常数矩阵中元素而调整机械耦合系数。本发明通过调整压电材料的欧拉角，改变压电材料的压电应力常数，继而控制又压电系数造成的声波模态耦合产生的机电耦合系数，实现谐振器的带宽控制。
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公开(公告)号：CN112290904A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011178454.X
申请日：2020-10-29
Applicant: 武汉大学
Abstract: 公开了一种基于嵌入型电极的超高频谐振器，将电极(101，102)的部分或全部沉积在压电层(103)中，使得在压电层(103)中的电场得到增强并分布更加均匀，使得压电层(103)厚度方向与横向方向的电场产生更强的耦合效应，从而使得谐振器的品质因数与机电耦合系数增加。
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公开(公告)号：CN111224637A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010072800.X
申请日：2020-01-21
Applicant: 武汉大学
IPC: H03H9/13
Abstract: 本发明公开了一种带有新型释放结构的谐振器及其制备方法，包括：衬底、中间介质层、压电层、电极、牺牲层、第一释放结构、第二释放结构、隔离层、空腔。本发明制备方法为将中间介质层形成于衬底上方，压电层形成于中间介质层上方；在压电层、中间介质层上形成封闭槽，进而形成第一释放结构；在第一释放结构中填充隔离层；在隔离层上形成多个槽孔构成第二释放结构；在第二释放结构中填充牺牲层，所述的牺牲层材料与中间介质层材料一致；在压电层上形成电极，所述电极可同时分布在所述压电层的上表面、下表面；通过第二释放结构释放隔离层内部的中间介质层及第二释放结构中的牺牲层，形成空腔。本发明能有效保证谐振器的稳定性。
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公开(公告)号：CN110995189A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911030650.X
申请日：2019-10-28
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供了一种谐振器及其制备方法，能够有效抑制格型结构滤波器存在的非谐振区域谐振问题，并提升滤波器的品质和性能。本发明提供的格型结构滤波器，包括至少两个串联谐振器和多个并联谐振器，其特征在于：在上下谐振器的重叠区域中，一个谐振器的上电极与另一个谐振器的下电极之间，为非压电且非导体材料形成的填充层。本发明提供的制备方法其特征在于：在沉积完压电材料之后，对压电材料的局部区域先进行刻蚀；局部区域指搭建滤波器时不同谐振器上下电极相重叠、其间包含压电材料的区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110880923A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201911255614.3
申请日：2019-12-10
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明涉及谐振器技术，具体涉及一种螺旋状的声波谐振器，包括衬底，衬底中设有空腔，空腔中设置有支撑柱，支撑柱上支撑着悬浮于空腔上方的声波谐振器；声波谐振器包括均为相同螺旋形状的种子层、下电极层、压电薄膜层和上电极层。该谐振器能够很好的提高谐振器的机电耦合系数。
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公开(公告)号：CN109474252A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811271504.1
申请日：2018-10-29
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供了一种可提高Q值的空腔薄膜体声波谐振器及其制备方法。本发明提供的可提高Q值的空腔薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括：衬底，中部具有向上开口的凹槽；SiC/Diamond薄膜层，形成在衬底上，中部设有与凹槽对应的贯穿口；以及压电震荡堆部，形成在SiC/Diamond薄膜层上，并且位于贯穿口的正上方，从下至上依次包括：底电极、压电层、和顶电极。本发明利用SiC/Diamond薄膜层声波传播速率快、硬度高的特点，可以很好的抑制压电薄膜中产生的横向振动模式的声波，并且可以减小软质衬底引入的机械阻尼，减少声波能量损耗，降低薄膜体声波谐振器的插入损耗，获得高的Q值和机电耦合系数。
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公开(公告)号：CN109119531A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810917285.3
申请日：2018-08-13
Applicant: 武汉大学
IPC: H01L41/332
Abstract: 本发明提供了一种柔性传感器的制造方法，该方法能够促使刻蚀顺利进行，并显著提高柔性传感器剥落的成功率。本发明涉及的柔性传感器的制造方法，特征在于，包括以下步骤：步骤1.在硅衬底上涂光刻胶，进行光刻，对硅衬底进行刻蚀，产生形成有多个支撑柱的凸台；步骤2.在凸台上沉积二氧化硅薄膜层；步骤3.依次沉积或覆盖制造传感器的各层材料；步骤4.通入二氧化硅刻蚀剂对二氧化硅薄膜层进行刻蚀；步骤5.将传感器剥落。
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公开(公告)号：CN113114068A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110281315.8
申请日：2021-03-16
Applicant: 武汉大学
IPC: H02N2/18
Abstract: 本发明公开了一种基于复合压电薄膜的能量采集器，包括：固定基座，悬臂梁，质量负载；所述固定基座和悬臂梁可以是连续曲面图形或多边形，所述质量负载可根据悬臂梁形状适当调整其形状尺寸，所述悬臂梁与固定基座接触端形成固定端，远离端形成自由端。所述悬臂梁为自上而下多层结构为：上电极、压电层、下电极、支撑层，所述压电层为具有低介电常数(低介电损耗)、低压电系数(较差的压电性能)的压电层和具有高介电常数(高介电损耗)、高压电系数(良好的压电性能)的压电层根据实际情况排列组合为两层或多层结构的复合压电薄膜，所述复合压电薄膜各层厚度根据实际情况确定，整体具有良好的压电和介电性能，能够提高能量采集器的输出电压。
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公开(公告)号：CN112688656A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011558722.0
申请日：2020-12-25
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提出了一种二维高性能超高频谐振器，包括接触式二维高性能超高频谐振器、非触式二维高性能超高频谐振器。所述接触式二维高性能超高频谐振器包括：压电层、电极层、电桥；所述电极层沉积于压电层之上；所述电极层包含多个子电极；所述子电极形状为圆环形、椭圆环形、圆环与圆形组合形、椭圆环与椭圆组合形；所述电桥置于压电层上方与所述压电层接触，所述电桥沉积在所述电极层上方，所述电桥与所述子电极连接；所述子电极存在内部空腔，填充温补材料。本发明的谐振器结构可以极大提升超高机电耦合系数并具有较高的品质因子；本发明谐振器可以实现频率调节、实现温度补偿；本发明谐振器可以有效减小伪模态。
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