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公开(公告)号：CN114859575B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202210313290.X
申请日：2022-03-28
Applicant: 武汉大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明属于光通信技术领域，公开了一种基于逆压电效应的可调制微环光通信滤波器，包括波导、微环谐振器和电极夹层单元，电极夹层单元包括一个或多个电极夹层；波导布置于微环谐振器的侧边区域内，微环谐振器与波导之间发生侧向倏逝波耦合，使微环谐振器内产生光场谐振；电极夹层与微环谐振器紧密贴合，电极夹层基于逆压电效应改变微环谐振器的形状尺寸或微环谐振器的有效折射率，以调控微环谐振器内光场的谐振状态。本发明能够在增大调制范围和调节精度的同时降低损耗与串扰，满足低功率需求。
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公开(公告)号：CN118509752A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410024141.0
申请日：2024-01-05
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种具有扰流板的压电麦克风及其制作方法，所述压电麦克风包括，外壳、与所述外壳围合形成容置腔的基板以及设置于所述容置腔内的MEMS芯片；所述外壳上开设有与所述容置腔相通的声孔；所述MEMS芯片包括固定柱和振膜，所述振膜是由所述固定柱支撑在所述基板上的压电悬臂梁，所述压电悬臂梁设置多个，相邻压电悬臂梁之间存在间隙；所述声孔内还设置有与所述间隙匹配的扰流板部件，工作时声波通过所述扰流板部件分散至所述间隙两边的压电悬臂梁上。本发明在封装外壳的通风孔上增加了一个扰流板结构，可以将损失的声波利用起来，将声波分散至间隙两边的悬臂振膜上，使振膜位移增大，也使麦克风接受到的声压级增大，从而提高麦克风的灵敏度。
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公开(公告)号：CN118237978A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410401577.7
申请日：2024-04-03
Applicant: 武汉大学
IPC: B23Q17/09
Abstract: 本申请提供了刀具应力温度检测装置及其制备方法，装置包括声表面波器件以及多层关键膜层，声表面波器件包括基底、压电薄膜以及叉指电极；多层关键膜层包括绝缘层以及隔热层，所述绝缘层包括上层绝缘层和下层绝缘层，所述下层绝缘层、所述压电薄膜、所述叉指电极、所述上层绝缘层以及所述隔热层自所述基底上方依次逐层沉积设置。本申请通过多个关键膜层对声表面波器件提供有效的保护并对外界环境起到一定的隔绝作用，具有倾斜c轴取向的压电薄膜在电信号的激励下可以产生两种模式，从而实现对刀具温度和应力的在线监测，结构简单，适配于各种数控机床上的刀具的在线检测。
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公开(公告)号：CN117978121A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410069576.7
申请日：2024-01-17
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种高Q值兰姆波谐振器及其制作方法，所述谐振器包括自下而上依次布置的带有凹槽的衬底、功能性材料层、压电材料层以及电极结构，其特征在于，所述功能性材料层围绕衬底的凹槽设置；所述压电材料层具有凸起，所述压电材料层与所述衬底的凹槽形成空腔，空腔上部的压电材料层带有通孔将所述空腔与外界环境相通。本发明的谐振器的压电材料层具有凸起，可以增大谐振器边界处的声阻抗差异，有助于增加声波的反射效率，减小能量损失，从而提高谐振器整体的Q值；将压电材料直接沉积在衬底上存在较大的空间传输损耗，功能性材料层存在大量缺陷，可以有效捕获自由载流子，进而提升谐振器的Q值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115268123A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210890019.2
申请日：2022-07-27
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明涉及一种电调光波导相位调制器及相位调制方法，上述相位调制器包括：基底、缓冲介质层、光学波导组件和压电组件，缓冲介质层沉积于基底上，光学波导组件沉积于缓冲介质层上，压电组件沉积于光学波导组件上，压电组件由外向内依次包括外电极、压电材料层和内电极，缓冲介质层由绝缘介质或导电介质制成。本发明中将压电组件与光学波导组件相结合，并可采用直流电压偏置的方式给压电层施加电压，从而通过逆压电效应产生应力并作用于光波导组件上，使其折射率发生改变，从而达到调制传播光相位的目的；本发明中可同时利用电光效应与应力光学效应进一步提升调制带宽与调制效率。
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公开(公告)号：CN112994647A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110160241.2
申请日：2021-02-05
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明属于谐振器技术领域，公开了一种环电极结构的超高频谐振器。该谐振器结构包括压电层和环电极，每个环电极以环状围绕在压电层四周，多个环电极沿着压电材料长度方向分布，且施加正负交替的电压激励。该结构能够在压电层中激发横向电场，从而激发横向剪切模式体声波，实现超高谐振频率下的高有效机电耦合系数，满足射频通信领域高频率大带宽的要求。
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公开(公告)号：CN112968685A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110160231.9
申请日：2021-02-05
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种带有沟槽结构的体声波谐振器，具体指一种带有阵列式沟槽结构，高谐振频率的体声波谐振器结构。该谐振器结构包括底电极、压电层、压电层中的沟槽结构和顶电极。该结构能够减小谐振器中压电层的等效厚度，有效地提高谐振器的谐振频率，能满足5G/6G通讯的实际需求。
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公开(公告)号：CN112886940A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110040803.X
申请日：2021-01-13
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提出了一种易于集成的FBAR滤波器，包括：多个布拉格反射层结构的支撑脚、第一谐振器、第二谐振器；所述的第一谐振器、第二谐振器之间共用多个布拉格反射层结构的支撑脚；第一谐振器由质量负载、第一上电极、第一压电层、第一下电极依次沉积构成；第二谐振器由第二上电极、第二压电层、第二下电极依次沉积构成。FBAR谐振器通过支撑脚联接形成滤波器，谐振器可通过在上电极上部施加质量负载调频，以形成滤波器通带。FBAR谐振器通过横向分布的布拉格反射层相间结构的支撑脚联接，能够提高FBAR谐振器的机械品质因数，也可使谐振器排布方式多样化，可以为横向排布方式或纵向叠加方式，提高滤波器的集成度，减小加工成本。
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公开(公告)号：CN112134540A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202010977498.2
申请日：2020-09-17
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明涉及一种复合电极的体声波谐振器及其制备方法，包括带有空腔的衬底、复合下电极、压电层、上电极。其中，压电层在复合下电极和上电极之间。复合下电极含有第一下电极、种子层、温度补偿层和第二下电极。第一下电极和第二下电极通过刻蚀通孔后相连接；通孔贯穿温度补偿层和种子层。复合电极在一方面可以提高压电薄膜的质量，降低谐振器的温度频率系数；另一方面，消除了由于温度补偿层导致的寄生电容效应，提高了谐振器的耦合系数。
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