公开(公告)号：CN109585567A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811395202.5

申请日：2018-11-22

Applicant: 武汉大学

Inventor： 廖蕾 ,  何佳威

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/363

Abstract: 本发明提供高性能铟镓锌氧基双层结构薄膜晶体管及其制备方法，能够有效减少双层薄膜中的缺陷，并显著提高迁移率和开关电流比。本发明所涉及的薄膜晶体管，从下往上依次包括：P型重掺杂硅片、二氧化硅绝缘层、铟镓锌氧薄膜层、氧化铟薄膜层以及源漏电极。方法包括：以生长有二氧化硅绝缘层的重掺杂P型硅片为基底，对铟镓锌氧复合靶材进行射频磁控溅射，同时通过掩膜工艺在基底上沉积形成铟镓锌氧薄膜；在铟镓锌氧薄膜层上对氧化铟靶材进行射频磁控溅射，通过掩膜工艺沉积形成氧化铟薄膜层，进而形成铟镓锌氧/氧化铟双沟道层；在铟镓锌氧/氧化铟双沟道层上采用热蒸发工艺，同时通过掩膜工艺制备源漏电极，即得铟镓锌氧基双层结构薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN104944412B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201510395922.1

申请日：2015-07-07

Applicant: 武汉大学

Inventor： 潘春旭 ,  罗成志 ,  廖蕾 ,  万达

IPC: C01B31/02 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体性单壁碳纳米管（SWNTs）的制备方法。将催化剂二茂铁置于CVD炉石英管内上游区，基底置于石英管内下游区，然后封闭石英管，通入氮气或惰性气体排尽石英管内的空气；将石英管加热至400‑1500℃，开启磁场，从上游区通入高纯度气体碳源反应5‑300 min，反应结束后先关闭气体碳源，再关闭磁场，然后将石英管自然降温至室温，即得到半导体性单壁碳纳米管。本发明利用浮动催化剂化学气相沉积法（CVD）制备单壁碳纳米管的过程中引入磁场可以选择性地制备半导体性单壁碳纳米管。该方法具有工艺简单、操作容易、成本低、产物质量高、含量高、可控性好，以及可进行大规模生产等优点，是一种“原位”制备半导体性单壁碳纳米管的理想方法。

公开(公告)号：CN102509735B

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201110443501.3

申请日：2011-12-27

Applicant: 武汉大学

Inventor： 廖蕾 ,  王春兰 ,  刘曰利 ,  刘兴强 ,  陈文 ,  贺彪

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/10 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了一种非晶氧化铟锌/氧化铟纳米晶同质复合薄膜晶体管，以非晶氧化铟锌/氧化铟纳米晶同质复合薄膜为半导体沟道层，在复合薄膜中，复合的纳米氧化铟和氧化铟锌的摩尔比为0.5%～1%。将0.5%～1%摩尔比的氧化铟纳米颗粒加入到铟盐-锌盐复合胶体溶液中，利用旋涂法和煅烧，制备出高性能的氧化铟锌薄膜，再将其进行微纳加工如光刻、刻蚀、再光刻以及电极的蒸镀和剥离制备出复合型薄膜场效应晶体管。通过控制工艺条件，可以得到具有高迁移率的场效应晶体管，并且使其具备较高的透光性能。制备方法成本低廉，可实现大规模批量生产。

公开(公告)号：CN102394242B

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201110385435.9

申请日：2011-11-29

Applicant: 武汉大学

Inventor： 廖蕾 ,  刘曰利 ,  刘兴强 ,  陈文 ,  贺彪

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/10 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了一种非晶氧化铟锌/碳纳米管复合薄膜晶体管，以柔性氧化铟锌/碳纳米管复合薄膜为半导体沟道层，在复合薄膜中，碳纳米管和氧化铟锌的质量比在0.027%-2.74%之间。将碳纳米管加入到铟盐-锌盐复合胶体溶液中，制备出碳纳米管/铟盐-锌盐复合胶体溶液，利用旋涂工艺，制备出高性能氧化铟锌/碳纳米管复合薄膜，再经后续热退火、光刻、刻蚀、再光刻以及电极的蒸镀和剥离制备出高迁移率氧化铟锌/碳纳米管复合薄膜场效应晶体管。通过对一些工艺的优化，成功制备出高场效应迁移率的氧化铟锌/纳米管，并且具备极高的机械性能。本实验成本低廉，实验条件要求低，实验结果的可重复性高，且可实现大规模批量生产。

公开(公告)号：CN104037234A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201410310520.2

申请日：2014-07-01

Applicant: 武汉大学

Inventor： 廖蕾 ,  许磊 ,  刘兴强 ,  刘传胜

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02664 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969

Abstract: 一种氢钝化氧化锌基薄膜晶体管是以氢等离子体钝化处理的掺杂钛或镁的氧化锌基半导体材料为沟道层。其制法为以生长有二氧化硅的重掺杂P型硅片为基底，对Ti或Mg与氧化锌的复合靶材进行射频磁控溅射，同时通过第一次掩膜沉积在基底上形成小块的掺杂Ti或Mg的氧化锌薄膜层；原位氢等离子体处理；在原位氢等离子体处理的氧化锌基薄膜层上采用直流溅射，第二次掩膜沉积制备Al电极，即得氢钝化氧化锌基薄膜晶体管。其优点是：本发明提供的氢钝化氧化锌基薄膜晶体管具有电子迁移率较高、电学稳定性好，开关比高等优点；制备方法的工艺简单，成本低，可通过氢钝化时间和掺杂物的含量来调节器件的阈值电压。

公开(公告)号：CN102842602A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201210368306.3

申请日：2012-09-28

Applicant: 武汉大学

Inventor： 廖蕾 ,  刘兴强

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/10 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种高性能薄膜晶体管，以非晶氧化锌镁/碳纳米管复合薄膜为半导体沟道层，在复合薄膜中，碳原子和氧化物中的金属阳离子摩尔比在0-25%之间。通过对氧化物组分的调制，实现了对阈值电压从-10V到6V的连续调控。该高性能薄膜晶体管的制备方法是：将碳纳米管和氧化锌镁进行复合，得到非晶氧化锌镁/碳纳米管复合薄膜，并以此为半导体沟道层，经过晶体管制造工艺得到高性能透明复合薄膜场效应晶体管。制备方法工艺简单，对条件要求低，可控程度高，成本低廉。

公开(公告)号：CN102394242A

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN201110385435.9

申请日：2011-11-29

Applicant: 武汉大学

Inventor： 廖蕾 ,  刘曰利 ,  刘兴强 ,  陈文 ,  贺彪

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/10 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了一种非晶氧化铟锌/碳纳米管复合薄膜晶体管，以柔性氧化铟锌/碳纳米管复合薄膜为半导体沟道层，在复合薄膜中，碳纳米管和氧化铟锌的质量比在0.027%-2.74%之间。将碳纳米管加入到铟盐-锌盐复合胶体溶液中，制备出碳纳米管/铟盐-锌盐复合胶体溶液，利用旋涂工艺，制备出高性能氧化铟锌/碳纳米管复合薄膜，再经后续热退火、光刻、刻蚀、再光刻以及电极的蒸镀和剥离制备出高迁移率氧化铟锌/碳纳米管复合薄膜场效应晶体管。通过对一些工艺的优化，成功制备出高场效应迁移率的氧化铟锌/纳米管，并且具备极高的机械性能。本实验成本低廉，实验条件要求低，实验结果的可重复性高，且可实现大规模批量生产。

公开(公告)号：CN104944412A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510395922.1

申请日：2015-07-07

Applicant: 武汉大学

Inventor： 潘春旭 ,  罗成志 ,  廖蕾 ,  万达

IPC: C01B31/02 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体性单壁碳纳米管（SWNTs）的制备方法。将催化剂二茂铁置于CVD炉石英管内上游区，基底置于石英管内下游区，然后封闭石英管，通入氮气或惰性气体排尽石英管内的空气；将石英管加热至400-1500℃，开启磁场，从上游区通入高纯度气体碳源反应5-300min，反应结束后先关闭气体碳源，再关闭磁场，然后将石英管自然降温至室温，即得到半导体性单壁碳纳米管。本发明利用浮动催化剂化学气相沉积法（CVD）制备单壁碳纳米管的过程中引入磁场可以选择性地制备半导体性单壁碳纳米管。该方法具有工艺简单、操作容易、成本低、产物质量高、含量高、可控性好，以及可进行大规模生产等优点，是一种“原位”制备半导体性单壁碳纳米管的理想方法。

公开(公告)号：CN102530937A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201210067604.9

申请日：2012-03-15

Applicant: 武汉大学

Inventor： 潘春旭 ,  张豫鹏 ,  廖蕾 ,  刘惠军

IPC: C01B31/04

Abstract: 本发明提供一种大规模制备高质量石墨烯的方法。首先利用化学剥离法制备出普通的石墨烯；然后利用低温真空高压技术对制备的石墨烯进行后处理，从而得到无缺陷高质量的石墨烯。该方法具有工艺流程简单、操作容易、制备成本低、产物质量高、可控性好以及大规模生产等优点，可作为一种适于大量可控制备无缺陷高质量石墨烯的方法。

公开(公告)号：CN105964273A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201610313264.1

申请日：2016-05-12

Applicant: 武汉大学

Inventor： 吴伟 ,  刘军 ,  肖湘衡 ,  廖蕾 ,  蒋昌忠

IPC: B01J23/89 ,  B01J31/28

CPC classification number: B01J23/8906 ,  B01J31/28 ,  B01J35/004 ,  B01J37/0217 ,  B01J37/035

Abstract: 本发明涉及一种高活性复合光催化剂α‑Fe2O3/Ag6Si2O7的制备方法。利用水热法合成的α‑Fe2O3纳米短管表面分布许多羟基，能够很好地与硅烷偶联剂在其水解时与其形成牢固的化学键，从而使α‑Fe2O3纳米短管表面修饰上氨基。利用α‑Fe2O3纳米短管表面的氨基在水溶液中与水形成氨基正离子，这种正离子能够吸引硅酸根离子，使硅酸根离子均匀分布于α‑Fe2O3纳米短管表面。此方法第一次实现将Ag6Si2O7与α‑Fe2O3进行复合，并且此反应在非常温和的条件下进行，反应时间短，操作简便等优点。相比于单组份半导体，本发明制备的α‑Fe2O3/Ag6Si2O7复合结构具有良好的光催化性能，能够应用于光催化领域。并且此方法制备的复合纳米材料均匀，操作简便，反应条件温和，能够应用于多种复合纳米材料的制备与应用。